移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
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SiC FET
2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大开幕，作为全球领先的功率半导体供应商，瑞能半导体携SiC Diodes和SiC MOSFETs，第三代肖特基二极管G3 SBD、第五代软恢复二极管 G5 FRD等多款旗舰产品重磅回归PCIM Europe展会，全方位展示行业领先的技术、产品应用和解决方案，和诸多业内伙伴共话智能制造行业在全球范围内的可持续发展。PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展，是电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理领域最具影响力的博
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SiC MOSFET 瑞能半导体 PCIM Europe
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块，其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现AS
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Power Integrations IGBT SiC 模块驱动器 SCALE EV PI
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行
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SiC 太阳能 MOSFET
_____日前，泰克携手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大学深圳汽车研究院交付了一台全自动化SiC功率模块动态测试系统，此为今年度向客户交付的第五台SiC功率模块动态测试系统，亦是大湾区的首台全自动化SiC功率模块动态测试系统。此系统集成了来自泰克的专门针对第三代半导体测试的硬件设备，从而解决了“测不准”、“测不全”、“不可靠”这三个难题的挑战。忱芯作为泰克科技的解决方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半导体及应用研讨会”上结成了全范围的战略合作联盟，进行深度整合资源，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的
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Tektroni SiC 动态测试系统
日本电产伺服株式会社正式推出搭载有Can-Bus通信功能的无刷直流电机。该电机主要用于自动售货机的推货机构。“搭载有Can-Bus通信功能的无刷直流电机”Can-Bus (Controller Area Network-Bus：控制器局域网总线技术) 是一种被称之为车用总线标准的、使汽车、火车内部的组件相互连接的内部通信网络。其特点是微控制器和设备无需主机即可相互通信。Can-Bus最初是为汽车内部的多路复用电气配线设计的，被要求具有抗噪音性，现在被广泛用于传输设备中的控制信息，也用于运输设备、机床等机器
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日本电产 伺服电机 Can-Bus
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说，GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，RO
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SiC GaN ROHM
一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
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SiC 碳化硅 MOSFET
本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
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SiC 碳化硅 SBD
反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
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SiC 碳化硅 SBD
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