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3d 晶体管 文章 进入3d 晶体管技术社区

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
  • 关键字： 3D NAND  

干货总结｜晶体管的应用知识

  • 晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。
  • 关键字： 晶体管  

平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
  • 关键字： 3D DRAM  存储器  

外媒：存储大厂正在加速3D DRAM商业化

  • 据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
  • 关键字： 存储  3D DRAM  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。  “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
  • 关键字： 芯和半导体荣  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳设计工具供应商奖  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
  • 关键字： 芯和半导体  3D InCites  Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖  

妙趣横生的电子小知识　第1篇：初识晶体管

  • 本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时，晶体管是不可或缺的重要器件。但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引
  • 关键字： ROHM  晶体管  

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
  • 关键字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

不是“空中楼阁”：努比亚Pad 3D搭载全球最大Leia 3D内容生态

  • 近日，努比亚宣布，将在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驱动3D平板：努比亚Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鲜技术， 这难免让人怀疑这款努比亚Pad 3D的最大卖点，是否会向其他同类产品一样，沦为“空中楼阁”。而今天，努比亚打消了用户的这一顾虑。今天，努比亚官方宣布， 努比亚Pad 3D将搭载全球最大的Leia 3D内容生态系统，包含大量运用裸眼3D技术的App，并获得了来自多个包括Unity、UNREL等游戏引擎，以及GAMELOFT等游戏开发商的内容支持。
  • 关键字： 努比亚  MWC  3D  游戏引擎  

基于晶体管VBE 的振荡器测量温度

  • 模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路集（夜班尿布和设计）第 7 页的电路之一。模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路
  • 关键字： 晶体管  VBE  振荡器  

意法半导体和钰立微电子在 CES 2023上展出合作成果： 适用于机器视觉和机器人的3D 立体视觉摄像头

  • 双方将通过立体摄像头数据融合技术演示3D立体深度视觉， *AIoT      、AGV小车和工业设备依靠3D立体摄像头跟踪快速运动物体参考设计利用意法半导体的高性能近红外全局快门图像传感器，确保打造出最佳品质的深度感测和*点云图资讯2023年1月5日，中国----在 1 月 5 日至 8 日举行的拉斯维加斯CES 2023 消费电子展上，服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)，和专
  • 关键字： 意法半导体  钰立  CES 2023  机器视觉  3D 立体视觉摄像头  

如何达到3D位置感测的实时控制

  • 本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加，从工业机器人、自动化系统，到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择；它们具有高重复性和可靠性，还可以与窗户、门和外壳搭配，进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此，使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器（MCU）介接，以
  • 关键字： 3D位置感测  实时控制  3D 霍尔效应传感器  

复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能

  • IT之家 12 月 11 日消息，众所周知，传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力，但这种晶体管密度的提高主要是靠缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如，大家最常见的案例就是半导体行业的高精度尺寸微缩，从 14>10nm>7nm>5nm（不代表实际栅距）这样一直按照 0.7 的倍率不断迭代。据复旦大学微电子学院官方公告，该学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队绕过 EUV 工艺，研发出性能优异的异质 CFET 技术
  • 关键字： 复旦大学  晶体管  

放大器设计：晶体管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶体管的区别

  • 晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有
  • 关键字： 放大器  晶体管  MOS  BJT  

大联大世平集团推出基于耐能Kneron产品的3D AI人脸识别门禁系统方案

  • 2022年11月16日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人脸识别门禁系统方案。 图示1-大联大世平基于耐能Kneron产品的3D AI人脸识别门禁系统方案的展示板图 在现代化经济建设和智能管理的驱动下，人工智能门禁系统作为安防基础核心迎来了前所未有的广阔前景。特别是在疫情这个特殊情境下，各种酒店、宾馆、写字楼、智能大厦、政府机关等单位，对于多功能智能门禁系统的需求更是日益攀高。在此趋势下，大
  • 关键字： 大联大世平  耐能  Kneron  3D AI  人脸识别门禁  
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3d 晶体管介绍

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