尽管上周南亚科及华亚科法说会时，公司对于DRAM市场多抱持乐观看法，不过台湾创新存储器公司(TIMC)董事长宣明智26日上午参观台湾宽频通讯展时却表达保守看法，认为DRAM年年都要过冬，对DRAM景气没有那么乐观，针对DRAM产业再造合并时机已过，他则表示，该做的就做。
对于近期DRAM价格回稳，宣明智认为价钱回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目竞争情况下，DRAM价格杀到低于变动成本，目前DRAM市场价位回升，也颇为合理，宣明智表示，希望能大家都够抓住机会，掌握未来竞争条件，这样才能让整
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南亚科 DRAM 华亚科 TIMC
日前在西安曲江国际会展中心召开的第四届中国民营科技产品博览会上，本土IC设计公司西安优势微电子公司推出了中国内首颗物联网核心芯片——“唐芯一号”。
“唐芯一号”核心芯片是中国第一颗完全自主知识产权的2.4GHz超低功耗射频可编程片上系统(PSoC)，采用0.18μm数字CMOS工艺，集无线射频收发、数字基带、数据处理、电源管理于一体，具有无线通信、无线组网、无线传感、无线控制、数据处理等能力，是目前同类芯片中集成度最高
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IC设计 CMOS 物联网 唐芯一号
近期IBM大动作与大陆晶圆代工厂展开技术平台合作，不仅与中芯国际携手45纳米先进制程，亦与无锡华润上华结盟，针对主流制程0.18微米射频CMOS制程技术及订单合作。大陆半导体业者指出，IBM积极运用大陆当地晶圆厂生产力，全力扩展大陆市场，未来IBM技术势力可望在大陆深耕，并与台积电势力相抗衡。
大陆半导体业者表示，目前IBM对于向外技术授权采取更积极做法，尤其针对亟需要技术平台奥援的大陆晶圆厂，IBM积极寻求合作机会，不仅对于技术授权相当开放，甚至不排除让部分原本在IBM下单客户，透过IBM转至
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IBM 45纳米 晶圆代工 CMOS
力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，对内存产业无疑是一枚深水炸弹，不论就技术自主、产能整合和产业创新等条件上，TFC都是力晶精心策划下的「政治正确」产物，从条件论而言，“经济部"很难直接拒绝TFC计划，尤其是现在台湾创新内存(TIMC)的技术来源尔必达(Elpida)在日本政府资金介入后，传出不让台湾地区政府投资的谣言不绝于耳，力晶在此时拿出TFC计划，就算不能获得政府补助，也达到破坏TIMC的目的，台湾内存产业整合大戏未来要如何演下去，在各厂底
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力晶 DRAM 内存
中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)和全球领先的基于硅 MEMS 的流体控制开发商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通过验证。
“我们已接受过性能规格的 die and run 内部测试”，Microstaq 工程部副总裁 Mark Luckevich 表示，“Ventilum 芯片通过了最高级别的认证，我们正期待着这项技术应用于暖通空调和制冷市场。”
“这是一
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中芯国际 MEMS CMOS
市场研究公司iSuppli称，今年第二、三季度DRAM内存芯片销售额和价格环比增幅创下过去5年来的最高记录，这表明市场正在复苏，这一趋势将至少持续到明年。
据国外媒体报道称，iSuppli发布的初步统计数字显示，第三季度全球DRAM芯片销售额环比增长了35%，第二季度环比增长了34%。iSuppli分析师迈克·霍华德发表声明称，这些数字表明DRAM市场确实在复苏中，价格的持续增长是DRAM内存芯片走出低迷的又一个迹象。
iSuppli表示，过去两个季度终结了DRAM内存芯片销
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内存芯片 DRAM
韩国海力士半导体预估，动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲，并指出合约价格可能在11月进一步扬升，12月时趋稳。
海力士公司主管在投资人电话会议中称，由于产业供应增长有限，2010年料出现DRAM短缺。
他们表示，低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。
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海力士 DRAM DDR3
研究机构iSuppli表示，第2、第3季DRAM销售额与价格连续增长的幅度，至少创下5年来之最。该机构遂看好产业后市，2010年也将持续复苏。
