- 固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
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3D NAND SSD
- 索尼在软硬件融合过程中的失败，在于轻视其原本拥有的硬件优势，进而导致产品本身丧失了品牌溢价；只有软件与硬件都做出高品质产品，才能确保生态的价值。
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索尼 3D
- 近年来，固态硬盘似乎已经成为了计算机的标配。而随着SSD的普及，人们对于速度和容量的渴求也在迅速膨胀。为了能够在单颗闪存芯片上塞下更大的存储空间，制造商们正在想着3D NAND技术前进。与传统的平面式(2D)设计相比，垂直(3D)堆叠能够带来更显著的容量提升。但是最近，一家名为Stifel的市场研究公司却发现：为了实现这一点，制造商们正在砸下大笔投资，而这种成本压力却无法在多年的生产和销售后减退多少。
影响利润的一个主要原因是，3D NAND芯片的生产，比以往要复杂得
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3D NAND SSD
- UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他们的主要业务是为残疾人的假肢提供3D打印的精美外壳或其他配饰。天工社早先曾经报道过这家公司。UNYQ是在2014年刚刚成立的，如今已经在西班牙塞维利亚和美国旧金山设立了精品工作室。
该公司目前提供30款限量版假肢外壳，当然，所有的都是3D打印的。UNYQ称设计师和工匠们会在这些款式的基础上，与客户一起创造独一无二、只适合其本人规格指标和个人风格的产品。
如今UNYQ公司宣称，他们已经与数字化设计和制造专家3D Systems公司签订了多层次合作协议，后
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3D Systems 3D打印
- 英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 镁光 3D NAND
- 三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)产品，但三星的领先优势恐维持不了多久，因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!
日本媒体产经新闻25日报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层，但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层，且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂
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东芝 3D Flash
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F，该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来，有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装，可减少元件数量，以及节省微控制器应用的印刷电路板面积，例如个人电脑和服务器的直流散热风扇，以及工业与汽车市场的电机驱动器、排气扇和传感器应用。
ZXTR2105F旨在替代三个分立元件，当一般用来从12V或24V的输入产生4.7
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Diodes 晶体管
- 近日，美国研制出世界上首个仅有原子厚度的硅烯晶体管，而CPU的未来，就全靠它了。
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CPU 晶体管
- 2015年2月9日，3D Systems公司发布公告称，正式完成对CAD/CAM软件厂商Cimatron的全部收购活动，收购款项约9700万美元也已经支付。这项并购交易早在去年11月份就已经敲定。
3D Systems公司称，对Cimatron公司制造和数字化工作流程软件的整合将加强该公司以3D打印为中心的先进制造业务。这家总部位于美国南卡罗来纳州Rock Hill的公司表示，此项交易对双方的技术和客户都能形成有效的互补，并会扩大3D Systems在全球范围内的销售。
该协议的最后细节意
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3D Systems CAD
- 宜普电源转换公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展。在这个基于氮化镓场效应电晶体的系统中，我们把所有会影响D类音频系统的音质的元素减至最少或完全去除。
根据Intersil公司的D2 Audio的共同创办人兼前任CTO Skip Taylor博士所说：「eGaN FET的功率级准确地以高功率复制D类脉宽调制(PWM)信号并具有超高线
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宜普 晶体管 EPC9106
- 自碳单原子层材料石墨烯发明以来，研究人员已经研发出了多种其它单原子层材料，其中就包括了碳的同族材料硅，但硅烯(即硅的单原子层)面临的一个难题是它会与空气中的氧气迅速发生反应而瓦解。本周一，研究人员宣布他们成功的用硅烯构建出场效应晶体管。
报告发表在《Nature Nanotechnology》上。他们的银的表面制造出一大片硅烯，然后覆盖氧化铝充当保护层，蚀刻掉部分铝，将剩余部分金属作为源漏接触，通过在二氧化硅表面沉淀铝，他们得到了一个可用作场效应晶体管的设备。
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二维硅原子 晶体管
- 传闻称联发科今年发布10核、12核芯片，业内人士戏称联发科做的不是手机芯片，而是“核弹”。联发科是手机核战的“始作俑者”，手机各界对其态度褒贬不一。此次，联发科如果率先推出10核甚至12核芯片，想必会再度站到风口浪尖。联发科的核战策略，虽然能有效地提升其品牌形象和地位，但对整个手机行业和市场却带来了不良的竞争环境。
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联发科 晶体管
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封装的同类型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0.4mm，非常适合智能手表、健康和健身设备等可穿戴产品，以及智能手机与平板电脑等受空间限制的消费性产品。
Diodes公司首批DF
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Diodes 晶体管
- 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术，近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白，开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术，达到国际领先水平。目前，该项专利已应用于华润上华晶圆生产线，累计产出已达24万片，大幅提升了企业营收能力，两年内为华润上华新增直接销售额3.8亿元，新增利润4500万元。
该项专利提供一种提高跑道形NLDMOS晶
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华润微电子 NLDMOS 晶体管
- 关于altium的3d模型，虽说没有什么大用，但也有点小用，先上两副3D PCB图，看起来挺直观的吧。
看起来还是比较直观的，还可以生成.step文件，给我们的结构工程师，这样很容易看出是否与结构干涉。那做这个3D模型难不难呢?其实非常简单。
只要在自己原有的PCB库中，添加一下3D模型就可以了，这样原来PCB板上就会带有3D模型，在2D视图状态下，按一下快捷键“3”就会切换到3D视图状态。
关于如何添加3D封装，百度上
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PCB LAYOUT 3D PCB
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