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TDK推出使用3D NAND闪存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存·    新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 层 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。

• 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176 层存储单元堆叠。新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍

• 据国外媒体报道，正如外媒此前所预期的一样，芯片代工商台积电在今日开始的全球技术论坛上，披露了下一代先进工艺3nm的更多细节信息。2020年的台积电全球技术论坛，是他们举行的第二十六届全球技术论坛，论坛上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先进工艺方面的信息，但在5nm工艺已经投产的情况下，外界最期待的还是5nm之后的下一个全新工艺节点3nm工艺。在今天的论坛上，台积电也披露了3nm工艺的相关信息。他们的3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的
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三星加快部署3D芯片封装技术 希望明年同台积电展开竞争

• 据国外媒体报道，本月中旬，三星展示了他们的3D芯片封装技术，而外媒最新的报道显示，三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息，报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署，是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看，三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ，简称“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术，是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通硅通孔技术来
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三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程

• 据台湾媒体报道，三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”，称这种垂直堆叠的封装方法，可用于7纳米制程，能提高该公司晶圆代工能力。图片来自三星电子官方三星的3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV)，能让速度和能源效益大幅提升，以协助解决次世代应用严苛的表现需求，如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技术，确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节
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打破国外垄断，全国产3D芯片为机器人“点睛”

从原子的物理世界到0和1的数字世界，3D视觉“感知智能”技术是第一座桥梁。我国放量增长的工业级、消" />

• 传统机器人只有“手”，只能在固定好的点位上完成既定操作，而新一轮人工智能技术大大推动了机器和人的协作，这也对机器人的灵活性有了更高要求。要想像人一样测量、抓取、移动和避让物体，机器人首先需要对周边世界的距离、形状、厚薄有高精度的感知，而3D视觉芯片可以引导机器人完成上述复杂的自主动作，它相当于机器人的”眼睛”和”大脑”。近日，中科融合感知智能研究院（苏州工业园区）有限公司（以下简称中科融合）的全球首颗高精度3D-AI双引擎SOC芯片，已经在国内一家芯片代工厂进入最终流片阶段。这颗芯片将和中科融合已经进入批
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Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管！搭档3nm？

• Intel这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多，但是说起半导体前沿技术研究和储备，Intel的实力仍是行业数一数二的。在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监Mike Mayberry就畅谈了未来的晶体管结构研究，包括GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱CMOS。FinFET立体晶体管是Intel 22nm、台积电16nm、三星14nm工艺节点上引入的，仍在持续推进，而接下来最有希望的变革就是GAA环绕栅极结构，重新设计晶体管底层
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Melexis 推出汽车级 3D 霍尔效应传感器 IC

• 微电子半导体解决方案全球供应商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis® 磁力计节点，这是一款汽车级 (AEC-Q100) 单片传感器 IC，可利用霍尔效应提供三维无接触式传感功能。MLX90395 双裸片版本可实现冗余，适用于要求苛刻的场景，例如汽车应用中的变速换档杆位置传感。MLX90395 的功能通过系统处理器定义，而不是硬连线到器件本身。就位置传感的适用性而言，该产品几乎不受任何范围限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 两种接口，可轻松在汽车或工业控制环境中集成。
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群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

• 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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台积电3nm细节公布：2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

• 近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2．5亿／mm2！
• 关键字： 台积电  晶体管  3nm  

长江存储：128层3D NAND技术会按计划在今年推出

• 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，接下来，长江存储将跳过如今业界常见的96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总
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比官方宣传还猛！台积电5nm晶体管密度比7nm提高88％

• 一般来说,官方宣传数据都是最理想的状态,有时候还会掺杂一些水分,但是你见过实测比官方数字更漂亮的吗?台积电已在本月开始5nm工艺的试产,第二季度内投入规模量产,苹果A14、华为麒麟1020、AMD Zen 4等处理器都会使用它,而且消息称初期产能已经被客户完全包圆,尤其是苹果占了最大头。台积电尚未公布5nm工艺的具体指标,只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术,不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25
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微软Surface Duo未来新特性：支持3D深度相机

• 新推出的Surface Neo并不是微软唯一的双屏设备。在去年10月份的发布会上，微软还宣布了一款名为“Surface Duo”的Surface手机，Surface Duo可运行Google的Android应用，并直接从谷歌Play商店支持Microsoft服务。Surface Duo是由Panos Panay领导的Surface团队设计的，它具有出色的硬件，但是之前有传言称Surface Duo设备将配备中核相机。与三星Galaxy Fold和华为Mate Xs竞争的Surface Duo可能没有配备出
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欧司朗推出首款智能3D感应发射器模块，让智能手机玩转专业摄影

• 图片已经成为人们在社交媒体展现自我的重要方式。为了追求“完美的图像”，越来越多的应用程序提供了滤镜或编辑功能来增强图像效果。尽管智能手机摄影功能创新层出不穷，但仍然有一些图像效果只能通过专业相机和复杂昂贵的镜头来实现。欧司朗推出首款3D传感发射器模块，让智能手机以交错景深拍摄高质量的图像和视频，达到专业效果。例如在人像拍摄中，实现人脸聚焦、背景模糊的小景深。如今，智能手机、可穿戴设备和其他移动设备的功能越来越多，留给内部元器件的设计空间也越来越小。对制造商而言，能找到合适的发射和接收器件以及IC元器件，进
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光线追踪：一种颠覆性技术

• 对于任何名副其实地从事AR/VR/XR、产品设计或仿真工作的工程师而言，光线追踪是他们应该熟悉的一种技术。因为它是自三维（3D）图形诞生以来图形技术领域最重要的进步之一，而且它即将从高深的电影和广告领域转向移动、可穿戴和汽车等嵌入式领域，作为全新的、更有效的处理光线追踪的方法进入市场。如果你去看任何的三维场景，会发现其逼真度很大程度上取决于光照。在传统的图形渲染（光栅化处理）中，光照贴图和阴影贴图是预先计算好的，然后应用到场景中以模拟场景外观。然而，虽然可以实现很美观的效果，但其始终受限于一个事实，即这些
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