如果你需要将电子从这里移动到那里,你可以求助于铜。这种常见元素是一种极好的导体,很容易制成电线和电路板走线。但是,当你变小时,情况就会发生变化:在纳米尺度上真的非常小。相同的铜显示出越来越大的电阻,这意味着更多的电信号会因热量而损失。为更小、更密集的设备供电可能需要更多的能量,这与您想要的微型电子设备正好相反。斯坦福大学的研究人员在 Eric Pop 实验室由 Asir Intisar Khan 领导,一直在试验一种按比例缩小到约 1.5 纳米厚度的新型薄膜。他们发现,随着这
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拓扑半金属 芯片 铜
3 月 26 日消息,英国芯片设计公司 Arm自被软银收购后,业务模式已经逐渐从基础架构提供商转向完整芯片设计商。彭博社今天援引知情人士的话透露,高通已向欧盟委员会、美国联邦贸易委员会(FTC)及韩国公平交易委员会提交机密文件,指控 Arm涉嫌滥用市场支配地位实施反竞争行为。在与监管机构的私下会议和保密文件中,高通指控 Arm 在运营开放授权模式 20 余年后,突然限制技术访问权限,试图通过自研芯片业务提升利润。具体表现为:· 拒绝提供协议范围内的关键技术· 修改授权条款阻碍客户产品开发· 利用指令集架构
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高通 Arm 垄断反竞争 芯片架构授权 软银
并非每个计算机系统都可以在引擎盖下切割它。如今,数十个电子控制单元 (ECU) 可以分布在现代车辆周围。每个单元通常只需要足够的计算能力来完成从车身控制到动力总成等领域的单个任务。在许多情况下,这些计算机模块必须能够不间断地运行安全关键作。这意味着要利用紧凑、实时的汽车级微控制器 (MCU)。Arm 的 Cortex-R 系列实时 CPU 内核采用与物联网设备到高端智能手机相同的节能架构,正在成为现代汽车的主要构建模块之一。许多最大的 Arm Cortex-M MCU 供应商
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Arm Cortex-R 汽车级
3月24日消息,近日,英伟达首席执行官黄仁勋表示,英伟达计划在未来四年内斥资数千亿美元采购美国制造的芯片和电子产品。英伟达设计的最新芯片以及用于数据中心的英伟达驱动服务器,现在可于台积电和鸿海在美国运营的工厂生产。黄仁勋称,“总体而言,在未来四年里,我们将采购总额可能达到5000亿美元的电子产品。我认为我们可以很容易地看到,我们在美国制造了数千亿个这样的产品。”黄仁勋还表示,英伟达正与台积电、富士康等公司合作,将制造业务转移到美国本土。黄仁勋称,此举将增强供应链韧性。对于市场传闻的“英伟达可能投资英特尔”
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英伟达 AI 芯片 台积电 富士康
AI应用正从云端逐渐向边缘和终端设备扩展。 微控制器(MCU)作为嵌入式系统的核心,正在经历一场由AI驱动的技术变革。 传统的MCU主要用于控制和管理硬件设备,但在AI时代,MCU不仅需要满足传统应用的需求,还需具备处理AI任务的能力。满足边缘与终端设备的需求边缘计算(Edge Computing)是指将数据处理和计算任务从云端转移到靠近数据源的设备上进行。 这种方式能够减少数据传输的延迟,提升系统的实时性和隐私保护。 边缘设备通常资源有限,因此需要高效且低功耗的AI处理器来支持复杂的AI任务。为了满足边
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微控制器 AI 边缘计算 Arm
英伟达CEO黄仁勋最新表示,中国人工智能企业DeepSeek发布的R1模型只会增加对计算基础设施的需求,因此,担忧“芯片需求可能减少”是毫无根据的。当地时间周三(3月19日),黄仁勋在GTC大会与分析师和投资者会面时表示,外界先前对“R1可能减少芯片需求”的理解是完全错误的,未来的计算需求甚至会变得要高得多。今年1月时, DeepSeek发布的R1模型引发了市场轰动,该模型开发时间仅两个月,成本不到600万美元,仅用约2000枚英伟达芯片,但R1在关键领域的表现能媲美OpenAI的最强推理模型o1。这导致
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黄仁勋 DeepSeek 算力 芯片 吃紧 英伟达
3 月 19 日消息,惠普在其 Amplify Conference 2025
会议上宣布推出首批可抵御量子计算机密码破译攻击的打印机产品,包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono
MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型号。惠普表示这些打印机均采用量子弹性设计,搭载了采用抗量子加密技术设计的新型 ASIC,该芯片增强了打印机的安全性和可管理性,能防止针对 BIOS 和固件的量子攻击,并支持固件数字签名验证。此外这些
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惠普 抗量子 攻击打印机 ASIC 芯片
3 月 18 日消息,据台媒 digitimes 今日消息,SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E,预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片,实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps,在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月,SK
