4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼，以应对人员的增加。此外，今年2月下旬，日经亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息，东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外
关键字：
功率半导体 IGBT MOSFET SIC
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
关键字：
SiC MOSFET 栅极驱动 安森美
简介在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。 为什么使用宽带隙（WBG）材料？对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流
关键字：
SiC Microchip
CAN总线在实际应用中，容易受到静电浪涌的干扰。很多客户出现CAN节点无法通信，主要原因是CAN收发器芯片损坏，静电浪涌防护没做好。本文就针对这一点进行讲解。不良品分析不久前我们收到一个客户送过来的一个CAN隔离收发器的不良品，下面我简单分析一下该不良品的损坏原因及解决方案。我们首先用功能测试板测试该模块的各项参数，测试的结果是电压电流正常，通信功能不正常，测试结果如下表：表1 产品基本功能测试由这个测试结果可以推测可能是收发器芯片或者隔离芯片损坏。第二步进行引脚对地阻值测试，用不良品和同批次
关键字：
ZLG CAN
今日，盛美上海宣布，首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出，该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第三季度末发货。当前，以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为主的第三代半导体迅速发挥发展，其中整体产值又以碳化硅占80%为重。据悉，碳化硅衬底用于功率半导体制造，而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热，以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加
关键字：
功率半导体 盛美上海 Ultra C SiC 衬底清洗
３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世，化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实，但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒，Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者，Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
关键字：
Qorvo Matter SiC FET UWB
根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023
SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON
Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源2全球车用MCU市场规模预估2022年全球车用MCU市场规模达82
关键字：
SiC 功率半导体 IGBT 美光
自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
关键字：
GaN SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
关键字：
ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工业设备功率模块
EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时，可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。引言在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC（如今为 Qorvo）SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构，其效率高于 IGBT，且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过，这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说，成本、尺寸和
关键字：
Qorvo OBC SiC
日前，英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部负责人潘大伟率大中华区诸多高管出席，分享公司在过去一个财年所取得的骄人业绩，同时探讨数字化、低碳化行业发展趋势，并全面介绍英飞凌前瞻性的业务布局。 2022财年英飞凌全球营收达到142.18亿欧元，利润达到33.78亿欧元，利润率为23.8%，均创下历史新高。其中，大中华区在英飞凌全球总营收中的占比高达37%，继续保持英飞凌全球最大区域市场的地位，为公司全球业务的发展提供
关键字：
英飞凌 数字化 低碳化 SiC
中国 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达
关键字：
Qorvo 750V SiC FETs
第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。△Source：TrendForce集邦咨询今年以来，SiC领域屡受资本青睐，融资不断。截至今日，已有20家SiC相关企业宣布获得融资，融资金额超23亿。融资企业包括天科合达、天域半导体、瞻芯电子、派恩杰等领先企业。天科合达天科合达完成了Pre-IPO轮融
关键字：
SiC 融资
在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？工程师老前辈可能还记得双极晶体管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模块将双极达林顿晶体管模块踢出逆变器的速度有多快。电力电子的驱动力一直是降低损耗
关键字：
英飞凌 SiC
can sic介绍
您好，目前还没有人创建词条can sic!
欢迎您创建该词条，阐述对can sic的理解，并与今后在此搜索can sic的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473