在指针式万用电表中,测量晶体管直流电流放大倍数是通过直流电流表(通常在1.5V标称电压下,标准量程为5mA)测量的。随着电池电压的减小,通过调节电阻档的零欧姆电位器以使电流表达到满度,由于电流表偏离标准量程,也就造成了测量误差。文中分析了当电池电压从1.65V降至1.35V过程中所产生的误差值。取其中的最大值作为技术指标中的误差值。而一般厂家在技术指标中,没有给出该误差值或精度等级。
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万用电表 晶体管 电流放大倍数 误差分析 201609
利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看
下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单,就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。
源极和漏极之间是沟道(Channel),当没有对栅极(G)施加电压的时候,沟道中不会聚集有效的电荷,源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生,晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭的状态解释为&l
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晶体管
中国正在下大力度推进存储产业的发展,3D NAND被认为是一个有利的突破口。
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3D NAND 存储器
目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝杀入敌营,如今美光也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点,3D NAND flash大战即将开打!
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美光 3D NAND
据韩国经济报导,大陆半导体产业在政府的强力支援下,清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略,迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。
市调业者DRAM eXchange表示,全球半导体市场中,NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购,成立长江存储科技有限责任公司,未来可能引发NAND Flash市场版图变化。
清华紫光拥有清华大学的人脉,在社会上拥有一定的影响力,武汉新芯拥有技术方面
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三星 3D NAND
本月早些时候公布的2015年半导体国际技术路线图显示,经过50多年的小型化,晶体管可能将在短短五年间停止缩减。该报告的预测,到2021年之后,继续缩微处理器当中小晶体管的尺寸,对公司来说不再经济。相反,芯片制造商将使用其它手段提升晶体管密度,即从水平专到垂直,建立多层电路。
一些人认为,这一变化将有可能被解释为摩尔定律死亡的另外一种方式。雪上加霜的是,这是最后一份ITRS路线图。目前,半导体行业协会和半导体研究公司已经分道扬镳,就摩尔定律死亡之后,寻找和制定新的半导体发展路线图。预计其他ITRS
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摩尔定律 晶体管
东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示,将冲刺NAND Flash产量,目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。
关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash,成毛康雄指出,将强化3D Flash的生产,目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。
东芝为全球第2大NAND Flash厂商,市占率仅次于三星电子。
日经、韩国先驱报(
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东芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发,采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式,以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察,三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案,将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research观察,2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者,然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash,三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变,不过,三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进,短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
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三星 3D NAND
触摸屏的保护玻璃,又称之为保护盖,用来保护显示屏和触控面板。为了适应智能机的不同设计需求,保护玻璃有不同的形状。保护玻璃通常位于显示器和触控面板 的顶部,再根据保护玻璃的形状分为2D,2.5D和3D等。随着智能手机厂商越来越在外形和时尚设计方面竞争,舒适的手感和灵敏的触控反应越来越重要,这 也鼓励着触控面板厂商开发形状更好的保护玻璃。
2016年用于手机的3D保护玻璃出货量预计将增至4,900万片,占手机用保护玻璃市场总量的3.1%。IHS预测2017年其出货量将飞涨103.9%达1亿片的规模,
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3D 2D保护玻璃
韩媒NEWSIS报导,韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术,在这之前业界采用的是水平结构,3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。
3D NAND比20纳米级产品的容量密度高,读写速度快,耗电量节省一半;采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点,对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务,3D NAND成为具有潜力,有利于迈入第四次工业革命的技
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3D NAND 半导体
一、晶体管放大电路的概述
由三极管组成的放大电路,它的主要作用是将微弱的电信号(电压、电流)放大成为所需要的较强的电信号。根据放大电路输入、输出回路变化信号公共端的晶体管电极,我们把晶体管放大电路分为共射、共基、共集三类。
二、单管共射放大电路的组成及元件作用
单管共发射极电路(如下图)需要放大的电压信号Ui接在放大电路输入端;放大后的电压Uo,从放大电路的集电极与发射极输出。发射极E是输入信号和输出信号的公共端,组成共发射极放大电路。
三极管V:实
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晶体管 放大电路
任何一个行业的领导者,都有义务去推进新技术的发展,随着后续功能的适配,3D Touch的未来一片光明。
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苹果 3D Touch
去年10月,全球3D打印医疗应用领域的领先企业3D Medical,与顶级医学图像处理技术开商Mach7合并。如今,这桩交易已经宣布完成,合并后的新公司被称为Mach7 Technologies,并将在澳大利亚证交所上市,交易代码M7T。
据悉,3D Medical原本就以向医生提供针对不同病人的3D打印各种定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要业务则是医学影像技术。在这笔总额高达6000万美元的合并交易完成之后,新公司将会把总部设在澳洲的墨尔本。
据了解,3D Medical和Ma
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3D Medical Mach7
国内大力扶持存储,各种巨额的投资项目争议不小,但是为了存储自主的未来,也值。
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存储器 3D NAND
3d 晶体管介绍
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