传统上，一直用高效率开关稳压器给这类器件供电，但是开关稳压器可能有潜在的噪声干扰问题以及瞬态响应和布局限制。因此， 低压差(LDO)线性稳压器在这类应用以及其他低压转换系统中开始受到关注。本文通过介绍LDO和其他稳压器面临的挑战以及凌力尔特公司的LT306x 系列稳压器，说明了在新的电路设计方法和改进的芯片制造工艺下LDO的特点以及应用前景。
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LDO 线性稳压器 IC 负载 201610
美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体，包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。
Crucial SSD的售价为200美元，这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的
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美光 3D NAND
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对
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3D NAND
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International R
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LED 驱动 IR IC
最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高，许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中，又以三星电子率先在这场竞争中获益最多，取得领先地位。
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3D NAND 三星
存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
如何准确判断电路中集成电路IC的是否工作，是好是坏是修理电视、音响、录像设备的一个重要内容，判断不准，往往花大力气换上新集成电路而故障依然存在，所以要对集成电路作出正确判断。
1、首先要掌握该电路中IC的用途、内部结构原理、主要电特性等，必要时还要分析内部电原理图。除了这些，如果再有各引脚对地直流电压、波形、对地正反向直流电阻值，那么，对检查前判断提供了更有利条件;
2、然后按故障现象判断其部位，再按部位查找故障元件。有时需要多种判断方法去证明该器件是否确属损坏。
3、一般对电路中I
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IC 集成电路
社会高度关注政客民意调查的“死亡交叉”，却少有人注意到另一个死亡交叉的出现，台湾IC设计产业的营收在今年已被大陆超越。蔡政府迫于情势，近日传出有意“默许”业者转经第三地赴大陆投资。
台IC设计产值 被陆超越
IC设计绕过审查登陆 蔡默许不管
我们认为，政府这种思维与作法只能以“一错再错”名之，先错估产业发展趋势与需求，强硬阻挡两岸IC设计产业合作，确定情势不利后，竟不肯“开大门，走大道”，
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IC 晶圆
美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市，紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品，这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)标准之产品。
美光移动事业行销副总Gino Skulick在接受EE Times专访表示，美光为移动装置所推出的首款3D NAND为32GB产品，锁定中、高阶智能型手机市场，此区块市场占全球智能型手机总数的50%。
而这也是业界首款采用浮动闸极(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。
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3D NAND 存储器
产业发展需要扶植巨头，因为他们不仅拥有人才管理、企业运营经验，也拥有全球领先的管理制度和激励制度，自主OS要崛起没有捷径可走。
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IC OS
目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝杀入敌营，如今美光也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，3D NAND flash大战即将开打!
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美光 3D NAND
据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。
市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。
清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面
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三星 3D NAND
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴，分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating)，由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求，TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程，称之为中段，可由晶圆厂或封测 [
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