10月20日是台“经济部”「DRAM产业再造方案」送件的最后期限。立法院经济委员会关切DRAM前途的立委19日几乎一致要求，在政府国发基金还未投资之前，“经济部”的DRAM产业再造方案应赶快煞车，或「下车」、「了断」。
“经济部”「DRAM产业再造方案」迄今只有联电荣誉董事长宣明智主导的台湾创新存储器公司(TIMC)，以整合尔必达(Elpida)、茂德的营运计画书送至“经济部”，外传整合华邦电失利的南
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Elpida DRAM
晶圆代工产能吃紧?这句话若在6个月前说出，肯定会笑掉人家大牙，不过面对2009年第4季台系2大晶圆代工厂产能利用率仍近90%，加上设备供应商2008年底、2009年初停掉的生产线无法有效恢复，而台积电又包下不少新增机台订单后，在全球晶圆代工产能2010年的开出速度及幅度肯定不若预期下，2010年第2季晶圆代工产能会吃紧，已是有迹可寻。
从 2009年第1季全球半导体产业景气触底以来，我们已听过太多生产线开工不及，产线良率拉高不顺，产能开出不若预期的消息，如TFT面板厂、DRAM厂生产完全停工，台
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台积电 晶圆代工 DRAM IC设计
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科的DRAM整合策略再度大转弯，从原本坚持一定要送件，以争取与台湾创新存储器公司(TIMC)同等待遇的补助款，19日改口考虑不一定会送件;业者透露，原本台塑在计划书中提议要整合的对象为华邦电，但华邦电却表示无意参与这次的整合，让台塑内部相当头痛，于是提出腹案，考虑不提计划书，而改采诉诸媒体公论方式瓦解TIMC。
这次“经济部”提出的「DRAM产业再造方案」，目前仅有TIMC提出申请计划，外界相当期待台塑集团加入申请补助行列，随著最后申请截
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南亚科 DRAM 晶圆
日系DRAM大厂尔必达(Elpida) 2010会计年度第2季(7~9月)出现连亏8季以来的首度由亏转盈，营收960亿日圆(约10.66亿美元)，营业利益5亿日圆，加上日前1Gb容量 DDR2价格冲上2.5美元价位， DRAM厂营运状况大幅转好，更开始进入获利状态。业界预估，如果DRAM价格2美元以上的水平可以再维持1季，尔必达即不需要获得日本政府基金的补助款，届时美光向美国WTO告状一事，也不会成为困扰。2009年尔必达打算跳过50奈米制程，直接投资40奈米制程生产线，成本大幅降低，可正式与三星电子
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Samsung DRAM DDR2
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。
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内存 DRAM 40纳米
日系DRAM制造大厂尔必达(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主导权，让瑞晶成为名符其实的日系公司，惟存储器业者透露，当初力晶因为债务问题，将瑞晶持股卖给尔必达时，设下「买回期限」，在期限内有权再将瑞晶持股买回，因此近期力晶计划向尔必达提出买回瑞晶的持股，惟一切问题都卡在钱关，力晶营运开始有现金流入后，将手上资金大力放在增加产能用途，加上2010年初到期的ECB要偿还，力晶是否可在「买回期限」筹到钱为瑞晶赎身，市场相当关切。
随著DDR2价格大涨，力晶营运度过最艰难的时期，每月开始有
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尔必达 DRAM DDR2
根据日经新闻(Nikkei)报导，日本半导体大厂尔必达 (Elpida Memory)为强化在台湾的生产体系，除了2009年将提高合资企业瑞晶电子的持股比率超过7成之外，也正研议是否于台湾设立第1个海外研究开发据点。尔必达计划与台湾DRAM厂合作，重建事业版图，并考量加强对瑞晶电子的影响力以获取日台合资的主导权。
瑞晶电子是尔必达与台湾力晶半导体于2007年合资成立，当时尔必达出资52%，拥有12寸晶圆厂的制造设备，每月产能可达7.5万片，主要生产一般PC所使用的DRAM。
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尔必达 DRAM
中芯国际今天宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体 (CMOS) 技术将延伸至40纳米以及55纳米。
这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备(如3G/4G 手机)。
“中芯国际上海的12英寸厂已提前达标完成了45纳米的技术工艺。我们也同样期盼着这些附加的延伸技术能取得佳绩。”张汝京博士 -- 中芯国际总裁兼首席执行长表示，“这些新技术为
