电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋
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国晶微半导体 SIC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
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罗姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 纯电动汽车逆变器
CAN总线学名控制器局域网，本身就是为了控制汽车而开发的。因为其数据传输速度快抗干扰能力强，目前已经成为了最为主流的汽车总线。对于汽车来说，CAN总线就是它的神经系统。这个系统一般由很多ECU节点组成的控制单元，每个ECU节点都有自己的故障检测功能，基本上每个ECU都有一块EEPROM，用来存储自身故障信息，然后还会上传到网关的EEPROM，并以诊断故障码（Diagnose trouble code）的形式存储。车载CAN网络诊断系统框图如图1所示，为保障车辆行车安全，ECU应当能够进行故障自检，DTC(
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芯力特 CAN SIT1043Q
现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体，成本与转换效率比传统的硅半导体更高，更能提升续航。如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块，并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用，预计在动力、续航都能再升级。E-GMP 平台，原先已在后马达逆变器采用 Si
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SiC 碳化硅功率模块 起亚 EV6 意法半导体 ACEPACK DRIVE
汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中，高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说，门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及，但事实是无论
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Infineon OBC SiC
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率转换
近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线上扬，总营收21.93亿美元，同比增长25.86%；毛利10.58亿美元，同比增长46.82%。财报数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的I
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安森美 SiC MOSFET
在最近召开的EEVIA第十届年度中国硬科技媒体论坛暨2022产业链研创趋势展望研讨会上，来自英飞凌安全互联系统事业部的汽车级WiFi/BT及安全产品应用市场管理经理杨大稳以“英飞凌赋能未来汽车低碳化和数字化发展“为题，详细介绍了英飞凌在汽车电子领域的相关产品和未来趋势。 新能源车是全球汽车市场增长最快也是需求最旺盛的领域，特别是在中国这个全球产销第一的市场，2022年国有品牌汽车占据近一半的中国汽车市场份额，最大的驱动力是来自于新能源车和电动车。可以预想，随着政府和车厂的支持，电动车未来几年会迎
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英飞凌 SiC 电动汽车 无人驾驶
当前，全球主要国家和地区都已经宣布了“碳达峰”的时间表。在具体实现的过程中，轨道交通将是一个重要领域。由于用能方式近乎100%为电能，且带动大量基础设施建设，因此轨道交通的“碳达峰”虽然和工业的“碳达峰”路径有差异，但总体实现时间将较为接近。在中国，这个时间节点是2030年之前。当然，“碳达峰”在每一个领域都有狭义和广义的区分，比如在工业领域，一方面是重点企业自身通过节能+绿电的方式实现“碳达峰”，另一方面也需要围绕重点企业的产业链上下游全面实现能耗降低。对于轨道交通也是如此，狭义层面的轨交工具，以及广义
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Mouser SiC
CAN FD等接口使用被称为差分传输的传输方式。差分传输通过两条信号线之间的电位差传输信号，因此具有不易受外部辐射噪声影响的特点。1. CAN FD是什么CAN FD是连接汽车内的ECU或电脑并进行通讯的车内局域网之一。CAN FD能够以比以往的CAN标准更快的速度进行通讯。2. 噪声问题CAN FD具有比以往的CAN更高的比特率，这也增加了CAN通讯时产生的发射噪声问题。CAN FD等接口使用被称为差分传输的传输方式。差分传输通过两条信号线之间的电位差传输信号，因此具有不易受外部辐射噪声影响的特点。此外
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智能汽车 CAN
绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属
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碳化硅 SiC 电源管理 可配置数字栅极驱动 万物电气化
10月24日，士兰微发布公告称，近期，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示，公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。据了解，2017年12月1
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士兰微 士兰明镓 SiC 功率器件
引言在工业、汽车和仪器仪表应用中，因操作不当、存在电气噪声的操作环境，甚至雷击造成的大瞬态电压可能会形成巨大压力，导致通信端口和基础电子设备受损。对此，ADI推出了信号和电源隔离式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收发器，能够承受其中许多瞬态电压，并保护敏感的电子设备。根据IEC标准和瞬态电压大小，瞬态电压可分为静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌。通过ADM3055E/ADM3057E CAN FD收发器的片内集成保护，可实现4级IEC 61000-4-2 ESD保护、IE
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浪涌保护 CAN FD收发器
意法半导体的L99LDLH32线性稳流器为使用轻量级 CAN FD Light 协议控制动态汽车照明提供了一个简便的集成解决方案。OLED 灯可以从很小的表面发射明亮、均匀和高对比度的光线，新驱动器与OLED完美匹配，让设计师能够创造复杂的图案和光效，增强汽车的安全性和外观设计视觉效果。L99LDLH32有32个可在1mA至15mA范围内独立编程的稳流电源，可以单独驱动车内外灯具的每个像素，还提供8 位分辨率的整体调光功能。当用车辆电池电压供电时，驱动器最高输出电压35 V，覆盖较宽的发射极正向
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意法半导体 CAN FD Light 多像素驱动器 汽车照明设计
现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
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