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ultra c sic 文章 进入ultra c sic技术社区

2023年，SiC衬底出货量将劲增22%

  • 2023 年 SiC 衬底市场将持续强劲增长。
  • 关键字： SiC  

意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流，集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示，以及过流保护、热关断等保护功能。扩
  • 关键字： 意法半导体  隔离式降压转换器  功率转换  IGBT  SiC  GaN  晶体管栅极驱动  

骁龙支持Android 14全新Ultra HDR格式照片拍摄

  • 在2023年Google I/O大会上，Android为照片拍摄引入了一个新的图像格式——Ultra HDR。Android 14中将支持该照片格式，这一格式能够以向后兼容的JPEG格式拍摄照片，同时提供超过8-bit的动态范围，使摄像头捕捉的照片在亮部和暗部包含更多令人惊叹的细节。 Ultra HDR将在顶级Android终端上大幅提高照片质量，为用户拍摄和分享的照片带来10-bit HDR体验。我们很高兴与高通技术公司合作，充分利用高通先进的18-bit ISP功能，为骁龙移动平台带来Ult
  • 关键字： 骁龙  Android 14  Ultra HDR格式  照片拍摄  

相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？

  • 随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势，因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行，同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低，需要管理的热耗散较少，还有利于使
  • 关键字： 安森美  IGBT  SiC  

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

  • 碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。优秀的器件应该允许一定的设计自由度，以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而，关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻，并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的几个标准，或许还
  • 关键字： 英飞凌  SiC  MOSFET  

德国博世收购美国TSI，全球半导体领域再添并购案

  • 据国外媒体报道，德国博世集团于本周三表示，将收购美国芯片制造商TSI半导体公司的资产，以扩大其碳化硅芯片（SiC）的半导体业务。目前，博世和TSI公司已经达成协议，但并未透露此次收购的具体细节，且这项收购还需要得到监管部门的批准。资料显示，TSI是专用集成电路 (ASIC) 的代工厂。目前，主要开发和生产200毫米硅晶圆上的大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学等行业的应用。而博世在半导体领域的生产时间已超过60年，在全球范围内投资了数十亿欧元，特别是在德国罗伊特林根和德累斯顿的水厂。博世认为，此次收购
  • 关键字： 博世  TSI  半导体  SiC  

功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考

  • 4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼，以应对人员的增加。此外，今年2月下旬，日经亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息，东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外
  • 关键字： 功率半导体  IGBT  MOSFET  SIC  

优化SiC MOSFET的栅极驱动

  • 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
  • 关键字： SiC MOSFET  栅极驱动  安森美  

SiC并购战：谁是顶级收购者？

  • 第三代半导体「愈演愈烈」。
  • 关键字： SiC  功率器件  

适用于运输领域的SiC：设计入门

  • 简介在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。 为什么使用宽带隙（WBG）材料？对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流
  • 关键字： SiC  Microchip  

携光前行，第二代骁龙8助力Xiaomi 13 Ultra打造顶级影像旗舰

  • 4月18日，小米推出全新旗舰影像Xiaomi 13 Ultra。搭载第二代骁龙8移动平台的Xiaomi 13 Ultra，采用徕卡与小米共同打造的徕卡 Summicron 镜头，带来强悍的影像性能，造就小米有史以来最出色的影像旗舰。 作为Xiaomi 13 Ultra旗舰性能的基础，第二代骁龙8采用先进的4nm工艺制程和全新CPU架构设计，带来卓越的性能表现。其中，全新Kryo CPU采用Cortex-X3超级内核，与前代平台相比，带来高达35%的性能提升和高达40%的能效提升。同时，Adren
  • 关键字： 骁龙8  Xiaomi 13 Ultra  顶级影  

功率半导体市场需求攀升，盛美上海首获Ultra C SiC衬底清洗设备采购订单

  • 今日，盛美上海宣布，首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出，该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第三季度末发货。当前，以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为主的第三代半导体迅速发挥发展，其中整体产值又以碳化硅占80%为重。据悉，碳化硅衬底用于功率半导体制造，而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热，以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加
  • 关键字： 功率半导体  盛美上海  Ultra C SiC  衬底清洗  

连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案

  • ３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世，化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实，但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒，Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者，Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
  • 关键字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

SiC功率半导体市场分析；厂商谈IGBT大缺货

  • 根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源2全球车用MCU市场规模预估2022年全球车用MCU市场规模达82
  • 关键字： SiC  功率半导体  IGBT  美光  

GaN 出击

  • 自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
  • 关键字： GaN  SiC  
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