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3d x-dram 文章 最新资讯

莫大康:影响2019中国半导体业增长的三个关键因素

  • 业界都谨慎地观察2019年中国半导体业的发展态势,用呈”不确定性”,而一言以蔽之。本文拟从以下三个方面,包括2019年全球半导体业的弱势;中国集成电路产业发展由产能扩充阶段转向产品增长的攻坚战;以及在贸易战下心理因素的影响等来初探2019年中国半导体业的增长。
  • 关键字: 半导体  DRAM  存储器  

2019年全球Flash支出达260亿美元 连续3年高于DRAM与晶圆代工支出

  • 尽管随着主要存储器业者已完成或即将完成Flash存储器产量扩增计划,2019年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出将会大幅下滑,但该支出金额仍然会继续高于各业者在DRAM与晶圆代工业务上的支出。  ICInsights最新资料显示,2016年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出金额为144亿美元,低于同年晶圆代工业务资本支出金额的219亿美元。 
  • 关键字: DRAM  晶圆  Flash  

非易失性存储器和易失性存储器的对比

  •   非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。    在很多的存储系统的写操作程序中,内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁,提供更快速的性能,但是如果发生突然间断电的情况,如何保护内存中的数据不丢失,这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候,里面的数据会丢失,就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失,像硬盘等外存。RRAM是一
  • 关键字: 存储器  DRAM  

2019年第一季DRAM合约价跌幅扩大至近20%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2018年12月正值欧美年节时期,DRAM成交量清淡,因此不列入合约价计算,意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右,而4GB约在30美元水位,但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合约价已于去年12月开始议定,综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱,以及短中期经济展望不明朗等因素,买卖双方已有8GB均价降至55美
  • 关键字: DRAM,价格  

晋华、联电被控窃取机密案开庭 美方多管齐下打击中国内存自主化进程

  • 随着中美谈判尝试结束贸易战,对于两国冲突的一个关键方面——针对涉嫌盗窃商业机密的刑事起诉,美国谋求新的策略来打击中国实现内存芯片量产的愿景。据外媒报道,当地时间本周三,福建晋华与其合作伙伴台湾联电被控窃取商业机密一案在旧金山联邦法院审理,预计晋华和联电将做无罪辩护。
  • 关键字: 晋华  DRAM  联电  

Gartner:三星2018年再度登顶全球半导体市场

  •   据BusinessKorea北京时间1月8日报道,受内存行业的增长推动,去年全球半导体市场同比增长了13%。三星电子以15.9%的市场份额维持住了全球龙头老大的位置;SK海力士排名第三(注),营收同比增长38.2%,在行业前十大公司中增速最快。  据市场研究公司Gartner日前发布的2018年全球半导体市场初步报告显示,全球半导体营收去年达4767亿美元,同比增长13.4%。存储芯片占半导体总营收的比重从2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大。  三星电子去年的半导体营收达759
  • 关键字: 三星  半导体  DRAM  

CES 2019:英特尔推出5G芯片 跻身无线基站

  • CES 2019展会上,英特尔宣布了因应5G时代的“Snow Ridge”。此外,该公司还同时发布了10nm工艺的下代桌面和移动处理器Ice Lake、服务器处理器Ice Lake、Foveros 3D立体封装处理器Lakefield。
  • 关键字: CES2019  5G芯片  Snow Ridge  Foveros 3D  

存储器产业持续低迷,2019年如何破局?

  • DRAM内存降价已是必然,内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止,降价的势头也同样比预期更狠。与此同时,NAND Flash产能超出预期,以致市场供过于求,价格连续走跌。
  • 关键字: 存储器  DRAM   

2018年三大手机创新技术:屏下指纹/前后双屏/3D ToF

  • 2018年,手机厂商在围绕提升屏占比、充电速度、拍照素质等方面上都有不少突破和尝试。衍生出滑盖屏、水滴屏、打孔屏的设计,充电速度最高也提升到了50W、拍照则出现各种“超级夜景”,这些设计与创新为消费者提供了更多的选择,但这些创新相比上述三种,它们出现并没有让消费者对手机的使用体验有着超预期的提升,实用但并不令人心生向往。
  • 关键字: 屏下指纹  3D ToF  

看看国外厂商正在发力研究的这些新技术

  •   每年十二月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,缩写:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
  • 关键字: DRAM  GAA-FET  

突破瓶颈,英特尔重塑数据中心存储架构

  • 2018年12月11日,以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台,本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家,就数据洪流时代下,企业如何实施数据战略、深挖数据价值,变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
  • 关键字: 数据  存储  傲腾  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM价格将持续下跌

  •   全球DRAM市场上,三星一家独大,接着是SK Hynix及美光,这三家的DRAM份额占到了全球95%左右,而华亚科被美光全资收购之后,Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了,虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。  1  DRAM连涨之后持续下跌  在DRAM内存涨价超过9个季度之后,内存芯片价格终于在10月份大跌了一次,DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%,预计2019年还会继续跌20%。  受此影响,全球第四大内存芯片厂商南亚科
  • 关键字: DRAM  NAND  

DRAM降价将会比预期更猛,明年对于存储器来说将是难熬的一年

  •   DRAM内存降价已是必然,内存大厂已纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止,降的时候看来势头会比预期更狠。  瑞银分析师TimothyArcuri日前发布了关于内存市场的分析报告,虽然维持美光公司的中性评级,但他下调了美光的目标股价,从52美元砍至41美元。他不看好美光股价的原因就是明年Q1季度内存降价幅度要高于预期,之前分析认为明年环比下架10-12%左右,但是新的数据显示明年Q1季度内存价格降幅达到10-15%,而且NAND闪存价格也会降10-15%。  此前,DRAMeXchang
  • 关键字: DRAM  存储器  

唇亡齿寒?台湾半导体产业必受中美贸易战波及

  •   根据台湾11月27日首度公布的报告显示,由于大陆出口美国的产品,半数以上已被征税,导致大陆制造商购买设备零件的意愿转趋保守,台湾机械订单对大陆出口下滑,10月减少6.7个百分点。  台湾经济部统计处长林丽贞20日指出,传统产业接单已经受到美中贸易摩擦影响。今年上半年基本金属接单很旺,但近期接单成长明显下滑,10月仅年增3.7%,为连续三个月呈个位数成长。  她进一步表示,一旦中美贸易摩擦影响到全球经济,恐会导致终端需求减少。  此外,中高端手机销售不如预期,恐会使未来资讯通信产品及电子产品接单受到影响
  • 关键字: 半导体  DRAM  

DRAM三巨头或遭中国反垄断处罚25亿美元!韩国半导体梦将破灭

  • 国家市场监督管理总局反垄断局日前表示已对三星,海力士,美光公司进行反垄断调查。如果被认定存在垄断行为,将面临天价罚款,这一数字或将是每家25亿美元
  • 关键字: DRAM  
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3d x-dram介绍

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