台“经济部”力推「DRAM产业再造方案计画」，在宣布台湾创新存储器公司(TIMC)已获审查通过后，“立法院”经济委员会11日提出重要决议，要求“经济部”停止推动DRAM产业再造计画，等同禁止“经济部”协助TIMC获得国发基金投资。
值得注意的是，目前TIMC浮上台面投资金主包括矽品、京元电、兆丰金等，潜在投资者更囊括半导体产业和创投资金，但前提必须是TIMC要明确获得国发基金资金挹注，原本投资TIMC
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TIMC DRAM
赛普拉斯半导体公司日前推出一款面向机器视觉市场的高灵敏度高速CMOS图像传感器。该款全新的130万像素VITA 1300传感器结合了管线式和触发式全局快门，具有150帧/秒(fps)的无图像畸变高帧频，而且读出速度很快。管线式全局快门功能能够在读出期间进行曝光，从而减少运动图像的模糊程度。该传感器还可工作于具有中央动态存储器(CDS)的滚动快门状态，以降低噪声，增加动态范围。新型VITA 1300系列源于赛普拉斯在机器视觉市场上颇为成功的IBIS5系列图像传感器，还可以用于条码扫描、运动检测和安防领域
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Cypress 传感器 CMOS
MT9V126 是Aptina 针对车载倒车影像市场推出的高灵敏度CMOS sensor产品，其主要特性：内部集成overlay(on chip)功能;Lens Distortion correction(镜头光学变形校正); Vertical Perspective Adjustment 感光能力可达11.5V/lux-s(55onm); 动态范围pixel Dynamic Range 大于82db;可对客户为开发应用于低照，强眩光等严苛条件下的倒车影像产品，并同时降低客户整体开发成本提供强有力的帮
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Aptina CMOS MT9V126 倒车影像 200911
据台湾媒体报道，11月上旬动态随机存取内存(DRAM)合约价出炉，DDR2 1Gb与DDR3 1Gb颗粒合约均价皆大涨超过15%，DDR2 2Gb合约均价涨幅也达13.9%，预估11月下旬DDR2合约价可望持续攀高，以合约市场为主的南科、华亚科预估受惠较大。
集邦科技昨最新报价，11月上旬DDR2 1Gb颗粒合约均价达2.38美元，比10月下旬大涨15.53%;DDR3 1Gb颗粒合约均价达2.25美元，大涨15.98%。
另DDR2 2Gb合约均价从36美元上涨到41美元，涨幅达13.9
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南科 DRAM DDR2 DDR3
2009年DRAM产业没有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合约价持续大涨近20%，2GB DDR2模块甚至一度飙到50美元天价，足见PC OEM厂拉货力道没有休息迹象，DRAM厂为确保DDR2和DDR3买气同步增温，趁机向下游厂祭出搭售方式。DRAM厂认为，随着PC OEM厂第4季大量转进DDR3平台，未来DDR3现货及合约价将同步凌驾DDR2，而现货市场DDR3报价亦展开攻势，一举站上3美元大关。
DRAM价格11月上旬涨幅超乎预期，2GB DDR2模块涨势尤其猛烈，大涨19~21%，平均价
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DRAM DDR2 DDR3
茂德(ProMos)已和尔必达(Elpida)签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。
茂德表示，代工服务以尔必达最先进的1G DDR3产品为主，预计2010年上半完成试产，2010年下半大量生产。此外，尔必达发言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月将使用多达3.5万片12寸晶圆为尔必达制造芯片，同时，采用65奈米制程技术。
茂德董事长暨总经理陈民良表示，尔必达在全球DRAM产业中以尖端制程技术的创新研发
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Elpida DRAM 晶圆 DDR3
根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极，导致DDR2出货量减少效应持续发酵，部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位，使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%，涨幅与DDR3不惶多让。
第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价
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三星 DRAM DDR3 DDR2
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因为此名字已被其它公司注册，因此改名为Taiwan Innovation Memory Company，简称为TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登记成立，董事长为联电荣誉副董事长宣明智，带领台湾内存产业再造的任务，目的在于协助台湾DRAM产
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TIMC DRAM NAND Flash
全球半导体产业受金融危机的冲击已经一年过去。此次危机是历史上最严重的一次，所以尽管各国政府都奋力相救，但是由于受损太严重，产业的完全康复仍需要过程与时间。
至此，产业链中各类公司今年前三个季度的财报都已纷纷出笼，正如ICInsight公司所言，如果依季度比较，工业恢复的过程十分明显。今年的Q1是惨不成睹，仍在下降轨迹，半导体的产能利用率在50%以下，各类投资几乎为零。到Q2时已经看到回升的迹象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3结束时，部分公司已经扭亏为盈，工业已经明显看到好转的局面，但是与去年
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半导体 DRAM
力晶在DRAM价格强劲回文件下，将恢复财务自主能力，力晶董事会2日通过，从明年开始停止纾困，全力正常恢复营运，可望从明年起针对银行正常还款。力晶对第四季价格仍保持每颗2美元至2.5美元的乐观预期，今年第四季将有机会转亏为盈。
力晶昨日领先各大DRAM厂，率先公布10月营收，由于产能满载，加上DRAM价格回文件，该公司10月营收达42.39亿元(新台币，以下同)、较9月大增28%，创下今年以来新高，预估11月、12月营收将会维持持续成长的动能。
力晶指出，在政府政策与银行团大力支持之下，透过
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力晶 DRAM 封测
受惠DRAM价格谷底翻身，台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小，合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元，累计前3季亏损731亿元，其中茂德亏损最多，华亚科亏损金额最小，展望第4季，DRAM价格持续走强越过2.5美元后，颇有朝3美元的实力，各厂全产能投片后，可望力拼单月损益两平，其中力晶旗下瑞晶第3季已转亏为盈，力晶董事长黄崇仁也表示，若报价维持在2.5美元水平，第4季也有机会挤身获利之林。
DRAM 产业在2008年此时受到供过于求严重失衡的影响，亏损严重到一度将存储器
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力晶 DRAM 晶圆
采用0.18micro;m CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路,本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以
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收发器 系统 复用器 电路 2.5Gb/s 用于 0.18µ CMOS 收发器
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布，推出二款面向油电混合动力车(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)应用所设计的车用级高速低功耗数字CMOS光电耦合器产品。ACPL-M71T单通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驱动光电耦合器为Avago R2Coupler™数字系列产品的最新成员，这些采用小型化SOIC-5封装，拥有耐高温和低功耗特性的光电耦合器非常适合控制器局域网总线(CANBus, Controller Area Ne
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Avago CMOS 光电耦合器
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5纳米 DRAM NAND
据国外媒体报道，数家亚洲大型芯片厂商财报预期显示，本季度有望实现数年来的首次扭亏为盈，芯片下滑趋势或将结束。
三星电子本月初表示，其季度利润有望超市场预期，分析师对其预期为每股收益1.98万韩元(约合16.83美元)。
投行Macquarie Group对三星股票评级为“表现突出”(outperform)，将三星目标股价由84万韩元调高至90万韩元。该投行在研究报告中称，因三星上半年收益强劲，预计其股价将持续上涨。周一，三星股价在首尔股票交易所收盘于75.3万韩元(
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海力士 DRAM 内存芯片
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