2024年第一季DRAM产业，受到主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1％，达183.5亿美元，推动多数业者营收呈季增趋势。TrendForce指出，第一季三大原厂出货皆季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平垫高，采购量明显衰退。三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，涨价意图强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而consumer DRAM的原厂库存仍待去化，拖累价格涨幅居所有应用之
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存储器 DRAM TrendForce
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。出货表现上，第一季三大原厂皆出现季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平已垫高，采购量明显减弱。平均销售单价方面，三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，故涨价意愿强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动Mobile
DRAM的价格涨幅领先所有应用，而Co
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淡季效应 DRAM TrendForce 集邦咨询
IT之家 5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
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南亚科技 内存 DRAM
据日媒报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工，并安装极紫外光刻（EUV）设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称，此前，日本政府已批准多达1920亿日圆补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
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美光 DRAM 日本 EUV
三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1be
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HBM DRAM TrendForce
IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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三星 SK海力士 内存 DRAM HBM
IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
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海力士 三星 DRAM
据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND
Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
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DRAM NAND Flash TrendForce
根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional
DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
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HBM DRAM TrendForce
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示，若理事会批准该计划，三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设，目标是在2025年11月完工，并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加，新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。（图源：SK海力士官网）SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称，M15X将成
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光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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