- “英特尔精尖制造日”活动今天举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
“英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一代都会带来更强的功能和性能、更高的能效、更低的晶体管成本，”英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，“很高兴首次在中国与大家分享英
- 关键字：
英特尔 晶体管
- “3D Touch从今年开始将迈入实质性进展的一年。”自2015年Apple Watch最早采用Force Touch，随后iPhone 6s/6s Plus问世，带来了我们熟知的3D Touch，压力触控技术开始由平面转向三维，给人机交互带来了新风潮。
然而，在iPhone 6s推出前后，包括中兴、华为、HTC、小米、金立等手机厂商都有推出支持3D Touch功能的新品，但整个市场依旧泾渭分明，不温不火。
跟风苹果3D Touch但受两大因素限制
自苹果把3
- 关键字：
3D Touch NDT
- 3D NAND比平面NAND更昂贵，但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，这是为什么呢?
- 关键字：
3D NAND 存储器
- 半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。
- 关键字：
半导体 晶体管
- 随着计算机全面进入纳米时代，工程师们发现想要遵循摩尔定律变得越来越难了。
1965 年，Intel创始人戈登·摩尔提出了提出了“摩尔定律”，即集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔 1-2 年便会增加一倍，性能也随之翻倍。
五十多年来，摩尔定律一直有效，但目前业界的预测是，未来 10-15 年，在进行三次技术升级后，芯片制造工艺将达到 5 纳米，这意味着单个晶体管栅极的长度将仅为10个原子大小。在此基础上继续突破几乎是不可能的——
- 关键字：
IBM 晶体管
- 众所周知，电子系统芯片中的晶体管会随着时间而逐渐老化。它们会慢慢变旧，反应变得迟缓，毛病越来越多，甚至突然崩溃死机。不过凡事都有两面性，虽然晶体管老化对电子产品不是好事，但其功耗却随着时间的推移而降低。 在这个快节奏、快消费的年代，人们总是在求新、求快。不光是手机、电脑、汽车，就连我们自身，都想要时尚，新朝，不落伍。如果我想说老有老的好，旧有旧的妙，你一定不能认同。但事实确是如此，我们不妨看几个例子。 我们都知道汽车有一个磨合期，新车在最初的2000公里里程内要注意磨合，以便各个部件比较顺畅地吻合
- 关键字：
晶体管 芯片
- 3D电影现在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理吗?不知道的话，就随小编一起来学习一下吧~~~
- 关键字：
3d原理 3D
- 近日科学家为身在国际空间站或者执行火星任务的宇航员研发了一种虚拟现实3D帽舌。佩戴该帽舌的宇航员可以看到覆盖在现实世界之上的虚拟图像，后者能够辅助宇航员独自进行外科手术治疗疾病。
- 关键字：
3D 太空手术 创新技术
- 在电子制作时，经常涉及到需要控制蜂鸣器、继电器、电机等元件，发现晶体管负载的不同接法，效果差别很大，有的接法甚至会导致电路工作不可靠，下面将介绍常见的负载驱动电路、驱动电路及元器件的选择和使用进行讨论。
- 关键字：
晶体管 驱动电路 电机 继电器 驱动负载
- 加拿大皇后大学人类媒体实验室研究员研发成功的“TeleHuman”3D全息投影设备，能将科幻片中经常出现的3D虚拟投影变成现实。这款设备开发本意就是用3D全息影像来代替现有的平面视频会议.
- 关键字：
3D 全息投影技术 远程医疗
- 几种基本类型的开关电源 顾名思义，开关电源就是利用电子开关器件（如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等），通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，
- 关键字：
晶体管 开关电源 场效应管
- 此功法电路可谓一装即成，特别适合初学者制作。这款功放一声道只需17个零件，却收到了意想不到的效果，还音效果真实，频响平直，解析力高，且功率可以达到50W。
- 关键字：
晶体管 功放 电路
- 随着移动互联网的持续发展以及物联网的高速增长，移动宽带技术不断向前演进。移动宽带技术的发展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移动用户连 接数预计将达到70亿，覆盖全球96%以上的人口，其中3G和4G移动用户连接数之和也将达到24亿，占据全球总量的三分之一以上。这些数据表明MBB业 务正在快速增长。
- 关键字：
移动通信 天线技术 创新 3D-MIMO 波束智能赋型
- DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。
3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 关键字：
摩尔定律 3D NAND
3d 晶体管介绍
您好，目前还没有人创建词条3d 晶体管!
欢迎您创建该词条，阐述对3d 晶体管的理解，并与今后在此搜索3d 晶体管的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
