3D NAND成半导体业不景气救世主

　　韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。

　　3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省一半;采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点，对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务，3D NAND成为具有潜力，有利于迈入第四次工业革命的技术。

　　以资讯为主的平台服务常伴随传输大量的资料与数位内容，业者必须扩大对服务器的投资，连带引起储存存储器的需求增加，刺激3D NAND的需求成长，因此半导体业者开始瞄准3D NAND市场商机。

　　除三星之外，SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)等业者也争相进行3D NAND投资。三星在2013年8月宣布进入3D NAND量产，2014年第1季正式于西安工厂投产，从此明显拉开与同业的技术差距。

　　业界认为，三星因积极投资获得领先对手3年左右的技术差距，2016年仍维持积极攻势，以强化市场上的领导地位。三星计划在5年内量产达1TB等级的固态硬碟，近期已推出属于平价产品线的750 EVO 500GB SSD，准备以多种产品策略抢攻市场。

　　相形之下，起步较晚的存储器业者长期遭遇3D NAND制程上的良率问题，业界认为这些业者在2016年后才可能扩大投资。

　　SK海力士正努力缩小与三星的技术差距，2016年第2季之后3D NAND产线稼动，可望降低生产成本，加速追赶三星。业界认为，SK海力士若要提升在3D NAND市场的影响力，除了积极进行投资之外，还应采行对国外业者的购并策略。

　　美光、英特尔、东芝等业者的3D NAND产线预计在2016年第2季之后正式稼动，究竟谁能在趋于白热化的3D NAND竞争之中脱颖而出，成为业界的观战焦点。