- DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要考虑一些基本的设计决策。关键因素包括半导体技术，设备类型，热包装，设备坚固性以及在电路中断期间管理电感能量。本文讨论了选择功率半导体技术的设计注意事项，并为高压，高电流电池断开开关定义了半导体包装，以及表征系统寄生电感和过度流动保护限制的重要性。 宽带半导体技术的优势需要仔细考虑以选择的半导体材料以实现具有的状态阻力，的离状态泄漏电流，
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SIC 电池断开开关
- 得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需要考虑几项基本的设计决策。其中关键因素包括半导体技术、器件类型、热封装、器件耐用性以及电路中断期间的感应能量管理。在本文中，我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。宽带隙半导体技术的优势在选择最佳半导体材料时，应考虑多项特性。目标是打造兼具最
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SiC 高电压电池 断开开关
- / 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。引 言作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体
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英飞凌 GaN SiC 电气工程师
- 安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这
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安森美 碳化硅JFET SiC JFET 数据中心电源
- 据安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。据悉，该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。安森美电源方案事业群总裁兼总经理
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安森美 收购 Qorvo SiC JFET
- 从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比，SiC的优异物理特性使基于SiC的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。由于SiC在市场上相对较新，一些工程师在尚未确定该技术可靠性水平之前，对从Si到SiC的转换犹豫不决。但是，等待本身也会带来风
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WBG SiC 半导体
- 随着清洁能源的快速增长，作为光伏系统心脏的太阳能逆变器俨然已经成为能源革命浪潮中的超级赛道。高效的光伏系统，离不开功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空间、可靠性等方面不同的优势，均在市场上有广泛应用。但随着SiC成本下降，全SiC方案被越来越多的厂家采用。未来10年，光伏逆变器市场狂飙目前，风能和太阳能的总发电量已经超过了水力发电。预计到2028年，清洁能源的比重将达到42%。中国市场增长势头强劲，已成为全球清洁能源增长的主要驱动力。光伏逆变器承载着将太阳能光伏组件产
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功率模块 SiC 逆变器
- 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
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三菱电机 SiC 栅极绝缘层
- 离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
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- SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
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SiC 功率器件
- 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
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意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
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东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
- 小米已开始在中国接受SU7轿车的高性能版本SU7 Ultra的预订，起售价为814,900元（约合114,400美元）。据小米介绍，SU7 Ultra搭载了与小米SU7 Ultra原型车相同的三电机驱动系统和电池组。该车型的三电机系统最高输出功率可达1,548马力，峰值扭矩达1,770牛·米，使其百公里加速仅需1.98秒，最高时速可达350公里/小时。这款注重性能的跑车配备了碳陶瓷制动盘和高性能Akebono制动卡钳。为了减轻车身重量，车顶、后视镜外壳及侧裙饰件均采用碳纤维材质。SU7 Ultra的电池由
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小米 SU7 Ultra 电动汽车
- 11 月 5 日消息，小米汽车昨晚继续发布答网友问（第八十一集），此次对于 SU7 Ultra 量产版车型和原型车之间的设计差异作出解答。问答中提到，小米 SU7 Ultra 量产版车型由于道路法规限制，前铲、尾翼部分设计较原型车进行明显缩减。整理此次问答详情内容如下：小米 SU7 Ultra 中大量使用的 Alcantara 是什么，和翻毛皮、仿麂皮比有什么优势？Alcantara 是一种人工合成环保材料，主要应用于高性能豪华汽车品牌的内饰中。具有色泽丰富、柔软细腻、防滑耐磨、轻量化
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小米 新能源汽车 SU7 Ultra
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布与英特尔携手，推出一款电源管理解决方案，为搭载英特尔®全新酷睿™ Ultra 200V系列处理器的笔记本电脑实现最佳的电池效率。瑞萨同英特尔紧密合作，开发出创新的定制化电源管理芯片（PMIC），全面满足最新一代英特尔处理器的电源管理需求。这款先进且高度集成的PMIC，配合预稳压器和电池充电器，面向采用全新英特尔处理器的个人电脑提供一站式解决方案。这三款全新器件协同工作，为客户端笔记本电脑，特别是运行高功耗人工智能（AI）应用的笔记本电脑，提供了量身定制的高效电源解决
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瑞萨 英特尔 Ultra 200V 电源管理
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