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SK 海力士 英伟达 HBM3E 芯片
台积电扩大投资美国千亿美元(约新台币3.3兆)未来将兴建3座晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心,从研发到制造全面布局。 英特尔前CEO基辛格(Pat Gelsinger)近日再度公开喊话,重建半导体供应链应该敦促供应链移往美国,并对芯片课关税。综合外媒报导,基辛格对于台积电扩大投资美国持正面态度,他称赞台积电很棒,但台积电在美国没有研发中心(R&D)且拥有研发能力相当关键,长期创新与研发将带领任何产业往前迈进。另一方面,基辛格又暗示地缘政治风险,基辛格表示:「据波士顿顾问公司BCG的研究,中国台
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3 月 11 日消息,据 ZDNet Korea 今日报道,三星电子 11 日的业务报告称,三星电子第四代 4 纳米工艺(SF4X)已于去年 11 月开始量产。由于该工艺专注于人工智能等高性能计算(HPC)领域,预计将在三星代工业务的复苏中发挥关键作用。三星第一代 4 纳米于 2021 年量产。图源:三星电子据了解,与前几代相比,三星的第四代 4 纳米芯片采用了先进的后端连线(BEOL)技术,能够显著提升芯片的整体性能,同时降低制造成本。此外,该芯片还配备了高速晶体管,还支持 2.5D 和 3D 等下一代
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3月11日消息,美国贸易代表办公室将于当地时间11日,就中国大陆制造的成熟制程芯片(传统芯片)举行听证会。此举可能将会推动特朗普政府对来自中国大陆的传统芯片加征更多的关税。据媒体报道,中国社科院美国问题专家吕祥采访时表示,目前中国在存储芯片方面的产能和技术都在显著提高,美国试图限制中国的出口和产能发展,但中国生产的高性能芯片在全球市场具有很大优势,目前美国处于两难的局面。据了解,早在2024年12月23日,前拜登政府就宣布,要求美国贸易代表办公室发起301条款调查,以审查中国将传统半导体作为主导地位的目标
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芯片 工艺制程
3 月 10 日消息,科技媒体 9to5Mac 昨日(3 月 9 日)发布博文,报道认为苹果最新推出的 2025 款 11 英寸 iPad(A16)平板不仅提升了产品性能,还通过使用美国制造的芯片获得战略优势。位于美国亚利桑那州的台积电工厂美国于 2024 年开始试产 4 纳米芯片,台积电已在亚利桑那州 Fab 21 工厂第一期工程小规模生产 A16 芯片,虽然数量有限,但意义重大。消息称伴随着一期工程第二阶段完成,该工厂将大幅提升产能,预计 2025 年上半年达到目标产量。苹果没有计划让 2025 款
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3 月 10 日消息,联合新闻网今天(3 月 10 日)发布博文,报道称英伟达有望在 3 月 17~21 日举办的年度 GTC 大会上,宣布 GB300 AI 芯片。报道称该芯片能耗大幅提升,散热需求激增,将全面导入水冷技术,掀起“二次冷革命”。消息称英伟达为了解决 GB300 的散热需求,将弃用传统气冷方案,全面导入水冷技术,这不仅将推动水冷板和水冷快接头的用量激增,还标志着“二次冷革命”的到来。消息称 GB300 的水冷管线比 GB200 更多、更密集,快接头需求量因此大幅增加。台企双鸿、奇鋐以及水冷
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3 月 10 日消息,彭博社马克・古尔曼昨日(3 月 9 日)发布博文,认为苹果公司未来不会再推出 M4 Ultra 芯片,并透露了第 3 个原因。苹果公司于 3 月 5 日发布了 2025 款 Mac Studio,提供了 M4 Max 与 M3 Ultra 两种配置选项,这不免让人疑惑,苹果为何选择 M3 Ultra 而非 M4 Ultra?M3
Ultra 芯片配备高达 32 核的 CPU、80 核的 GPU、32 核的神经网络引擎,并支持最高 512GB 的统一内存。苹果表示,M3
Ult
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苹果 M4 Ultra 芯片
帮助智能边缘设备更可靠、更高效地连接、感知和推断数据的全球领先半导体产品和软件IP授权许可厂商Ceva公司近日宣布与Arm和SynaXG开展战略合作以提供定制先进5G增强版本 (5G-advanced)解决方案,为无线网络设备和卫星的5G NR处理带来无与伦比的能效。该解决方案也为无线基础设施市场的现有和新厂商提供了应对先进5G增强版本和迈向 6G 演进的低风险途径。 这款定制化的高度集成解决方案采用Arm® Neoverse™ N2 CPU、Ceva-PentaG-RAN平台和SynaXG的运
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Ceva Arm SynaXG 5G NR处理 LEO卫星 5G增强版本 无线基础设施
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