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3d x-dram 文章 最新资讯

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案，该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU，主频达到 150MHz，拥有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多个 Timer，多路 PWM，多种通信接口，支持 16 位的 ADC，资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机，支持 5 轴电机控制，支
  • 关键字： 3D 打印机  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

  • 今年 Q3，存储产品价格有望迎来拐点。
  • 关键字： DRAM  NAND  

三星电子 DRAM 内存和代工部门业绩低迷，负责人双双被换

  • IT之家 7 月 5 日消息，据多个韩国媒体报道，三星电子昨日突然在非常规人事季更换了代工（DS）部门和 DRAM 部门负责人，被解读为“弥补今年上半年存储半导体表现低迷、强化代工业务的手段”。首先，三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰（Jegae Jeong）被任命为事业部最高技术负责人（CTO），而他的继任者则是 Jahun Koo。与此同时，负责存储半导体中 DRAM 开发的部门负责人也被更换，由原本担任战略营销部门副社长的黄相俊（Hwang Sang-jun）接管，被业界解读为对 HB
  • 关键字： 三星  DRAM  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国（上海）机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字： Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

DRAM大厂：Q3产品价格可望回稳？

  • 6月5日，DRAM大厂南亚科公布2023年5月自结合并营收为新台币23.09亿元，月增加2.17%、年减少62.74%，仍创下今年新高水准。累计前5月合并营收为新台币109.94亿元，年减少66.42%。据中国台湾媒体《中时新闻网》引述南亚科总经理提到，DRAM市况预期第三季产品价格可望回稳。南亚科总经理认为，以今年整体状况而言，DRAM需求成长率可能低于长期平均值，但DRAM是电子产品智能化的关键元件，未来各种消费型智能电子产品的推陈出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工厂、智能汽车、智能家庭、智能穿戴
  • 关键字： DRAM  TrendForce  

韩媒：三星已组建开发团队，以量产4F2结构DRAM

  • 5月26日，韩国媒体The Elec引用知情人士消息称，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2结构DRAM。4F2结构DRAM能够大大提高DRAM的存储密度，方便研究团队克服DRAM线宽缩减的极限，增加DRAM制造的效率。报道称，如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功，在不改变节点的情况下，与现有的6F2 DRAM存储单元结构相比，芯片DIE面积可以减少30%左右。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术，据说工艺难点颇多。不过三星认为，与SK海力士和美
  • 关键字： 三星  4F2结构  DRAM  

不改变工艺让芯片面积减少 30%，三星组建团队开发 4F² DRAM

  • IT之家 5 月 26 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星组建了一支专业的团队，负责开发 4F² DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F² 级别，在不改变工艺节点的情况下，芯片面积最高可减少 30%。4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。三星组建了专业的团队，研发 4F² 结构。IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。在漏极（D）上方安装一个
  • 关键字： 三星  DRAM  

DRAM一季营收环比下降21.2%，连续三个季度衰退

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示，今年第一季DRAM产业营收约96.6亿美元，环比下降21.2%，已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升，其余均衰退；平均销售单价三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善，价格依旧续跌，然而在原厂陆续减产后，DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收敛。展望第二季，虽出货量增加，但因价格跌幅仍深，预期营收成长幅度有限。营收方面，三大原厂营收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新机备货订单有限，出货量与平均销售单价（ASP）同步下跌，营收约41.7亿美元，环比下降24.7%。
  • 关键字： DRAM  TrendForce  

需求好转？两家存储厂商部分应用领域出现急单

  • 受消费电子市场需求疲弱影响，存储产业2022年下半年以来持续“过冬”，加上今年一季度为市场淡季，供过于求关系下，产业库存高企。第二季度存储产业市况如何？未来是否将有所好转？近期，南亚科、华邦电两家存储厂商对此进行了回应。南亚科：库存逐步去化，部分应用领域已出现急单近期，媒体报道，DRAM厂商南亚科表示，今年一季度是产业库存高点，在需求与供应端改善下，库存正逐步去化，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。为满足市场应用需求趋势，南亚科持续开发高速与低功耗产品，在技术推进上，20纳米产品
  • 关键字： 存储厂商  DRAM  

存储进入筑底阶段？

  • 伴随存储芯片价格筑底，关于半导体周期拐点将临近的讨论越来越热。
  • 关键字： 存储芯片  DRAM  

三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产

  • 今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5 DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代
  • 关键字： 三星电子  12纳米  DDR5  DRAM  

功耗降低 23%、量产率提高 20%，三星开始量产 12 纳米 DDR5 DRAM

  • IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布开发 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM。存储芯片行业当前正处于低谷期，三星通过量产 12nm 的 DRAM，希望进一步巩固其在该领域的领先地位。IT之家从三星新闻稿中获悉，与上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圆生产率提高了 20%，这意味着芯片尺寸比上一代更小，单个晶圆可以多生产 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗将使服务器和数据中
  • 关键字： 三星  DDR5  DRAM  

三星电子研发出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

  • 三星电子今日宣布，研发出其首款支持Compute Express Link™（CXL™）2.0的128GB DRAM。同时，三星与英特尔密切合作，在英特尔®至强®平台上取得了具有里程碑意义的进展。继2022年五月，三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（内存扩展器）后，又继续推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高达每秒35GB的带宽。可扩展内存（Memory Expander）“作
  • 关键字： 三星电子  CXL 2.0  CXL  DRAM   

DRAM迎来3D时代？

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
  • 关键字： 3D NAND  
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3d x-dram介绍

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