近日,美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会,该公司举办了线上媒体沟通会,执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测,以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年,全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测,半导体产业预计增长可达12%,整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中,内存与存储预计增长可达19%,增度远超整
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DRAM NAND
存储芯片大厂美光(Micron)执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示,2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年显现明显复苏,并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品,一种是DRAM(动态随机存储器),用于缓存,另一种是NAND
Flash(闪存),用于数据的存储。在DRAM领域,韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称,预期今
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美光科技 DRAM NAND
作为全球工业机器视觉领域的领导者之一,康耐视公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式视觉系统。这是一款采用3D激光位移技术的创新型智能相机,能帮助用户快速、准确且经济高效地解决自动化生产线上的一系列检测应用难题。“一直以来,3D检测系统对于大多数用户来说面临两个问题:产品操作复杂、使用成本昂贵,”康耐视3D事业部经理John Keating表示,“而In-Sight 3D-L4000视觉系统很好的解决了这两个痛点,其提供了大量的3D视觉工具套件,使3D检测能够像行业先进的In-
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In-Sight 3D-L4000视觉系统 嵌入式视觉系统 3D图像处理 无斑点蓝色激光光学元件 3D视觉工具
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND(TLC或pSLC)闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社(TSE:6762)将于2020年12月推出新一代闪存产品,该产品拥有5个系列,并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 闪存 SSD
IT之家了解到,美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11
月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚,美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术,该技术具有 176
层存储单元堆叠。新的
176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品,上一代 3D NAND 则是 128
层设计,算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下,美光 128 层 3D NAND 并没有特
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美光 3D NAND
11月1日消息 据韩媒 The Lec 今日报道,今年十月份,DRAM 和 NAND 价格遭遇集体暴跌。分析师认为,这是由于美国对华为的制裁所致,这加剧了存储芯片市场价格的下跌。据市场研究公司 DRAM Exchange 上个月 30 日的统计,截至 10 月底,PC DRAM(DDR4 8Gb)的固定交易价格为 2.85 美元,相比 9 月份的交易价格下降 8.9%。这与八月和九月连续第二个月保持平稳的情况形成了对比,就
NAND 闪存而言,128GB 存储卡和用于 USB 的多层单元存储(MLC)
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内存 DRAM
根据IC Insights的分析报告,DRAM内存芯片在今年底之前将继续呈现下滑态势。简单回顾下,内存跌价大致是从2018下半年开始,2019年12月均价一度跌至3.9美元。尽管今年上半年,由于新冠肺炎的原因,在家办公、远程学习等推动了PC等设备的需求增长,内存价格有所小幅反弹,但持续的时间并不长。6月份DRAM均价是3.7美元,7、8月份则在3.51美元处徘徊。通常来说,三四季度是DRAM价格大幅飙升的旺季,可今年的情况大家都懂,无论是厂商还是个人消费者,其季节性的购买行为也被扰乱了。另外,尽管5G智能
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内存 DRAM
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准,此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品,尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。 图1. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM 图2. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM SK海力士于2018年1
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SK海力士 DDR5 DRAM
搁浅2年多的成都格芯厂,在今年5月正式宣布停业4个多月之后,终于迎来了接盘者————成都高真科技有限公司(以下简称“高真科技”),并有望转产DRAM内存芯片。根据企查查的资料显示,高真科技成立于2020年9月28日,注册资本51.091亿元人民币。经营范围包括:“销售:电子元器件、集成电路、集成电路芯片及产品、电子产品、机械设备、计算机、软硬件及其辅助设备;存储器及相关产品、电子信息的技术开发;电子元器件制造;集成电路制造;软件开发;质检技术服务(不含进出口商品检验鉴定、认证机构、民用核安全设备无损检验、
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格芯成都 DRAM
前言人工智能/机器学习(AI/ML)改变了一切,影响着每个行业并触动着每个人的生
活。人工智能正在推动从5G到物联网等一系列技术市场的惊人发展。从2012年到
2019年,人工智能训练集增长了30万倍,每3.43个月翻一番,这就是最有力的证
明。支持这一发展速度需要的远不止摩尔定律所能实现的改进,摩尔定律在任何情况下都在放缓,这就要求人工智能计算机硬件和软件的各个方面都需要不断的快速改进。从2012年至今,训练能力增长了30万倍内存带宽将成为人工智能持续增长的关键焦点领域之一。以先进的驾驶员辅助系
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ADAS ML DRAM 内存
实现DRAM量产后,预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场,下一步进军汽车电装市场 韩国首尔2020年8月30日 /美通社/ -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工,首发量产产品是采用了EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外光刻)制程的16Gb(吉字节)LPDDR5移动DRAM,开创业界先河。 三星电子 16GB LPDDR5 三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米(
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EUV10 纳米级 LPDDR5 DRAM
三星今日宣布,其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光(EUV)技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造,拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛,克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。三星平泽2号线占地超过128900平方米,相当于约16个足球场,是迄今为止全
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三星 LPDDR5 DRAM
据国外媒体报道,本月中旬,三星展示了他们的3D芯片封装技术,而外媒最新的报道显示,三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息,报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署,是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看,三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ,简称“X-Cube”,是在本月中旬展示的,已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术,是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案,允许多层超薄叠加,利用直通硅通孔技术来
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三星 3D 芯片 封装 台积电
据台湾媒体报道,三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”,称这种垂直堆叠的封装方法,可用于7纳米制程,能提高该公司晶圆代工能力。图片来自三星电子官方三星的3D IC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV),能让速度和能源效益大幅提升,以协助解决次世代应用严苛的表现需求,如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技术,确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节
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三星 3D 晶圆 封装
日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术,展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能( AI)的发展,车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统,发展到现在的深度学习与车联网( V2X),并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前,先进驾驶辅助系统(ADAS)是车载通讯中最普遍的应用之一,它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护,以达到无人驾驶的最终目标。因此,越来越多的半导体产商与车辆制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
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