电动机、开关转换器、大电流驱动级和振荡器属于噪声注入器类型，可以在电源线上引入纹波。导航和互联网子系统等通信模块以及外部干扰也会增加噪声，这些噪声可以传导或耦合到敏感的电子设备上，并有可能破坏它们的行为。在此背景下，CAN收发器仍有望成功交换数据；为此，它们必须具有很强的抗噪能力。三十多年来，控制器区域网络 (CAN) 收发器作为通信主干一直存在于汽车中。在此期间，电子芯片的数量以及收发器的整体复杂性稳步增加。因此，多个电子子系统必须近距离共存，并在恶劣条件下完美运行。这对组件可以产生的噪声量（发射）以及
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CAN
车载网络 (IVN) 能够让微控制器和发动机控制单元 (ECU) 处理器与传感器、执行器、指示器、显示器之间实现相互通信。控制器区域网络 (CAN) 总线便是经典的 IVN 之一。CAN 问世至已有近三十年，并且仍在继续发展。车载网络 (IVN) 能够让微控制器和发动机控制单元 (ECU) 处理器与传感器、执行器、指示器、显示器之间实现相互通信。控制器区域网络 (CAN) 总线便是经典的 IVN 之一。CAN 问世至已有近三十年，并且仍在继续发展。正如 ISO11898 标准中描述的那
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CAN
据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采
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SiC MOSFET
在许多工业和汽车应用中，保护接口收发器免受各种电过应力事件的影响是一个主要问题。瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管常用于上述用途，因为它们可以通过生成低阻抗电流路径来钳制电压尖峰。TVS 二极管的电气特性由几个工艺因素决定。这些参数与 TVS 电压、电流和额定功率相关，具有多种多样的数值，以适应各种应用。但通过查看元件数据表，就会发现选型并不简单。在本文中，我将讨论电压参数并展示哪种 TVS 二极管适用于 RS-232、RS-485 和控制器局域网 (CAN) 应用。当然，峰值脉冲功率耗散和峰值脉冲电流也
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TI CAN 二极管
根据市调统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作案明朗化，将推动2023年整体碳化硅（SiC）功率组件市场产值达22.8亿美元、年成长41.4％。 主要成长原因在于SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动车与再生能源设备系统效率。集邦表示，SiC功率组件的前两大应用为电动车与再生能源领域，分别在2022年已达到10.9亿美元及2.1亿美元，占整体SiC功率组件市场产值约67.4％和13.1％。车用方面，安森美与大众汽车签属战略协议，另外该系列产品亦被起亚
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SiC
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。3月6日，中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。事实上，除中瓷电子外，近来还有许多企业选择以收购的方式，布局或扩大第三代半导体业务。2023年3月2
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第三代半导体 收购 SiC GaN
前 言 1824年，一种全新的材料被瑞典科学家，贝采里乌斯合成出来，这是一种名为碳化硅的黑色粉末，平平无奇的样子，仿佛是随处可见的灰烬，也许谁也没能想到，就是这一小撮杂质般的黑色颗粒，将会在近200年后，在其之上长出绚烂的花朵，帮助人类突破半导体的瓶颈。在人类半导体产业的起步初期，基于硅（Si）芯片的技术发展速度卓越，无论是成本还是性能都达到了完美的平衡，自然对于碳化硅（SiC）没有过多的注意。直到20世纪90年代，Si基电力电子装置出现了性能瓶颈，再次激发
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SiC 新能源汽车 汽车电子
随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%，预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化，GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露，这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益，它们已经进行了早期部署，并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级，并具备高载流能力，因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
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GaN SiC
一直以来，“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题，是车企和车主共同的焦虑；但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来，将SiC(碳化硅）一词推向了市场的风口浪尖。继2019年4月保时捷Taycan Turbo S 全球首发三年后，800V高压超充终于开始了普及。相比于400V，800V带来了更高的功效，大幅提升功率，实现了15分钟的快充补能。而构建800V超充平台的灵魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引领着这一轮高压技术的革命。小鹏发布的800V高压SiC平台Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。为何选择 SiC？为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的
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安森美 SiC
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC
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英飞凌 Resonac 碳化硅 SiC
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统，将会非常利于运维。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这不仅节省了能源，而且使设备更小、更轻，相关的资本、安装和维护成本更低。关键的应用要求及其挑战。在光伏和储能系统中，1500V的高系统电压要求宇宙辐射引起的故障率非常低，同时要求功率器件具有更高的系统效率
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英飞凌 SiC 逆变器
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、
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SiC MOSFET
去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。在特斯拉 Model 3 车型中，SiC 得到量产应用，这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。目前，业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料，那么宽禁带半导体当前发展状况如何？国内外发展宽禁带半导体有哪些区别？未来发展面临着哪些挑战？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
CAN总线是可以挂载多个控制单元，每个单元均可以发送和接收数据，为了避免发生冲突，协议规定只有等信道空闲时刻优先级高的单元才能占有总线并发送数据，那么CAN单元是如何判断优先级的呢？CAN仲裁的实现方式1. CANID在CAN报文中的位置每一个CAN报文的CANID有唯一标识的11bit/29bit构成，以标准CAN帧为例，11bitCANID在CAN帧中的位置如图1所示。SOF之后是Identifier，各个节点要外发的CANID通过CANID仲裁，优先级高的报文被优先发送。同时，对应节点优先获得CAN
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ZLG CAN
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