- 2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ（在 VGS = 10V 时），高效运行频率达到6
- 关键字：
意法半导体 STripFET F8 晶体管 优值系数
优值系数介绍
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