自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠 存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠
TrendForce指出，随着AI服务器持续布建，高带宽内存（HBM）市场处高成长阶段，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待下一代HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI服务器，在GPU算力与内存容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
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HBM DRAM TrendForce
三星电子今日宣布，已成功开发出其首款24Gb GDDR7[1] DRAM（第七代图形双倍数据传输率存储器）。GDDR7具备非常高的容量和极快的速率，这使得它成为众多下一代应用程序的理想选择之一。三星半导体24Gb GDDR7 DRAM凭借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，例如数据中心和人工智能工作站，这将进一步扩展图形 DRAM 在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的应用范围。三星电子存储器产品企划团队执行副总裁裴永哲（Bae YongCh
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三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能计算
台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
根据TrendForce最新调查，消费型电子需求未如预期回温，中国大陆地区的智能型手机，出现整机库存过高的情形，笔电也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场持续萎缩。此一现象，导致以消费型产品为主的内存现货价走弱，第二季价格较第一季下跌超过30％。尽管现货价至8月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价可能的未来走向。TrendForce表示，2024年第二季模块厂在消费类NAND Flash零售通路的出货量，已大幅年减40％，反映出全球消费性内存市场正遭遇严峻挑战。内存产业虽一向受周期因素影响，但202
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TrendForce 内存 DRAM
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c
DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10纳米级 DDR5 DRAM
根据TrendForce集邦咨询调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM（内存）产业营收达229亿美元，季增24.8%。价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional
DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。观察Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出货表现，均较前一季有所增加，平均销售单价方面，三大厂延续第一季合约价上涨情势，加上台湾地区四月初地震影响，以及HBM
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DRAM TrendForce 集邦咨询
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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imec High-NA EUV DRAM
8月7日消息，随着移动设备功能的不断增强，对内存性能和容量的要求也日益提高。据外媒gsmarena报道，三星电子近日宣布，公司推出了业界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。这款12纳米级别的芯片拥有12GB和16GB两种封装选项，专为低功耗RAM市场设计，主要面向具备设备端AI能力的智能手机。gsmarena这款新型芯片的厚度仅为0.65毫米，比上一代产品薄了9%。三星估计，这一改进将使其散热性能提高21.2%。gsmarena三星通过优化印刷电路板（PCB）和环氧树脂封装技术，将LPDDR5X的厚度
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三星 手机芯片 LPDDR5X DRAM
近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。 据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其
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HBM DRAM 美光
圆满收官！紫光国芯慕尼黑上海电子展2024展现科技创新实力2024年7月8日至10日，西安紫光国芯半导体股份有限公司（简称：紫光国芯，证券代码：874451）精彩亮相慕尼黑上海电子展。紫光国芯聚焦人工智能、高性能计算、汽车电子、工业控制、消费电子等重点领域，为客户提供全方面的存储产品及相关技术解决方案。展会现场重点展示了DRAM存储系列产品、SeDRAM®技术和CXL技术、新品牌云彣（UniWhen®）和SSD产品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD产品系列DRAM KGD展区首次展示了紫
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紫光国芯 慕尼黑电子展 DRAM SeDRAM CXL
近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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铠侠 3D NAND堆叠
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于通用型服务器(general server)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬。DRAM价格涨幅达8~13%，其中Conventional DRAM涨幅为5-10%，较第二季涨幅略有收缩。TrendForce集邦咨询指出，第二季买方补库存意愿渐趋保守，供应商及买方端的库存水平未有显著变化。观察第三季，智能手机及CSPs仍具补库存的空间，且将进入生产旺季，因此预计智能手机
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服务器 DRAM TrendForce
6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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SK海力士 3D DRAM
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