在特朗普政府缩减美国《芯片法案》并提升汽车关税后,Wolfspeed(欧胜)的新任首席执行官需要面临更为严峻的现金危机。作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,可惜备受汽车经济低迷和关税前景的打击陷入持续亏损中,现在公司转向提供AI数据中心电源以促进增长,不过该公司正在寻求第11章法规的债权保护。“作为我们贷方谈判的一部分,我们可能会选择在法庭内或庭外寻求选择,”两周前接任首席执行官的罗伯特·费尔 (Robert Feurle) 说。据报道,资产管理公
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CHIPS Wolfspeed SiC
在新能源汽车技术的演进历程中,碳化硅(SiC)技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料,SiC 凭借其卓越的性能优势,已深度融入新能源汽车的核心系统,开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。从高端豪华车型到大众普及款,从纯电动到混合动力,SiC 技术的应用范围不断拓展,正以前所未有的速度实现批量上车,重塑新能源汽车的技术格局与市场竞争态势。碳化硅实现多价格区间车型覆盖SiC 技术已成为车企在新能源汽车赛道上差异化竞争的核心要素,如今已广泛覆盖 10 万至 150 万元价格区间的车型
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SiC
TrendForce最新研究,2024年汽车、工业需求走弱,SiC基板出货量成长放缓,与此同时,市场竞争加剧,产品价格大幅下跌,导致2024年全球N-type(导电型)SiC基板产业营收年减9%,为10.4亿美元。进入2025年,即便SiC基板市场持续面临需求疲软、供给过剩的双重压力,然而,长期成长趋势依旧不变,随着成本逐渐下降、半导体元件技术不断提升,未来SiC应用将更为广泛,特别是在工业领域的多样化。 同时,市场竞争激烈的环境下,加速企业整合,重新塑造产业发展格局。TrendForce分析各供应商营收
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SiC 衬底 TrendForce
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG(以下简称“SMA”)在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台,旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示:“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
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罗姆 ROHM SiC MOSFET 功率模块 太阳能
Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率,而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ (750 V BDss) 和 2.3 mΩ (1200 V BDss) 的超低 R DS(ON),可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
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英飞凌 SiC JFET 固态配电
周二,英特尔通知各方,它正式将其用于台式机的盒装 Core Ultra 7 200 系列处理器的建议零售价 (SRP) 下调了约 100 美元。CPU 开发人员降低其产品的价格是很常见的,但像 Intel 这样的公司正式确认此类举措并不常见。但是,有一个小问题:由于我们正在处理 SRP,因此实际价格可能会有所不同。立即生效,英特尔的酷睿 Ultra 7 处理器 265K 的建议零售价为 299 美元(之前为 399 美元),而酷睿 Ultra 7 型号 265KF 的建议零售价为 284 美元(之前为 3
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英特尔 Core Ultra 7 台式机 CPU
ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」,这使得安装面积显著减少。
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SiC 功率器件 ROHM
4月22日下午,格力电器召开2025年第一次临时股东大会,相比过往历次股东大会都被安排在格力地产总部办公楼,本次股东大会首次被安排在格力电器珠海碳化硅芯片工厂举行。据悉,该工厂自2024年投产以来,其碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。SiC材料具有高耐压、高频率、高效率等优势,能够显著提升空调的能效。搭载SiC芯片后,空调的电能转换效率得到优化,制冷制热效果增强,实现能耗降低,同时可以提升产品性能、降低能耗,增强格力空调的市场竞争力。格力该工厂是全球第二座、亚洲首座全自动化6英寸碳化硅
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格力 家用空调 SiC
近日,清纯半导体和VBsemi(微碧半导体)分别推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET产品平台,标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日,清纯半导体官微宣布,推出第3代碳化硅(SiC)MOSFET技术平台,该平台首款主驱芯片(型号:S3M008120BK)的常温导通电阻低至8mΩ,比导通电阻系数Rsp达到2.1
mΩ·cm²,处于国际领先水平。source:清纯半导体(图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
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清纯半导体 微碧半导体 第3代 SiC MOSFET
碳化硅 (SiC) 正在接管电动汽车中的三相牵引逆变器,将电池中的直流电转换为用于控制电机的交流电。但是,由于 SiC 能够处理更高的电压、更好的散热和更快的开关频率,因此也适用于更紧凑的电动机中的三相逆变器。其中包括数据中心的电子换向 (EC) 冷却风扇,这些风扇消耗了更多的电力来运行 AI 训练和推理,并在此过程中产生了更多的热量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模块 (IPM),与 IGBT 相比,为这些冷却风扇带来了更高的功率密度和效率。1,200 V 模块基
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SiC 数据中心 冷却风扇 高密度电源 安森美
超强性能,精巧尺寸,适应各种空间限制重点摘要:● 三合一超强架构:搭载Intel® Core™ Ultra处理器,最高14核CPU+8核Xe GPU+集成NPU,AI算力与能效双优● 军工级紧凑设计:95mm×70mm迷你尺寸,板载64GB LPDDR5x内存(7467MT/s),支持-40°C至85°C宽温运行(特定型号)● 丰富工业级接口:集成16通道PCIe、2个SATA、2个2.5GbE网口及DDI/USB
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凌华智能 Intel Core Ultra COM-HPC Mini
如今所有东西都存储在云端,但云究竟在哪里?答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求,正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出,[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间,数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本,还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力,亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加,行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
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SiC MOSFET AI数据中心 电源转换能效
碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则,使系统级效率超越硅器件的实际限制,并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 (SiC) 的情况下,导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅,从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性,SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在,随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
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SiC
安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共栅场效应晶体管)在硬开关和软开关应用中有诸多优势,SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅(cascode)结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇,将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)相比其他竞争技术具有一些显著的优势,特别是在给定芯片面积下的低导通电阻(称为RDS.A)。为了实现最低的RDS.A,需要权衡的一点是其常开特性,这意味着如果没有栅源电压,或者JFET的栅
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cascode FET SiC
3月25日消息,中国人工智能初创公司DeepSeek悄然发布了一款新的大语言模型,在人工智能行业引发震动。这不仅因为其强大的能力,还因为其独特的发布方式。这个大小为641GB的模型名为DeepSeek-V3-0324,于周一悄然出现在人工智能资源库Hugging Face上,几乎没有任何官方公告,延续了该公司低调却影响深远的发布风格。此次发布尤其值得关注的是,该模型采用MIT许可(允许免费商用),并且有报道称它可以直接在消费者级“硬件”上运行,尤其是配备M3 Ultra芯片的苹果Mac Studio。人工
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新版 DeepSeek V3 人工智能 Hugging Face M3 Ultra AI
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