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ultra c sic 文章 进入ultra c sic技术社区

UALink还是Ultra Ethernet,面向AI的数据中心协议

  • AI 和 HPC 数据中心中的计算节点越来越需要扩展到芯片或封装之外,以获取额外的资源来处理不断增长的工作负载。他们可能会征用机架中的其他节点(纵向扩展)或使用其他机架中的资源(横向扩展)。问题是目前没有开放的 Scale-up 协议。到目前为止,这项任务一直由专有协议主导,因为大部分最高性能的计算都是在大型数据中心使用定制芯片和架构完成的。虽然以太网在横向扩展方面很受欢迎,但对于 AI 和高性能计算工作负载来说,它并不理想。但两种新协议 UALink 和 Ultra Ethernet 旨在解决当前纵向扩
  • 关键字: UALink  Ultra Ethernet  AI  数据中心  

对苹果生态用户友好 小米SU7 Ultra支持iPhone互联、后排iPad上车

  • 3月14日消息,不仅是手机产品,小米在汽车领域也实现了与苹果生态的深度融合。日前,小米汽车发文称,小米SU7 Ultra全面支持苹果生态产品,如iPhone、iPad等,其搭载的小米澎湃智能座舱有非常丰富的生态拓展能力,对苹果生态用户非常友好。小米汽车还提到,目前有超过50%的小米汽车车主都是苹果用户。据了解,小米SU7 Ultra支持无线苹果CarPlay互联,车主可享受iPhone中的音乐、导航等功能。在CarPlay连接状态下,可以正常使用小爱同学,同时CarPlay也支持Siri语音唤醒。同时,小
  • 关键字: 小米汽车  苹果  SU7 Ultra  

苹果 M4 Ultra 芯片恐将永远缺席,三大原因揭秘

  • 3 月 10 日消息,彭博社马克・古尔曼昨日(3 月 9 日)发布博文,认为苹果公司未来不会再推出 M4 Ultra 芯片,并透露了第 3 个原因。苹果公司于 3 月 5 日发布了 2025 款 Mac Studio,提供了 M4 Max 与 M3 Ultra 两种配置选项,这不免让人疑惑,苹果为何选择 M3 Ultra 而非 M4 Ultra?M3 Ultra 芯片配备高达 32 核的 CPU、80 核的 GPU、32 核的神经网络引擎,并支持最高 512GB 的统一内存。苹果表示,M3 Ult
  • 关键字: 苹果  M4 Ultra  芯片  

小米ultra的52.99万元背后:当风口上的雷军最终变成造风者

  • 1987年,武汉大学计算机系的教室里,那个赤脚在寒冬机房编程的少年不会想到,三十八年后,他将在汽车工业史上刻下浓墨重彩的一笔。雷军用两年修完四年学分的狠劲,似乎早已预示着这个湖北小镇青年将用"极致效率"改写商业规则。从金山软件CEO到天使投资人,从智能手机到智能汽车,这位永远穿着牛仔裤的科技狂人,始终在用互联网思维解构传统行业。  2010年北京四月的一锅小米粥,酿成了中国手机行业的飓风,一具摧毁了在我国根深蒂固的“山寨机”市场;2021年宣布造车的孤注一掷,则让国
  • 关键字: 小米汽车  新能源汽车  小米su7 ultra  

第16讲:SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点,可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用,本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD(肖特基势垒二极管)是一种利用金属和半导体接触,在接触处形成势垒,具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下,而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的厚度成正比,因此为了提高耐压,必须增加器件的厚度。而
  • 关键字: 三菱电机  SiC  SBD  

东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,最新推出一款可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。该器件具备+6.8 A/–4.8 A的输出电流,采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。今日开始支持批量供货。在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中,当下桥臂[2]关闭时,米勒电流[1]可能会产生栅极电压,进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有,在栅极关闭时,对栅极施加负电压。对于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si
  • 关键字: 东芝  SiC MOSFET  栅极驱动  光电耦合器  

速看!SiC JFET并联设计白皮书完整版

  • 随着Al工作负载日趋复杂和高耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。在第一篇文章(SiC JFET并联难题大揭秘,这些挑战让工程师 “头秃”!https://www.eepw.com.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并联的五大难题,破解方法终于来了!https://www.eepw.com.cn/article/202503/467644.htm)中我们重点介绍了SiC JFET并联设计的挑战,本文将介绍演示和测试结果。演
  • 关键字: SiC  JFET  并联设计  

小米于2月27日发布SU7 Ultra,预计首年销量达1万辆

  • 意义:这款由中国汽车制造商小米汽车打造的SU7 Ultra,作为SU7轿车的高性能版本,旨在与保时捷Taycan和特斯拉Model S等车型竞争。展望:尽管SU7 Ultra并非是一款面向大众市场的车型,但它将帮助小米吸引高性能车爱好者以及豪华车买家走进其展厅。Source:Xiaomi小米汽车已于2月27日公布了SU7 Ultra的定价。这款由中国汽车制造商小米汽车打造的SU7 Ultra,作为SU7轿车的高性能版本,旨在与保时捷Taycan和特斯拉Model S等车型竞争。从一开始,小米就将SU7对标
  • 关键字: 小米  SU7 Ultra  

