三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预
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美光 EUV DRAM
根据TrendForce调查，第三季PC DRAM合约价格的议定大致完成，受惠于DRAM供货商的库存量偏低以及旺季效应，本季合约价调涨3~8%，但相较第二季25%的涨幅已大幅收敛。然约自七月初起，DRAM现货市场已提前出现PC DRAM需求疲弱的态势。卖方积极调节手上库存，持续降价求售。合约市场方面，先前PC OEMs因担忧长短料问题而大量备料，使DRAM库存已达高水位，库存迭高问题成为涨价的阻力，再加上欧美逐步解封可能使笔电需求降低，进而拉低PC DRAM的总需求量。因此，预估PC DRAM合约价于第四
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TrendForce PC DRAM
三星电子昨天公布了其2021年第二季度的收益。该公司整体表现良好，其内存业务也不例外。该公司预计该部门将持续增长，尤其是针对高端服务器和高性能计算（HPC）市场的DRAM产品。这就是为什么三星一直在推动其用于此类用途的高密度内存模块，该公司最近发布了业界首个512GB DDR5 DRAM模块，从任何角度看都是一个真正的高容量解决方案。 但事实证明，这家韩国巨头可能还不满足，因为它计划在不久的将来的某个时候更进一步，生产768GB DDR5模块，也就是使用24Gb DRAM芯片。这可以从该公司的财报电
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三星 内存 DRAM DDR5
SK海力士公司在7月12日表示，本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外（EUV）工艺，这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法，比起前一代规格的产品，第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%，成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商，并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明，正式启用EUV光刻机闪存内存芯片，批量生产采用
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EUV DRAM
SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR”
为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering
Council，简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。 图1.
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SK海力士 10纳米 DRAM
AMD展示了最新的运算与绘图技术创新成果，以加速推动高效能运算产业体系的发展，涵盖游戏、PC以及数据中心。AMD总裁暨执行长苏姿丰博士发表AMD在高效能运算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技术；与业界领导厂商特斯拉和三星合作，扩大了AMD运算与绘图技术在汽车与手机市场的应用；新款AMD Ryzen处理器瞄准狂热级玩家与消费性PC；最新AMD第3代EPYC处理器所带来领先的数据中心效能；以及为游戏玩家提供的一系列全新AMD绘图技术。 AMD总裁暨执行长苏姿丰展示AMD全新3D chi
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AMD 3D chiplet Ryzen
近日，在一年一度的COMPUTEX 2021线上主题演讲中，美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra代表美光发布多项产品创新，涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品，并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些创新产品和创新技术体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景，从而助力数据中心和智能边缘的创新，突出了内存和存储在帮助企业充分发挥数据经济潜能方面的核心作用。在新的数据经济背后，有一
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美光 176层NAND 1α DRAM
3D Xpoint技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术。据悉，3D Xpoint的延迟速度仅以纳秒计算，比NAND闪存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近处理器的位置存储更多的数据成为可能，可填补DRAM和NAND闪存之间的存储空白。
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3D XPoint 美光 英特尔
2021 年1 月，美光科技宣布批量出货基于1α(1-alpha) 节点的DRAM产品，是目前世界上最为先进的DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。为此，《电子产品世界》记者采访了公司DRAM 制程集成副总裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran1 1α节点技术1α 节点DRAM 相当于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指内存阵列激活区半间距）在(10~19) nm之间。要做到这一点，需要大幅缩小位线和字线间距——可以说是收缩
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202104 DRAM
作为传感器领域风头最劲的企业，ams（艾迈斯半导体）通过技术积累和持续的并购战略逐渐成为各类传感器领域的领导者，特别是经过收购欧司朗之后，进一步实现了公司业务规模的扩大和业务领域的平衡，使得ams在各个核心领域上都有非常好的市场地位。 经过对欧司朗的收购之后，ams聚焦在三大核心技术领域，主要包括传感、照明（光源）以及可视化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中华区销售和市场高级副总裁陈平路表示，随着5G时代带来的技术和产业的革新非常看好iToF、
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ams ArcSoft 3D dToF 安卓手机
近日，美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会，该公司举办了线上媒体沟通会，执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测，以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年，全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测，半导体产业预计增长可达12%，整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中，内存与存储预计增长可达19%，增度远超整
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DRAM NAND
存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND
Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称，预期今
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美光科技 DRAM NAND
作为全球工业机器视觉领域的领导者之一，康耐视公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式视觉系统。这是一款采用3D激光位移技术的创新型智能相机，能帮助用户快速、准确且经济高效地解决自动化生产线上的一系列检测应用难题。“一直以来，3D检测系统对于大多数用户来说面临两个问题：产品操作复杂、使用成本昂贵，”康耐视3D事业部经理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000视觉系统很好的解决了这两个痛点，其提供了大量的3D视觉工具套件，使3D检测能够像行业先进的In-
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In-Sight 3D-L4000视觉系统 嵌入式视觉系统 3D图像处理 无斑点蓝色激光光学元件 3D视觉工具
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 闪存 SSD
IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11
月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176
层存储单元堆叠。新的
176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128
层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特
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美光 3D NAND
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