二维材料从研究到工业应用的转变带来了各种挑战。
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晶体管 二位材料
今天给大家分享的是：晶体管施密特触发器工作原理。施密特触发器是一种逻辑输入类型，可为上升沿和下降沿提供迟滞或两个不同的阈值电压电平。当我们想要从有噪声的输入信号中获取方波信号时，使用晶体管施密特触发器，可以避免错误。晶体管施密特触发器电路包含 2 个晶体管和 5 个电阻，为了更好的地解释原理，下面直接分析电路。晶体管施密特触发器工作原理假设 Uin 输入为0V，意味着晶体管 T1 截止且不导通。另一方面，晶体管 T2 导通，因为 B 节点处的电压约为 1.98V，我们可以将电路的这一部分视为分压
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晶体管 施密特触发器 电路设计
近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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铠侠 3D NAND堆叠
6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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SK海力士 3D DRAM
● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
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西门子 Calibre 3DThermal 3D IC
今天给大家分享的是晶体管施密特触发电路设计。主要是关于：1、晶体管搭建的施密特触发器2、如何设计晶体管施密特触发电路？3、怎么改进晶体管施密特触发电路一、施密特触发器有什么作用？施密特触发器是一个决策电路，用于将缓慢变化的模拟信号电压转换为2 种可能的二进制状态之一，具体取决于模拟电压是高于还是低于预设阈值。二、不能用 CMOS 来设计施密特触发器吗？CMOS器件CMOS 器件可以用来设计施密特触发器，但是不能选择阈值电压，只能在有限的电源电压范围内工作，例如：4HC14 在 +5v 下运行，阈值通常为
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晶体管 施密特触发器 电路设计
为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
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CMOS，MOSFET 晶体管，Spice模型
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。1 晶体管BJT的工作原理让我们从经典的NPN晶体
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晶体管 电路设计
IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
现在，3nm制程工艺的CPU已经在大面积使用了。那么，你知道芯片里面这个3nm晶体管是怎么来的吗？它到底有什么神奇功能？1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速发展。正因为它如此地丰富了人们的生活，就其贡献度而言，作为发明者的3位物理学家 —— 肖克莱博士、巴丁博士和布拉顿博士，当之无愧地获得了诺贝尔奖。恐怕今后的发明都难以与晶体管的发明相提并论。总之，晶体管为现代
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晶体管
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
IT之家 4 月 23 日消息，印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管，能够模拟蝗虫的神经元来实现避障功能，有望降低未来人工智能的能源消耗。图源 Pexels自动驾驶和机器人自主移动一直是机器学习和人工智能研发人员梦寐以求的目标，而避障则是这项技术能否在现实世界落地应用的关键。为此，双方研究人员致力于创造一种能以极低功耗实现避障的解决方案。研究人员在研究避障行为时，发现蝗虫身上有一种名为“小叶巨人运动检测器 (LGMD)”的神经元，当大型物体接近蝗虫时，该
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