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中芯国际 CMOS 45纳米 40纳米 55纳米
按SEMI的资深分析师Christian Dieseldorff报道，SEMI的全球Fab预测于2010年时全球Fab投资再增加64%，达240亿美元。
ICInsight的McClean认为，今年第三季度的全球产能利用率可达88%，接近去年金融危机之前的水平。它还认为2007年的产能利用率达90%，一直维持到去年的前三个季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1为最低水平是57%，到09 Q2由于OEM为补充库存而使产能利用率又回复到78%。
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Inotera 70纳米 沟槽式 DRAM
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。
这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用于汽车、工业及医疗应用。基于ONC18工艺的方案将在安森美半导体位于美国俄勒冈州Gresham的8英寸晶圆制造厂制造，因此，预期对于寻求遵从国际武器贸易规章(ITAR)的合作伙伴、在美国国内生产的美国军事应用设计人
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安森美 CMOS 晶圆制造
半导体市场回温，ASML市场智库总监Antonio Mesquida Küsters表示，客户对设备下单需求增温，他引用研究机构预测，2010年半导体微显影设备可望成长30%至少达到40亿欧元。尤其晶圆代工领域，经过18个月的压低资本支出，现在业者更积极投资扩充产能，他个人亦乐见台积电积极扩充产能，满足客户投单需求的做法。
Küsters表示，2008 年是变动相当剧烈的一年，回顾2007年时研究机构还对2008年奥运所带来的商机相当乐观，孰料DRAM价格快速崩落约65%，紧
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ASML DRAM 晶圆代工
在金融海啸、全球经济不景气期间，由刘内阁所推出的半导体业整并计划，最近又出现了新的变化。由于当局规划整合的TMC公司选择与日商尔必达合作，引起美商美光公司不悦，状告美国参议员，声言这是不公平竞争，将要求美国政府贸易干预。如果此事成真，则政府投资的经费将如泥牛入海，全无投资报酬可言。消息传出后，不但尔必达在日本股价大跌，我们的半导体整并案也陷入极大的不确定性，使潜在投资者与政府都忐忑不安，前景堪虑。
对于美光公司的指控，“经济部”官员虽然提出答辩，但内容显然不够完整。工业局
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TMC DRAM
1969年，贝尔实验室(Bell Laboratories)的科学家Willard S. Boyle和George E. Smith发明了第一个成功的数字影像传感器技术：电荷耦合组件(CCD)。40年后，随着影像传感器逐渐发展成为一个年出货量达13亿颗的庞大市场，这两位技术先锋也在2009年获颁诺贝尔物理奖，以表扬他们在数字成像领域的贡献。
“影像传感器技术对世界和整个社会带来了巨大且深远的影响，”iSuppli分析师Pamela Tufegdzic说。“影像
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CCD CMOS 影像传感器
TIMC成立至今尚未正式获得政府的资金挹注，然美光(Micron)透过美国政府和WTO施压，引发外界认为TIMC投资尔必达 (Elpida)的计画是否会生变?宣明智5日认为，此事与TIMC成立规画和投资尔必达的计画之间没有关连性，不明白外界为何会如此联想，同时TIMC营运的概况并不会受到影响。而工业局在上周也公开力挺表示，TIMC投资尔必达将有助深化双方合作，对于政府推动DRAM技术扎根的策略，相当有助益，即使未来TIMC投资尔必达，并无违反 WTO公平竞争的原则。
由宣明智领军的TIMC虽然已
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TIMC DRAM 存储器
历史发展
自从1971年Intel公司研发出lKB的DRAM，距今已近40年，从此开创了DRAM的历史。DRAM不仅推进了电子技术的前进，而且对各国半导体业的发展也发挥了举足轻重、无可取代的巨大作用。
众所周知，进入上世纪80年代，随着大型计算机市场扩大，DRAM需求巨增。由于当时DRAM技术要求较低，其特点是量大面广，胜负在于大规模生产技术，而这正是日本公司的强项。因而尽管日本在LSI(大规模集成电路)DRAM时代还落后于美国两年，但在“官产学”举国一致的努力下，
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Intel DRAM VLSI LSI 200910
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