据国外媒体报道，根据iSuppli初步预测，第3季全球DRAM销售额季增35%，第2季则增长34%;全球DRAM平均售价上涨21%，同样超越第2季增幅的19%。
iSuppli表示，就全年销售额来看，全球DRAM市场自2007年起连续衰退后，今年虽有第2、第3季的支撑，但由于首季表现太差，2009全年仍将下滑12.9%。
2007年全球DRA
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三星 DRAM
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 内存 存储
北卡罗莱纳州立大学的工程师声称已经开发出一种比人的指甲还要小的芯片，它可以加大目前DRAM内存芯片的容量50倍，理论上可以实现一个指甲大小的芯片寸1TB数据。
学校的材料科学与工程系教授Jagdish Narayan表示他通过添加镍、氧化镁，混合金属和陶瓷来完成了数据存储容量的改变，新的合金镍原子占用空间不到10平方纳米，最困难的挑战就是精确的纳米点和读取方式，目前通过使用脉冲层，研究人员就能够实现对过程的控制。
Jagdish Narayan认为，原型产品可在1-2年出现，而且价格并不比
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内存芯片 DRAM
近期IBM大动作与大陆晶圆代工厂展开技术平台合作，不仅与中芯国际携手45纳米先进制程，亦与无锡华润上华结盟，针对主流制程0.18微米射频CMOS制程技术及订单合作。大陆半导体业者指出，IBM积极运用大陆当地晶圆厂生产力，全力扩展大陆市场，未来IBM技术势力可望在大陆深耕，并与台积电势力相抗衡。
大陆半导体业者表示，目前IBM对于向外技术授权采取更积极做法，尤其针对亟需要技术平台奥援的大陆晶圆厂，IBM积极寻求合作机会，不仅对于技术授权相当开放，甚至不排除让部分原本在IBM下单客户，透过IBM转至
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IBM 晶圆代工 CMOS
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全数出货2Gb DDR3芯片，赶搭DDR3主流列车;华亚科则预计2010年第1季50纳米制程量产，2010年底旗下13万片12寸晶圆厂产能全转至50纳米制程，南亚科和华亚科2010年资本支出合计将达640亿元，主要用于50纳米制程。
南亚科和华亚科第3季营运表现明显好转，对于先
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南亚科 DRAM 50纳米 DDR3 68纳米
随着DRAM价格开始反弹，南亚科和华亚科财报亏损金额大幅减少，南亚科发言人白培霖指出，11月DRAM合约价可持续成长，更看好PC市场因为Vista因素，累计整整3年未换机的能量，加上近2年DRAM产业都没有新产能开出，将在2010年出现供不应求的情况，甚至重演1995年DRAM产业的黄金年代，当时1年的DRAM产值超过400亿美元，达到史上最高纪录。
白培霖指出，2009年DRAM合约价从8月开始，每个月以成长20%的速度往上调，11月DRAM合约价可持续成长近2个月DDR3几乎是持平，主要涨幅
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南亚科 DRAM DDR3
“经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期，却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局，反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示，2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash，且100%为自有技术，比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件，未来力晶
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力晶 DRAM 存储器 NAND
“虽然国际金融危机对中国半导体产业的冲击非常大，但以中国内需市场为突破口和切入点，中国半导体产业将进入新的黄金发展期。”中国半导体行业协会理事长俞忠钰充满信心地指出。在IC CHINA2009召开前夕，俞忠钰就中国半导体产业发展的现状和未来，以及产业发展的策略和重点等热点话题，接受了《中国电子报》记者的专访。
全球半导体业进入变革和创新时代
记者：由于国际金融危机的影响，全球半导体产业呈现出新的变化和特点。你认为国际金融危机后全球半导体产业发生哪些改变?你对全球半导
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半导体 CMOS 摩尔定律
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