4月10日消息，据报道，在本周的Cloud Next大会上，Google发布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副总裁Amin Vahdat表示：Ironwood是我们迄今为止功能最强大、性能最强、最节能的 TPU。它专为大规模支持思考和推理AI模型而设计。首先在计算性能上，Ironwood实现4614 TFLOP的峰值算力，配备192GB专用RAM和7.4Tbps超高带宽，确保数据高速传输。其次，芯片间互连(ICI)带宽提升至1.2Tbps，较前代提升50%，大幅
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2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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上周三，美国总统特朗普宣布对进口商品征收全面关税；随后周五，中国政府宣布对美国采取反制措施，对所有美国进口的商品加征34%的关税。
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上周末，Jukanlosreve 通过社交媒体透露“ 三星Exynos 2600（移动
SoC）肯定会回归，它将用于 Galaxy S26 系列。但芯片数量非常有限，可能会与Exynos 990 的情况类似。我不确定 SF2
是否真的有用。” 3 月中旬，这位半导体行业状况的敏锐观察家认为三星的代工业务可能会放弃 1.4 纳米（SF1.4）工艺节点。据业内人士称，SF2（又名 2 纳米 GAA）的研发和制造工作似乎处于更有希望的状态——这要归功于传闻中的外部 AI 专家合作伙伴的帮助。据称，下一代
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如果你需要将电子从这里移动到那里，你可以求助于铜。这种常见元素是一种极好的导体，很容易制成电线和电路板走线。但是，当你变小时，情况就会发生变化：在纳米尺度上真的非常小。相同的铜显示出越来越大的电阻，这意味着更多的电信号会因热量而损失。为更小、更密集的设备供电可能需要更多的能量，这与您想要的微型电子设备正好相反。斯坦福大学的研究人员在 Eric Pop 实验室由 Asir Intisar Khan 领导，一直在试验一种按比例缩小到约 1.5 纳米厚度的新型薄膜。他们发现，随着这
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3月24日消息，近日，英伟达首席执行官黄仁勋表示，英伟达计划在未来四年内斥资数千亿美元采购美国制造的芯片和电子产品。英伟达设计的最新芯片以及用于数据中心的英伟达驱动服务器，现在可于台积电和鸿海在美国运营的工厂生产。黄仁勋称，“总体而言，在未来四年里，我们将采购总额可能达到5000亿美元的电子产品。我认为我们可以很容易地看到，我们在美国制造了数千亿个这样的产品。”黄仁勋还表示，英伟达正与台积电、富士康等公司合作，将制造业务转移到美国本土。黄仁勋称，此举将增强供应链韧性。对于市场传闻的“英伟达可能投资英特尔”
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英伟达CEO黄仁勋最新表示，中国人工智能企业DeepSeek发布的R1模型只会增加对计算基础设施的需求，因此，担忧“芯片需求可能减少”是毫无根据的。当地时间周三（3月19日），黄仁勋在GTC大会与分析师和投资者会面时表示，外界先前对“R1可能减少芯片需求”的理解是完全错误的，未来的计算需求甚至会变得要高得多。今年1月时， DeepSeek发布的R1模型引发了市场轰动，该模型开发时间仅两个月，成本不到600万美元，仅用约2000枚英伟达芯片，但R1在关键领域的表现能媲美OpenAI的最强推理模型o1。这导致
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3 月 19 日消息，惠普在其 Amplify Conference 2025
会议上宣布推出首批可抵御量子计算机密码破译攻击的打印机产品，包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono
MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型号。惠普表示这些打印机均采用量子弹性设计，搭载了采用抗量子加密技术设计的新型 ASIC，该芯片增强了打印机的安全性和可管理性，能防止针对 BIOS 和固件的量子攻击，并支持固件数字签名验证。此外这些
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3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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3月13日消息，三星未能按时发布Exynos 2500，Galaxy S25系列被迫全部搭载高通骁龙8 Elite芯片。据媒体报道，三星已将工作重心转向下一代旗舰平台Exynos 2600，这颗芯片首发三星2nm工艺制程，计划在5月份进入原型量产阶段，Galaxy S26系列将会首发搭载，这是全球首款2nm手机芯片。据爆料，Exynos 2600基于三星SF2工艺制造，这是三星第一代2nm制程，较第二代3GAP 3nm制程，SF2在相同计算频率和复杂度情况下可降低25%功耗，相同功耗和复杂度情况下可提高1
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台积电扩大投资美国千亿美元（约新台币3.3兆）未来将兴建3座晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心，从研发到制造全面布局。 英特尔前CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日再度公开喊话，重建半导体供应链应该敦促供应链移往美国，并对芯片课关税。综合外媒报导，基辛格对于台积电扩大投资美国持正面态度，他称赞台积电很棒，但台积电在美国没有研发中心（R&D）且拥有研发能力相当关键，长期创新与研发将带领任何产业往前迈进。另一方面，基辛格又暗示地缘政治风险，基辛格表示：「据波士顿顾问公司BCG的研究，中国台
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3 月 11 日消息，据 ZDNet Korea 今日报道，三星电子 11 日的业务报告称，三星电子第四代 4 纳米工艺（SF4X）已于去年 11 月开始量产。由于该工艺专注于人工智能等高性能计算（HPC）领域，预计将在三星代工业务的复苏中发挥关键作用。三星第一代 4 纳米于 2021 年量产。图源：三星电子据了解，与前几代相比，三星的第四代 4 纳米芯片采用了先进的后端连线（BEOL）技术，能够显著提升芯片的整体性能，同时降低制造成本。此外，该芯片还配备了高速晶体管，还支持 2.5D 和 3D 等下一代
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3月11日消息，美国贸易代表办公室将于当地时间11日，就中国大陆制造的成熟制程芯片（传统芯片）举行听证会。此举可能将会推动特朗普政府对来自中国大陆的传统芯片加征更多的关税。据媒体报道，中国社科院美国问题专家吕祥采访时表示，目前中国在存储芯片方面的产能和技术都在显著提高，美国试图限制中国的出口和产能发展，但中国生产的高性能芯片在全球市场具有很大优势，目前美国处于两难的局面。据了解，早在2024年12月23日，前拜登政府就宣布，要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将传统半导体作为主导地位的目标
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3 月 10 日消息，科技媒体 9to5Mac 昨日（3 月 9 日）发布博文，报道认为苹果最新推出的 2025 款 11 英寸 iPad（A16）平板不仅提升了产品性能，还通过使用美国制造的芯片获得战略优势。位于美国亚利桑那州的台积电工厂美国于 2024 年开始试产 4 纳米芯片，台积电已在亚利桑那州 Fab 21 工厂第一期工程小规模生产 A16 芯片，虽然数量有限，但意义重大。消息称伴随着一期工程第二阶段完成，该工厂将大幅提升产能，预计 2025 年上半年达到目标产量。苹果没有计划让 2025 款
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3 月 10 日消息，联合新闻网今天（3 月 10 日）发布博文，报道称英伟达有望在 3 月 17~21 日举办的年度 GTC 大会上，宣布 GB300 AI 芯片。报道称该芯片能耗大幅提升，散热需求激增，将全面导入水冷技术，掀起“二次冷革命”。消息称英伟达为了解决 GB300 的散热需求，将弃用传统气冷方案，全面导入水冷技术，这不仅将推动水冷板和水冷快接头的用量激增，还标志着“二次冷革命”的到来。消息称 GB300 的水冷管线比 GB200 更多、更密集，快接头需求量因此大幅增加。台企双鸿、奇鋐以及水冷
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