SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
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SiC 碳化硅
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
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SiC 碳化硅
意法半导体（ST）作为全球领先的汽车半导体供应商之一，多年前就开始布局新能源汽车领域，在2019年正式成立新能源车技术创新中心，推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发，满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法，为客户前期方案评估和后续开发提供了便利，大大缩短了整个研发周期。
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SiC 碳化硅 牵引逆变器
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明，从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据，图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，
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ST 碳化硅 汽车 工业 SiC
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，就能节省95.
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ST GaN SiC
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorv
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SiC 电源
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信号质量提升（SIC）技术已用于TJA146x收发器系列中，并已经成功应用到长安汽车最新的平台中。恩智浦的CAN SIC技术有效提升了CAN信号质量，使CAN FD网络能够在更大型复杂网络中运行，实现更快的数据传输速率。这项经济高效的技术能够扩展CAN FD的潜力和灵活性，从而应对下一代汽车的网络挑战。中国汽车制造商长安汽车是第一家在生产中采用恩智浦的CAN SIC技术的汽车客户。● 长安汽车成为第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
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意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
半导体材料是信息技术的核心基础材料，一代材料、一代技术、一代产业，半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化，推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展。同样地，信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展。第三代半导体材料及其应用第三代半导体是指以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料，它是继20世纪50年代以Ge、Si为代表的第一代半导体和70年代以GaAs、InP为代表的第二代半导体之后于90年代发展起来的新型宽禁带半导体材料，即禁带宽度明显大于Si（1.12 eV）和Ga
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第三代半导体 SiC
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