文章主要介绍能驱动压电管的高压放大器，感性趣的朋友可以看看。 在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6 kHz的-3dB带宽，可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低，可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜，R3设定Q4的集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式确定。运算放大器IC1为Q5提供基极驱动，Q5又驱动Q6。当IC1输入端无信号时，Q6和Q3的集电极电流平衡，
关键字：
晶体管
我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。
借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。
如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：
Ic = (V-Vce)/R
在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路
关键字：
晶体管
美国宾州大学(Penn State)的材料科学家采用一种将二氧化钒结合于电子元件的新技术，发现了可提升电晶体效能的新方法。
“目前的电晶体技术难以取代，因为半导体己经进展得如此有声有色，”宾州大学材料科学与工程系助理教授Roman Engel-Herbert解释。“但还有一些材料，如二氧化钒可以添加在现有的元件中，使其效能表现更好。”
研究人员们已经知二氧化钒有一种不寻常的特性称为“金属-绝缘体转变”。在金属状态下，电
关键字：
二氧化钒 晶体管
苹果iPhone 6s新机加入压力感测3D Touch功能，预料将带动市场风潮。目前已有华为、中兴等品牌新机支援压力感测功能，科技网站传出，三星新一代旗舰机Galaxy S7，也搭载压力感测，可望带动TPK宸鸿(3673)等相关概念股表现。
三星供应商新思日前已发表新的 “ClearForce”压力触控解决方案，可以区别按压力道大小，做出不同回应，并与全球 OEM和 LCM大厂进行合作中，外传三星已与新思洽商采用此一技术。
法人表示，压力感测器概念股包括敦泰、F-臻
关键字：
苹果 3D Touch
ARM新近推出的版本中出现Bug，iPhone 6s Plus玩3D游戏闪屏，不过后续通过软件升级可以解决。
关键字：
iPhone 6s 3D
Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另另一NPN型开关，与本文无关。
实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压
关键字：
晶体管 开关电路
一场触控界的革新，因为苹果的参与而让市场沸腾起来。新iPhone9月10日(北京时间)发布后，搭载的3D Touch技术让消费者们对手机操控有了新鲜感。这让压力触控厂商们很是兴奋，经历了长久蛰伏期之后，他们看到了潜在的市场爆点。不过兴奋的同时，产业链厂商们也没有太过乐观，因为安卓市场才是引爆市场的关键，而这恐怕还需等待一段时间。
为部分App带来革命性体验
压感触控技术是指在现有手机平面操作的基础上增加第三种维度——重力感应，根据力度的不同，调用的菜单也有所区别。而
关键字：
压力触控 3D Touch
1、PNP管做旁路晶体管时，虽然压降较小，但其输出阻抗大，需要特定的ESR的电容才能稳定，同时允许的功率耗散较小，应小心在重载条件下使用。
2、因为晶体管的基极电流较大，导致当晶体管做耗散管时，芯片的接地电流常常较大(几个mA甚至数十个mA)，在电池供电的应用中，这可能会大大缩短电池的寿命!
3、因为线性稳压器是通过消耗功率来获得输出电压的稳定，功率的消耗将主要转化为热量，因此，当线性稳压器芯片太烫的时候，一定要考虑是否在其上消耗了过多的能量。
4、A/D转换器的类型和特点：
关键字：
PNP 晶体管
鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28奈米到20奈米，甚至发展至16/14奈
关键字：
FinFET 3D NAND
微机电(MEMS)/奈米技术/半导体晶圆接合暨微影技术设备厂商EVGroup(EVG)今日宣布，该公司全自动12吋(300mm)使用聚合物黏着剂的晶圆接合系统目前市场需求殷切，在过去12个月以来，EVG晶圆接合系列产品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等订单量增加了一倍，主要来自于晶圆代工厂以及总部设置于亚洲的半导体封测厂(OSAT)多台的订单;大部份订单需求的成长系受惠于先进封装应用挹注，制造端正加速生产CMOS影像感测器及结合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互连技术的垂直
关键字：
CMOS 3D-IC
Lightwave报道，斯坦福大学的研究者最近在美国光学学会OSA的Optica杂志撰文称找到一种利用基于MZ干涉仪的网状结构来构建多种光网络用光器件的办法。
斯坦福大学电子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光学技术”中指出，最近，学者们开始发现干涉仪可以用来构建几乎任何可以想到的光学器件。对干涉仪网的研究可以开启未来利用光学器件代替现在的电子器件来进行线性工作的大门。
根据Miller博士的描述，
关键字：
晶体管 集成光路核心单元
美国闪存峰会上的演讲提出假设性观点。
3D XPoint内存晶圆近照。
本届闪存记忆体峰会上的一次主题演讲对英特尔/美光联合打造的3D XPoint内存技术作出了相关猜测——包括这项技术的具体定义以及英特尔会在未来如何加以运用。我们就其中的部分内容向知识渊博的从业专家进行了咨询，并以此为基础提出自己的观点——同样围绕这两点，该技术究竟算是什么、未来又将如何发展。
本月13号星期四在301-C会话环节中作出的这
关键字：
闪存 3D XPoint
根据国外媒体报道，有研究者最近研发出了一种可在1秒钟内开合900亿次的LED发光设备，可作为光计算技术的应用基础。
目前，智能手机的电池内部拥有多达数十亿的晶体管，它们使用了可在每秒开合数十亿次的电子来进行供电。但如果微芯片可以使用光子而非电子来处理和传输数据，计算机的运行速度就能得到大幅提升。不过首先，研究者们需要开发出能够快速开合的光源。
虽然激光可以满足这种要求，但它们存在能耗过高和发射装置体积过大的问题，因此并不适合在计算机内部工作。而现在，杜克大学所开发出的这种快速发光设备让研究
关键字：
晶体管 LED
3d 晶体管介绍
您好，目前还没有人创建词条3d 晶体管!
欢迎您创建该词条，阐述对3d 晶体管的理解，并与今后在此搜索3d 晶体管的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473