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ultra c sic 文章 最新资讯

安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对AI数据中心的电源产品组合

  • 安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这
  • 关键字： 安森美  碳化硅JFET  SiC JFET  数据中心电源   

安森美收购Qorvo旗下SiC JFET技术

  • 据安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。据悉，该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。安森美电源方案事业群总裁兼总经理
  • 关键字： 安森美  收购  Qorvo  SiC JFET  

碳化硅可靠性验证要点

  • 从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比，SiC的优异物理特性使基于SiC的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。由于SiC在市场上相对较新，一些工程师在尚未确定该技术可靠性水平之前，对从Si到SiC的转换犹豫不决。但是，等待本身也会带来风
  • 关键字： WBG  SiC  半导体  

光伏逆变器市场狂飙，全SiC模组会成为主流吗？

  • 随着清洁能源的快速增长，作为光伏系统心脏的太阳能逆变器俨然已经成为能源革命浪潮中的超级赛道。高效的光伏系统，离不开功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空间、可靠性等方面不同的优势，均在市场上有广泛应用。但随着SiC成本下降，全SiC方案被越来越多的厂家采用。未来10年，光伏逆变器市场狂飙目前，风能和太阳能的总发电量已经超过了水力发电。预计到2028年，清洁能源的比重将达到42%。中国市场增长势头强劲，已成为全球清洁能源增长的主要驱动力。光伏逆变器承载着将太阳能光伏组件产
  • 关键字： 功率模块  SiC  逆变器  

第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层

  • 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
  • 关键字： 三菱电机  SiC  栅极绝缘层  

第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入

  • 离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
  • 关键字： 三菱电机  SiC  

全球 33 家 SiC 制造商进展概览

  • SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
  • 关键字： SiC  功率器件  

意法半导体先进的电隔离栅极驱动器STGAP3S为IGBT和SiC MOSFET提供灵活的保护功能

  • 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
  • 关键字： 意法半导体  电隔离栅极驱动器  IGBT  SiC MOSFET  

东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
  • 关键字： 东芝  低导通电阻  牵引逆变器  SiC MOSFET  驱动逆变器  

小米SU7 Ultra高性能电动汽车开启预订

  • 小米已开始在中国接受SU7轿车的高性能版本SU7 Ultra的预订，起售价为814,900元（约合114,400美元）。据小米介绍，SU7 Ultra搭载了与小米SU7 Ultra原型车相同的三电机驱动系统和电池组。该车型的三电机系统最高输出功率可达1,548马力，峰值扭矩达1,770牛·米，使其百公里加速仅需1.98秒，最高时速可达350公里/小时。这款注重性能的跑车配备了碳陶瓷制动盘和高性能Akebono制动卡钳。为了减轻车身重量，车顶、后视镜外壳及侧裙饰件均采用碳纤维材质。SU7 Ultra的电池由
  • 关键字： 小米  SU7 Ultra  电动汽车  

小米 SU7 Ultra 量产版车型由于道路法规限制，前铲、尾翼部分设计较原型车做明显缩减

  • 11 月 5 日消息，小米汽车昨晚继续发布答网友问（第八十一集），此次对于 SU7 Ultra 量产版车型和原型车之间的设计差异作出解答。问答中提到，小米 SU7 Ultra 量产版车型由于道路法规限制，前铲、尾翼部分设计较原型车进行明显缩减。整理此次问答详情内容如下：小米 SU7 Ultra 中大量使用的 Alcantara 是什么，和翻毛皮、仿麂皮比有什么优势？Alcantara 是一种人工合成环保材料，主要应用于高性能豪华汽车品牌的内饰中。具有色泽丰富、柔软细腻、防滑耐磨、轻量化
  • 关键字： 小米  新能源汽车  SU7 Ultra  

瑞萨携手英特尔，为英特尔全新酷睿Ultra 200V系列处理器打造先进电源管理解决方案

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布与英特尔携手，推出一款电源管理解决方案，为搭载英特尔®全新酷睿™ Ultra 200V系列处理器的笔记本电脑实现最佳的电池效率。瑞萨同英特尔紧密合作，开发出创新的定制化电源管理芯片（PMIC），全面满足最新一代英特尔处理器的电源管理需求。这款先进且高度集成的PMIC，配合预稳压器和电池充电器，面向采用全新英特尔处理器的个人电脑提供一站式解决方案。这三款全新器件协同工作，为客户端笔记本电脑，特别是运行高功耗人工智能（AI）应用的笔记本电脑，提供了量身定制的高效电源解决
  • 关键字： 瑞萨  英特尔  Ultra 200V  电源管理  

英伟达将Blackwell Ultra产品更名为B300系列，预计2025年将推动CoWoS-L增长

  • 根据TrendForce集邦咨询最新调查，NVIDIA（英伟达）近期将其所有Blackwell Ultra产品更名为B300系列，预估明年将策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU产品，这将提升对先进封装技术的需求量。英伟达将原B200 Ultra更名为B300、GB200 Ultra更名为GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra则分别调整为B300A和GB300A。B300系列产品按原规划将于2025年第二季至第三季间开始出货。至于B200和GB200，预计将在
  • 关键字： 英伟达  Blackwell Ultra  B300  CoWoS-L  TrendForce  

业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

  • Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
  • 关键字： SiC MOSFET栅极保护  非对称瞬态抑制二极管  Littelfuse  

进击的中国碳化硅

  • 中国碳化硅厂商把价格打下来了。
  • 关键字： SiC  
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