据外媒报道，在月初举行全球开发者大会，推出各大产品线新的操作系统及传闻已久的MR头显Vision Pro之后，外界对苹果的关注就将转向秋季的新品发布会，以及将推出的iPhone、iPad、Apple Watch等新品上。对于将推出的Apple Watch，有外媒在最新的报道中称苹果将推出3款。援引一名资深记者透露的消息，报道苹果在秋季将推出3款新Apple Watch，其中两款是Apple Watch Series 9，另一款则是Apple Watch Ultra。代号分别为N207、N208和N210，
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苹果 Apple Watch Ultra
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP517
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安森美 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器
近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶盛机电已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产；天科合达计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产，同时该公司在5月与半导体大厂英飞凌签订碳化硅长期供应协议。近期，科友半导体传来了新消息。6月22日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度
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8英寸 SiC 科友半导体
最近，碳化硅 (SiC) 及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注，但同时也引发了一些误解。本文旨在澄清这些误解，让工程师们在未来放心地使用 SiC器件。应用围绕SiC 产生的一些疑虑与其应用范围相关。例如，一些设计人员认为SiC MOSFET 应该用来替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品应该是氮化镓 (GaN) 器件。然而，额定电压为650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品质因数很有竞争力，反向恢复电荷也非常小。因此，在图腾柱功率因数校正 (TPPFC) 或同
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202306 SiC
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。 之所以能达成此次合作，是因为双方已于2020年建立了“电动汽车电力电子技术开发合作伙伴关系”，并基于合作伙伴关系进行了密切的技术合作，开展了适用于电动汽车的SiC功率元器件和采用SiC芯
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罗姆 纬湃 SiC
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体
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SiC 肖特基二极管
如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步，但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物
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SiC
2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块，成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明，在相同功率等级下，SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块，并且开关损耗降低了 75％。换算下来，采用 SiC 模块替代 IGBT 模块，其系统效率可以提高 5％左右。一场特斯拉的大风，引燃了 SiC。然而，就在刚刚过去的 3 月份，特斯拉却突然宣布，下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%，因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
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SiC
“现在的新车，只要能用碳化硅的地方，便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体（ST）曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下，在全球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日，科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周
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第三代半导体 SiC GaN
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此，为了构建下一代牵引逆变器系统，业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。图 1 所示的隔离式栅极驱动器集成电路 (IC) 提供从低电压到高电压（输入到输出）的电隔离，驱动逆变器每相的高边和低边功率模块，并监测和保护逆变器免受各种故障的影响。根据汽车安全完整性等级 (ASIL) 功能安全要求，栅极驱
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SiC 牵引逆变器
· 纬湃科技正在锁定价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产能· 纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的产能投资，获得这一关键的半导体技术，以实现电气化的强劲增长· 除了产能投资外，两家公司还将在进一步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年
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纬湃 安森美 碳化硅 SiC
中国北京，2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案，满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行，并能够无缝集成到示波器测量系统
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泰克 示波器 双脉冲测试 SiC GaN
2020 年初，疫情期间的封锁政策并未对电动汽车行业造成太大影响。2021 年，由于疫情期间人们对电动汽车的需求上升，再加上全球各国政府纷纷采取激励措施，电动汽车充电站的需求量开始增加。在过去的三年里，电动车领导品牌的销量纷纷呈现巨幅成长的趋势。 低成本、低排放汽车的不断发展，将推动整个亚太地区的电动汽车市场实现稳步扩张。同时，不断加码的政府激励措施和持续扩张的高性能车市场也推动着北美和欧洲地区电动汽车市场的快速增长。因此，根据MarketsandMarkets 市调数据估计，全球电动汽车市场规模将从 2
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车用 电能转换 车电领域 IGBT SiC 功率模块
“引言”近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业，诸如提高效率、降低成本和增强便携性（即，缩小尺寸并减轻重量）等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如，多
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增强互连封装技术 SiC MOSFET单管 焊机
IT之家 5 月 18 日消息，安森美半导体表示将投资 20 亿美元，用于扩展现有工厂，目标在全球汽车碳化硅（SiC）芯片市场中，占据 40% 的份额。安森美半导体目前在安森美半导体美国、捷克共和国和韩国都设有工厂，其中韩国工厂已经在生产 SiC 芯片了。报道中并未提及安森美半导体具体会扩建哪家工厂，安森美半导体计划构建完整产业链，实现从 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半导体预估到 2027 年占领全球碳化硅汽车芯片市场 40% 的份额。专家还表示到 2027 年，安森美半导体的销售
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汽车电子 安森美 SiC
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