由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
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3D NAND
伊利诺伊大学研究人员开发出新的氮化镓(GaN)热控制方法
GaN晶体管比传统的硅晶体管具有更高的功率密度，可以在较高温度下运行(500℃以下)，但像所有半导体那样，GaN晶体管也产生过多的热量，这会限制他们的性能。
基于散热器和风扇的冷却方法增加成本和体积。现在，一个来自伊利诺伊大学微纳米技术实验室的研究团队创造了一种新的方法，他们声称该方法简单而且低成本。
采用计算机辅助设计，坎·拜拉姆的团队已经证明，GaN层的厚度在过热中起很大作用，影响设备的热预期和最终性能。
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氮化镓 晶体管
引言双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小
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晶体管 稳压器
以物理学规则来看，电晶体的最小尺寸被认为是5奈米，但透过采用碳奈米管制作电晶体闸极，这个极限已经被突破…
碳奈米管从过去几十年就已经用于制作实验性电晶体，但大多是当做电晶体通道(channel);美国劳伦斯柏克莱国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人员则是以奈米碳管制作闸极(gate)，并因此实现了号称全世界最小的电晶体。
采用二硫化钼(molybdenum disulfide)通道与单奈米
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YouTube上的科技频道总不乏各种技术宅的奇思妙想，日前，一位名为“Mrwhosetheboss”发布了一则有趣的视频，记录了他将一台智能手机打造成一台3D全息投影仪的全过程。 下面就让我们一起来见证一下奇迹发
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3D 全息投影仪 DIY
随着芯片技术的发展，摩尔定律所预言的发展轨迹似乎已逼近终点。这意味着，固守传统思路的芯片制造商将举步维艰。
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1nm 晶体管
晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小，同样体积的芯片上就能集成更多，这样一来处理器的性能和功耗都能会获得巨大进步。
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1nm 晶体管
北京时间10月7日晚间消息，美国劳伦斯伯克力国家实验室(以下简称“伯克力实验室”)教授阿里-加维(Ali Javey)领导的一个研究小组日前利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管。
晶体管由三个终端组成：源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。电流从源极流到漏极，由栅极来控制，后者会根据所施加的电压打开和关闭。
伯克力实验室研究人员苏杰伊-德赛(Sujay Desai)称：“长期以来，半导体行业一直认为，任何小
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摩尔定律 晶体管
美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体，包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。
Crucial SSD的售价为200美元，这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的
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美光 3D NAND
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对
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三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高，许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中，又以三星电子率先在这场竞争中获益最多，取得领先地位。
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3D NAND 三星
存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市，紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品，这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)标准之产品。
美光移动事业行销副总Gino Skulick在接受EE Times专访表示，美光为移动装置所推出的首款3D NAND为32GB产品，锁定中、高阶智能型手机市场，此区块市场占全球智能型手机总数的50%。
而这也是业界首款采用浮动闸极(Floating Gate)技
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