面对高速运算应用不断推升的验证挑战,宜特今宣布(6/10),领先业界,推出 OCP NIC 3.0 PCIe Gen6 测试治具,并同步提供完整测试解决方案,协助客户抢占新世代资料传输市场先机。图说 宜特领先业界,推出PCIe 6.0测试治具与解决方案宜特观察到,随著人工智慧(AI)及高效能运算(HPC)快速普及,资料中心规模持续扩张,AI 模型训练对通道传输速度与频宽的需求也大幅增加。从采用 x86 架构的 Intel Diamond Rapids 与 AMD Venice SP7,皆支援 PCIe 6
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宜特 PCIe 6.0测试 OCP NIC 3.0
宜特宣布,正式取得 USB-IF 协会的授权,成为 USB Power Delivery(PD)认证测试实验室, 将可协助客户验证产品是否能够正确的传输和接收电力,确保产品符合USB-IF 最新的Power Delivery 3.1技术标准和规范,并核发Logo标章。欧盟预计於 2024 年底宣布,针对包括手机、平板、手提电脑、数位相机、耳机及耳机充电盒、手持游戏机、可携式扬声器、电子阅读器、键盘、滑鼠、可携式导航设备以及可穿戴装置在内的13类电子产品,规定必须采用 USB Type-C 作为统一充电接囗
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USB PD 宜特
电子产品验证服务龙头——iST宜特科技今宣布,经过层层审核,全球汽车电子最高殿堂-汽车电子协会(Automotive Electronics Council,简称AEC)于近期正式认可宜特成为AEC协会会员,是亚洲唯一获认可实验室。全球会员只有93家公司,台湾地区仅9家成为协会一员,其中包括晶圆代工大厂台积电(TSMC);台达电(Delta)等。 图说:宜特科技非常荣幸于今年成为AEC协会成员,是亚洲唯一第三方公正验证分析实验室。AEC是于1990年由克莱思勒、福特汽车、通用汽车组成的组织,目的
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宜特 AEC 实验室
随5G、物联网、电动车蓬勃发展,对于低功耗要求越来越高,功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特(TWSE: 3289)晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今(1/6)宣布,晶圆后端工艺厂(竹科二厂),通过客户肯定,成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术,技术门坎大突破。同时,为更专注服务国际客户,即日起成立宜锦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。 使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析宜
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宜特 晶圆减薄
随半导体产业朝更先进工艺 发展之际,宜特电路修补技术(IC Circuit Edit)检测技术再突破!宜特今(3/15)宣布,宜特通过先进工艺
客户肯定,IC芯片背面(Backside,简称晶背)FIB电路修补技术达7奈米(nm)工艺 。 宜特针对IC设计业者为何须进行电路修补进行说明。由于即使电路仿真软件不断地提升演进,仍难以100%来确保芯片的设计及布局正确性,一旦发现电路瑕疵只能再次进行光罩改版;然而光罩价格不斐,且重新下光罩后,等待修补过后的芯片时间通常超过一个月。因此,多数IC设计业者
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宜特 晶背电路
随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求,为填补供应链中此一环节的不足,在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」,其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺,在本月已有数家客户稳定投片进行量产,在线生产良率连续两月高于99.5%。 同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺,在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上,除了提供溅射沉积(Sputteri
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宜特 MOSFET
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