3d x-dram 文章 进入3d x-dram技术社区

受华为断供影响，DRAM 十月份价格暴跌 9％

• 11月1日消息 据韩媒 The Lec 今日报道，今年十月份，DRAM 和 NAND 价格遭遇集体暴跌。分析师认为，这是由于美国对华为的制裁所致，这加剧了存储芯片市场价格的下跌。据市场研究公司 DRAM Exchange 上个月 30 日的统计，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易价格为 2.85 美元，相比 9 月份的交易价格下降 8.9%。这与八月和九月连续第二个月保持平稳的情况形成了对比，就 NAND 闪存而言，128GB 存储卡和用于 USB 的多层单元存储（MLC）
• 关键字： 内存  DRAM  

完全涨不动：内存价格继续触底

• 根据IC Insights的分析报告，DRAM内存芯片在今年底之前将继续呈现下滑态势。简单回顾下，内存跌价大致是从2018下半年开始，2019年12月均价一度跌至3.9美元。尽管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家办公、远程学习等推动了PC等设备的需求增长，内存价格有所小幅反弹，但持续的时间并不长。6月份DRAM均价是3.7美元，7、8月份则在3.51美元处徘徊。通常来说，三四季度是DRAM价格大幅飙升的旺季，可今年的情况大家都懂，无论是厂商还是个人消费者，其季节性的购买行为也被扰乱了。另外，尽管5G智能
• 关键字： 内存  DRAM  

SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

• SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品，尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。         图1. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM          图2. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
• 关键字： SK海力士  DDR5  DRAM  

"烂尾”的格芯成都厂终于有人接盘了？将转产DRAM内存芯片？

• 搁浅2年多的成都格芯厂，在今年5月正式宣布停业4个多月之后，终于迎来了接盘者————成都高真科技有限公司（以下简称“高真科技”），并有望转产DRAM内存芯片。根据企查查的资料显示，高真科技成立于2020年9月28日，注册资本51.091亿元人民币。经营范围包括：“销售：电子元器件、集成电路、集成电路芯片及产品、电子产品、机械设备、计算机、软硬件及其辅助设备；存储器及相关产品、电子信息的技术开发；电子元器件制造；集成电路制造；软件开发；质检技术服务（不含进出口商品检验鉴定、认证机构、民用核安全设备无损检验、
• 关键字： 格芯成都  DRAM  

HBM2E 和GDDR6： AI内存解决方案

• 前言人工智能/机器学习（AI/ML）改变了一切，影响着每个行业并触动着每个人的生 活。人工智能正在推动从5G到物联网等一系列技术市场的惊人发展。从2012年到 2019年，人工智能训练集增长了30万倍，每3.43个月翻一番，这就是最有力的证 明。支持这一发展速度需要的远不止摩尔定律所能实现的改进，摩尔定律在任何情况下都在放缓，这就要求人工智能计算机硬件和软件的各个方面都需要不断的快速改进。从2012年至今，训练能力增长了30万倍内存带宽将成为人工智能持续增长的关键焦点领域之一。以先进的驾驶员辅助系
• 关键字： ADAS  ML  DRAM  内存  

三星电子平泽工厂第二生产线开始量产

• 实现DRAM量产后，预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场，下一步进军汽车电装市场 韩国首尔2020年8月30日 /美通社/ -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外光刻）制程的16Gb（吉字节）LPDDR5移动DRAM，开创业界先河。     三星电子 16GB LPDDR5    三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（
• 关键字： EUV10  纳米级  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半导体生产线开始量产16Gb LPDDR5 DRAM

• 三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。三星平泽2号线占地超过128900平方米，相当于约16个足球场，是迄今为止全
• 关键字： 三星  LPDDR5  DRAM  

三星加快部署3D芯片封装技术 希望明年同台积电展开竞争

• 据国外媒体报道，本月中旬，三星展示了他们的3D芯片封装技术，而外媒最新的报道显示，三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息，报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署，是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看，三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ，简称“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术，是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通硅通孔技术来
• 关键字： 三星  3D  芯片  封装  台积电  

三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程

• 据台湾媒体报道，三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”，称这种垂直堆叠的封装方法，可用于7纳米制程，能提高该公司晶圆代工能力。图片来自三星电子官方三星的3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV)，能让速度和能源效益大幅提升，以协助解决次世代应用严苛的表现需求，如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技术，确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节
• 关键字： 三星  3D  晶圆  封装  

第四代低功耗动态 DRAM 与其延展版的车辆应用解决方案

• 日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（ AI）的发展，车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统，发展到现在的深度学习与车联网（ V2X），并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前，先进驾驶辅助系统（ADAS）是车载通讯中最普遍的应用之一，它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护，以达到无人驾驶的最终目标。因此，越来越多的半导体产商与车辆制造
• 关键字： ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

• 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
• 关键字： DRAM  NAND  

打破国外垄断，全国产3D芯片为机器人“点睛”

从原子的物理世界到0和1的数字世界，3D视觉“感知智能”技术是第一座桥梁。我国放量增长的工业级、消" />

• 传统机器人只有“手”，只能在固定好的点位上完成既定操作，而新一轮人工智能技术大大推动了机器和人的协作，这也对机器人的灵活性有了更高要求。要想像人一样测量、抓取、移动和避让物体，机器人首先需要对周边世界的距离、形状、厚薄有高精度的感知，而3D视觉芯片可以引导机器人完成上述复杂的自主动作，它相当于机器人的”眼睛”和”大脑”。近日，中科融合感知智能研究院（苏州工业园区）有限公司（以下简称中科融合）的全球首颗高精度3D-AI双引擎SOC芯片，已经在国内一家芯片代工厂进入最终流片阶段。这颗芯片将和中科融合已经进入批
• 关键字： 3D-AI  双引擎  SOC  MEMS  

SK海力士开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

• 7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
• 关键字： SK海力士  DRAM  

SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

• SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。           图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs,  输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
• 关键字： SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

Melexis 推出汽车级 3D 霍尔效应传感器 IC

• 微电子半导体解决方案全球供应商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis® 磁力计节点，这是一款汽车级 (AEC-Q100) 单片传感器 IC，可利用霍尔效应提供三维无接触式传感功能。MLX90395 双裸片版本可实现冗余，适用于要求苛刻的场景，例如汽车应用中的变速换档杆位置传感。MLX90395 的功能通过系统处理器定义，而不是硬连线到器件本身。就位置传感的适用性而言，该产品几乎不受任何范围限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 两种接口，可轻松在汽车或工业控制环境中集成。
• 关键字： IC  3D