小米SU7 Ultra将首次亮相巴展

  • 3月2日晚,小米在西班牙巴塞罗那召开小米15系列全球发布会,小米15 Ultra全球同步发售,欧洲起售价1499欧元。小米15标准版也正式在海外市场发售,起售价为999欧元。此外,本次发布会还带来了小米澎湃OS2、小米平板7 Pro、小米Buds5 Pro、小米手表S4、小米电动滑板车5 Max等多款「人车家全生态」新品。小米集团合伙人、集团总裁卢伟冰在发布会上表示:“推动我们在高端市场的发展,比以往任何时候都更加重要。”小米宣布小米SU7 Ultra和小米15 Ultra将在3月3日同步亮相2
  • 关键字: 小米  小米15 Ultra  小米SU7 Ultra  MWC  

碳化硅与硅:为什么 SiC 是电力电子的未来

  • 在这里,我们比较了碳化硅 (SiC) 与硅以及在汽车和可再生能源等行业的电力电子中的应用。我们将探讨硅和碳化硅之间的显著差异,并了解 SiC 为何以及如何塑造电力电子的未来。硅 (Si) 到碳化硅 (SiC):改变电力电子的未来电力电子技术在过去几年中取得了前所未有的进步。硅 (Si) 等传统半导体材料一直主导着电力电子和可再生能源行业。然而,碳化硅 (SiC) 的出现彻底改变了这一领域,为卓越的性能和效率铺平了道路。无与伦比的效率、热性能和高压能力使碳化硅成为用于电子和半导体器件的下一代半导体材料。硅与
  • 关键字: 碳化硅  SiC  电力电子  

800V与碳化硅成为新能源汽车电驱的新宠,器件性能与可靠性还有上升空间

  • 1 我国能源汽车已突破1000万辆,今年将增长24%据赛迪顾问 2024 年 12 月发布的数据预测显示,我国新能源汽车的新车全球市占率有望稳居七成以上,我国从汽车大国迈向汽车强国的步伐更加坚实。据中国汽车工业协会的统计数据显示,2024年我国汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆,同比分别增长3.7%和4.5%,继续保持在3000万辆以上规模,产销总量连续16年稳居全球第一。其中,新能源汽车产销首次突破1000万辆,分别达到1288.8万辆和1286.6万辆,同比分别增长34.4%和35.5
  • 关键字: 电驱  碳化硅  SiC  新能源汽车  800V  

小米 SU7 Ultra 汽车开售 2 小时,大定过 1 万台

  • 2 月 28 日消息,小米汽车官方刚刚宣布,SU7 Ultra 开售 2 小时,大定过 1 万台,达成一个关键目标。今日早些时候,该车已官宣大定 10 分钟突破 6900 台。IT之家注意到,小米 SU7 Ultra 定金 20000 元,按 10000 台进行计算,定金约2 亿元。按照入门版 52.99 万元计算,10000 台新车最终销售额至少约52.99 亿元。小米 SU7 Ultra 目标成为地表最快的四门量产车,搭载小米超级三电机系统,标配赛道版散热系统、制动系统,纽北调校底盘系统,标准版就能直
  • 关键字: 小米   SU7 Ultra  电动汽车  国产汽车  

格力:SiC工厂整套环境设备均为自主制造

  • 自央视频官方获悉,格力电器董事长董明珠在纪录片中,再次回应外界对格力造芯片质疑,并谈到了格力建设的芯片工厂,直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示,造芯片不是格力电器孤勇地冒险,是作为中国制造企业的责任与担当。格力做了亚洲第一座全自动化的碳化硅工厂,整个芯片的制造过程是自己完成的。而在芯片工厂制造的过程中,格力解决了一个最大的问题。“传统的芯片工厂用的环境设备都是进口的,比如恒温状态,而这正好是格力强项。所以我们自主制造了整套系统的环境设备,要比传统的降温模式更节能,而这可以降低企业的成本。”董明珠也
  • 关键字: 格力电器  SiC  芯片工厂  

从硅到碳化硅过渡,碳化硅Cascode JFET 为何能成为破局者?

  • 电力电子器件高度依赖于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择,但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅,碳化硅具备多项技术优势(图1),这使其在电动汽车、数据中心,以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角,成为众多应用中的新兴首选技术。图1:硅器件(Si)与碳化硅(SiC)器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术?众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术,基于双极结型晶体管(B
  • 关键字: SiC  Cascode  JFET  AC-DC  

英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:开始交付首批产品

  • ●   英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅(SiC)晶圆制造技术的SiC产品●   这些产品在奥地利菲拉赫生产,为高压应用领域提供一流的SiC功率技术●   200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  SiC  200mm碳化硅  
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