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can sic 文章 进入can sic技术社区

更小体积!SMD封装CAN/RS485/RS232工业总线隔离收发模块

  • 一、产品简介      金升阳近期推出高性价比、SMD封装、小体积CAN/RS485/RS232隔离总线收发器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列,协助电力、工控、交通(轨道、汽车)、仪器仪表等行业的客户实现信号精准地桥接。该系列进行了产品性能的升级,并提升了工艺制程及可靠性。      该系列产品的加工采用全贴片工艺,客户可轻松实现自动化加工,大大降低加工成本。产品的体积L*W*H
  • 关键字: SMD封装  金升阳  CAN/RS485/RS232  

基于UDS的CAN节点软件升级设计

  • Design of CAN node software ypdate based on UDS马建辉 123 ,慕永云 123 ,侯冬冬 123 ,胡代荣 123 ,朱亮 1(1.齐鲁工业大学(山东省科学院),山东 济南,250353;2.山东省科学院自动化研究所,山东 济南,250014;3.山东省汽车电子技术重点实验室,山东 济南,250014)       摘要:汽车CAN节点软件升级过程中大量频繁的CAN通信造成网络负载率升高,可能导致大
  • 关键字: 201904  CAN节点  软件升级  UDS on CAN  Bootloader  多帧通信  

CAN一致性测试最重要的几个测试项是什么?

  •   CAN一致性测试在于缩小CAN网络中节点差异,保证CAN网络的环境稳定,有效提高CAN网络的抗干扰能力。因此CAN节点的一致性测试就显得尤为重要。    随着新能源、智能网联等概念发展,车身CAN总线环境变得复杂及紊乱,CAN节点质量不稳定给主机厂安全性带来极大威胁。所以,CAN一致性测试已成为保证CAN网络安全运行的重要手段,CAN一致性测试内容覆盖了物理层、链路层、应用层等测试需求,如表1 CAN一致性测试内容(节选)所示;其中包括了输入阈值、输出电压、采样点、位宽容忍度重点测试项目。  表1
  • 关键字: CAN,CANDT  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体将在APEC 2019演示 用先进云联接的Strata Developer Studio™快速分析电源方案

  •   2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studioä 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案,使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围,且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。  Strata Developer S
  • 关键字: 安森美  SiC   

采样点测试的原理和设计

  •   采样点是接收节点判断信号逻辑的位置,采样点对CAN总线来说极其重要,尤其是在组网的时候,多个节点尽量保持同一个采样点,若网络中节点采样点不一致会导致同样的采样频率出现采样错误,进而会使整个网络出现故障。  01 采样点的规则及原理  CAN 协议里将一个位时间分为同步段、传播段、相位缓冲段 1 和相位缓冲段 2。这些段又由称之为Time Quantum(以下称为Tq)的最小时间单位构成。1位由多少个Tq构成、每个段由多少个Tq构成等是可以设定的。通过设置bit时序,使得可以设定一个采样点以使总线上
  • 关键字: CAN  采样点  

集邦咨询:需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。  集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年
  • 关键字: IGBT  SiC   

CAN一致性测试隔离和非隔离供电的电路区别

  •   汽车电子中有隔离和非隔离DUT,常用于在与发动机、BMS等容易产生瞬时高压的设备部分会采用隔离的通讯连接,隔离DUT的目的是为防止电磁干扰影响DUT通信信号以及瞬时高压脉冲损坏DUT;而非隔离DUT,则常用于与低压车载电子设备的通信。根据DUT类型,CANDT设计两种供电模式,隔离供电与非隔离供电,本文与读者浅谈隔离与非隔离电路原理和接线方式的区别,以及其对测试的影响。常见的CAN设备分为隔离和非隔离两类。  一、隔离供电DUT设备  隔离ECU内部的收发器和控制器之间有隔离模块(包括数字隔离芯片和隔
  • 关键字: CAN  DUT  

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器,可最大程度提高效率及安全性

  •   深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。  SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市场趋势及应用动向

  • 介绍了SiC的市场动向,SiC市场不断扩大的原因,SiC技术及解决方案的突破,以及罗姆公司在SiC方面的特点。
  • 关键字: SiC  市场  应用  汽车  201903  

如何测量CAN总线网络阻抗

  •   在CAN应用中,有时会出现我们料想不到的问题,此时,为了准确的排查问题,我们需要通过测量CAN总线网络阻抗来确定是否满足CAN规范。本文将阐述测量CAN总线网络阻抗的原理以及具体方法。  一、什么是阻抗?  阻抗是指电路中的电子器件对通过它的特定频率的交流电流的阻碍作用。在数学上用矢量平面上的复数表示,即Z=R+jX,如图1所示,Z表示阻抗,实部R称为电阻,虚部X称为电抗。而电抗为容抗和感抗的总称,电容在电路中对交流电所起的阻碍作用称为容抗,电感在电路中对交流电所起的阻碍作用称为感抗。阻抗就是电阻、电
  • 关键字: CAN  网络阻抗  

ST将收购Norstel 55%股权,扩大SiC器件供应链

  • 意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议,收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来,开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示,在交易完成之后,它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链,并为自己带来一个重要的增长机会。
  • 关键字: ST  Norstel  SiC  

详解串口转换CAN模块“透明带标识转换”

  •   UART转CAN的应用已广泛应用于各行各业,因此对于数据帧转换的形式要求也逐渐增多,目前主流的转换形式包括透明转换、透明带标识转换以及自定义转换。具体是如何实现?本文将为大家介绍其中的透明带标识转换。  1 . 适用场景  串口转CAN模块在什么时候需要用到呢?一是老产品面临升级,需要用到CAN总线通信,但硬件平台中的MCU没有集成CAN总线的控制器。二是选用的MCU已经包含CAN总线接口,但数量上不能满足项目需求。若出现类似以上两种情况且MCU有闲置串口,则可以选用串口转CAN模块解决。    图1
  • 关键字: 串口  CAN  

第三代半导体又有新成员?氧化镓有什么优点?

  •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。  然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此,近几年关于氧化镓的研究又热了起来。  实际上,氧化镓并不是很新的技术,多年前就
  • 关键字: 半导体  SiC  GaN  
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