国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出，3D NAND、DRAM与10奈米制程等技术投资，将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元;而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。
SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成
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晶圆 3D NAND
国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
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3D NAND 存储
为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
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3D NAND 2D
全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降;占2014年内存用量需求20.9%的传统产品(桌面PC与传统笔记本电脑)产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。
DRAM市场2016年供过于求
近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化;2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在
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3D NAND
3D 打印和增材制造解决方案的全球领导者 Stratasys Ltd.(纳斯达克代码：SSYS)上海分公司与便携式 3D 测量解决方案和工程服务领域的全球领航者Creaform形创中国，今天联合宣布将两公司的战略合作拓展至中国大陆与香港地区。 Stratasys与形创的此次合作，将为市场提供更加整合的3D解决方案，让用户得以同时利用前沿的3D扫描技术与3D打印技术，完成从输入端的产品扫描到输出端的产品成型，确保工作流程一气呵成。此次合作将以教
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Stratasys 3D 打印
慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供应商主流3D NAND产品的交钥匙式企业版SATA SSD控制器解决方案。这款性能增强的控制器解决方案将有助加快推进最具竞争力的高性能SSD产品在市场上的应用。此次2016年拉斯维加斯消费电子展期间(2016 Consumer Electronics Show)，慧荣科技也将展出其使用了升级版SM2246EN
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慧荣科技 3D NAND
上周，全球3D打印行业领先企业3D Systems公司向其旗下消费型的在线3D打印市场Cubify.com的注册用户发送了一封电子邮件，宣布关闭Cubify.com，并停止零售3D打印产品，比如珠宝和手机外壳等。当时这封电子邮件让很多人难以置信，在即将进入2016年之际，这位3D打印巨头为什么要突然退出消费零售市场?会不会是该公司的邮件系统被黑了?遗憾的是，2015年12月28日，该公司正式确认了这个消息。
据了解，3D Systems宣布将撤出“消费级”市场，转向看似更
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3D Systems 3D打印
文章主要介绍能驱动压电管的高压放大器，感性趣的朋友可以看看。 在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6 kHz的-3dB带宽，可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低，可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜，R3设定Q4的集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式确定。运算放大器IC1为Q5提供基极驱动，Q5又驱动Q6。当IC1输入端无信号时，Q6和Q3的集电极电流平衡，
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晶体管
我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。
借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。
如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：
Ic = (V-Vce)/R
在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路
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晶体管
美国宾州大学(Penn State)的材料科学家采用一种将二氧化钒结合于电子元件的新技术，发现了可提升电晶体效能的新方法。
“目前的电晶体技术难以取代，因为半导体己经进展得如此有声有色，”宾州大学材料科学与工程系助理教授Roman Engel-Herbert解释。“但还有一些材料，如二氧化钒可以添加在现有的元件中，使其效能表现更好。”
研究人员们已经知二氧化钒有一种不寻常的特性称为“金属-绝缘体转变”。在金属状态下，电
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二氧化钒 晶体管
苹果iPhone 6s新机加入压力感测3D Touch功能，预料将带动市场风潮。目前已有华为、中兴等品牌新机支援压力感测功能，科技网站传出，三星新一代旗舰机Galaxy S7，也搭载压力感测，可望带动TPK宸鸿(3673)等相关概念股表现。
三星供应商新思日前已发表新的 “ClearForce”压力触控解决方案，可以区别按压力道大小，做出不同回应，并与全球 OEM和 LCM大厂进行合作中，外传三星已与新思洽商采用此一技术。
法人表示，压力感测器概念股包括敦泰、F-臻
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苹果 3D Touch
ARM新近推出的版本中出现Bug，iPhone 6s Plus玩3D游戏闪屏，不过后续通过软件升级可以解决。
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iPhone 6s 3D
Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另另一NPN型开关，与本文无关。
实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压
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晶体管 开关电路
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