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3d 晶体管 文章 进入3d 晶体管技术社区

3D ToF相机于物流仓储自动化的应用优势

  • 3D ToF智能相机能藉助飞时测距(Time of Flight;ToF)技术,在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料,确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅,加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发,隔离政策改变人们的消费模式与型态,导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长;于此同时,人员移动的管制,也间接造成人力不足产生缺工问题,加速物流仓储行业自动化的进程,进而大量导入无人搬运车AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
  • 关键字: 3D ToF  相机  物流仓储  自动化  台达  

GaN晶体管尺寸和功率效率加倍

  • 无论是在太空还是在地面,这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
  • 关键字: GaN  晶体管  

如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用?

  • 如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。晶体管,无论是由硅还是氮化镓制成,都不是理想的器件,有两个主要因素导致其效率下降(在简化模型中):一个是串联电阻,称为 RDS(ON),另一个是并联电容器称为 C
  • 关键字: 氮化镓  晶体管  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
  • 关键字: V-NAND  闪存  3D NAND  

3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l  这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字: 3D DRAM  泛林  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字: NAND  3D NAND  

3D 晶体管的转变

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案,该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU,主频达到 150MHz,拥有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多个 Timer,多路 PWM,多种通信接口,支持 16 位的 ADC,资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机,支持 5 轴电机控制,支
  • 关键字: 3D 打印机  NXP  LPC5528  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国(上海)机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

晶体管的第一个76年:变小了,却变大了?

  • 1947年,当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时,他们未曾想到,晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一,它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷,为电子设备的发展奠定了基础,也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年,当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时,他们未曾想到,
  • 关键字: 新思科技  晶体管  

双极结型晶体管的电流增益

  • 如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结,电流将从输入端流过 R B,通过 BE 结,到达地。我们称之为 I B。电流还将从 5 V 电源流经 R C,流经晶体管的集电极到发射极部分,流到地。称之为I C。假设 I C足够小以在集电极端留下相对较高的电压——足够高的电压,即保持基极-集电极结反向偏置。假设我们正在使用一个简单的电路,该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成,连接方式如下:如果您施
  • 关键字: 晶体管  

意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管

  • 2023 年 5 月 24 日,中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术,引入氧化物填充沟槽工艺,集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身,实现高效的开关性能。因此,STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ(在 VGS = 10V 时),高效运行频率达到6
  • 关键字: 意法半导体  STripFET F8  晶体管  优值系数  

短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分

  • MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
  • 关键字: MOS  晶体管  

DRAM迎来3D时代?

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3d 晶体管介绍

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