10月24日，士兰微发布公告称，近期，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示，公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。据了解，2017年12月1
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士兰微 士兰明镓 SiC 功率器件
引言在工业、汽车和仪器仪表应用中，因操作不当、存在电气噪声的操作环境，甚至雷击造成的大瞬态电压可能会形成巨大压力，导致通信端口和基础电子设备受损。对此，ADI推出了信号和电源隔离式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收发器，能够承受其中许多瞬态电压，并保护敏感的电子设备。根据IEC标准和瞬态电压大小，瞬态电压可分为静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌。通过ADM3055E/ADM3057E CAN FD收发器的片内集成保护，可实现4级IEC 61000-4-2 ESD保护、IE
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浪涌保护 CAN FD收发器
意法半导体的L99LDLH32线性稳流器为使用轻量级 CAN FD Light 协议控制动态汽车照明提供了一个简便的集成解决方案。OLED 灯可以从很小的表面发射明亮、均匀和高对比度的光线，新驱动器与OLED完美匹配，让设计师能够创造复杂的图案和光效，增强汽车的安全性和外观设计视觉效果。L99LDLH32有32个可在1mA至15mA范围内独立编程的稳流电源，可以单独驱动车内外灯具的每个像素，还提供8 位分辨率的整体调光功能。当用车辆电池电压供电时，驱动器最高输出电压35 V，覆盖较宽的发射极正向
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意法半导体 CAN FD Light 多像素驱动器 汽车照明设计
现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 栅极驱动器 SiC 逆变器
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
CAN和485都是工业通信中常用的现场总线，做好通信总线的隔离防护是产品可靠、稳定的重要前提。那么该如何做好通信总线的隔离防护呢？隔离方案众多，该如何选择适合的方案呢？本文为您解答！一、通信总线为什么要隔离？目前大多数产品对外通讯部分可总结为：MCU+收发器+外部总线，其中大多数常用的MCU 都集成有CAN或UART链路层控制器。从MCU发出的电平信号一般为5V或3.3V，为达到与总线连接和远传的目的，往往需要在MCU与总线间加收发器，它起到电平转换的作用。采用总线通信方式必然涉及到外部通信走线，CAN和
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金升阳 CAN&485 总线隔离
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
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东芝 SiC MOSFET
CAN和485都是工业通信中常用的现场总线，做好通信总线的隔离防护是产品可靠、稳定的重要前提。那么该如何做好通信总线的隔离防护呢？隔离方案众多，该如何选择适合的方案呢？本文为您解答！一、通信总线为什么要隔离？目前大多数产品对外通讯部分可总结为：MCU+收发器+外部总线，其中大多数常用的MCU 都集成有CAN或UART链路层控制器。从MCU发出的电平信号一般为5V或3.3V，为达到与总线连接和远传的目的，往往需要在MCU与总线间加收发器，它起到电平转换的作用。采用总线通信方式必然涉及到外部通信走线，CAN和
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金升阳 CAN
针对LED智能照明解决方案，Microchip 的MCU集成了独立于内核的外设模块来实现开关电源控制、逻辑控制和通信功能。相比于纯模拟或ASIC实现方案，可显著提升灵活性。本方案加入安森美NCV78343矩阵控制芯片，实现CAN/LIN通讯矩阵大灯方案。PIC16F1779可独立控制多达四个LED通道，这是大多数现成LED驱动器控制器所不具备的一项独特能力，特别适合组合式大灯/尾灯的设计。LED调光引擎由单片机中集成的模拟外设组成，通过MCC配置将这些模块连接起来，构成四个独立的LED调光驱动器。一旦配置
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Microchip SAC CAN Matrix Headlight PIC16F1779 NCV78343
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，昨天美国时间举行了剪彩仪式，庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链，从SiC粉末和石墨原料的采购，到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证，以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
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安森美 碳化硅工厂 SiC
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU产品家族的新成员——RX660微控制器（MCU）产品群。新产品支持5V工作电压，为暴露在高电磁干扰下的家用电器和工业设备提供卓越的噪声容限。RX660作为瑞萨高端RX通用MCU产品中首个支持5V的器件，也是RX产品家族中首款内置CAN FD控制器的器件，可实现高速数据通信。全新RX660 MCU的高工作电压可以省去目前许多3V MCU所需的外部噪声抑制元件，让用户能够减少开发时间与元件成本，提高系统质量。近年来，由于功能安
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瑞萨电子 32位 MCU CAN FD
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
由于 SiC 具有更快的开关速度，因此对于某些拓扑结构，可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要，最终将取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前仅占全球总发电量的一小部分，因此 SiC 将有长远的发展路向。随着电动车采用率的增加，充电桩将大规模部署，另外，SiC 最终还将成为电动车主驱逆变器的首选材料，因为它可减少车辆的整体尺寸和重量，且能效更高，可延长电池使用寿命。安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人 吴桐 博士安森美 (onsemi) 在收购上游
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202207 安森美 SiC
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