- 虽然真空管曾经一度是早期电子元器件的基本核心组件，但是截止到上个世纪七十年代，真空管就已基本被半导体晶体管所全部替代。可是，近年来美国航空航天局(NASA)艾姆斯研究中心的研究人员一直在开发可将真空管和现代半导体晶体管的优势融为一体的“纳米真空沟道晶体管”(NVCTs, nanoscale vacuum channel transistors)。
与传统晶体管相比，纳米真空沟道晶体管的速度更快且对高温和辐射等极端环境的抵抗能力更强。这些优势使纳米真空沟道晶体管成为了抗辐照
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晶体管
- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
- “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
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存储器 3D NAND DRAM 20170203
- 多年来这个定律一直在发挥作用。第一个集成电路(由德州仪器的杰克•基尔比发明，见图)还只是一个笨拙不堪的大家伙，而现在晶体管已需用纳米(1米的十亿分之一)来计量。人们以摩尔定律的发展速度创造了快速而智能化的计算机，图案漂亮并将世界联接在了一起。从摩尔博士创立这个定律的时候起，人类就进入了一个不可思议的信息技术时代。本来一个不经意的发现竟有如此强大的生命力。 其实它并不是一条真正的定律，而只是一种现象，一种对技术发展漫漫征程的描述，发展的每一步都包含着具体的技术变革(见图表)。技术发展势不可挡，已成预言
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摩尔定律 晶体管
- 据海外媒体报道，传三星电子于2017～2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。
三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
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三星 3D NAND
- 东京—东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向游乐设备LED照明、工业设备高电压信号发射机等应用推出新一代晶体管阵列“TBD62089APG”。该新IC在输入部分集成了为数据存储功能提供支持的D型触发器电路(8位类型)。样品发货即日启动，量产计划于2016年12月开始。 游乐设备(弹球盘和老虎机)、家用电器(空调和冰箱)以及工业设备(自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动化设备和工厂自动化设备)等应用每年都不断增加功能，导致IC的安装面积不足。 TBD62089APG采用DIP20封
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东芝 晶体管
- 据美国电气与电子工程师协会《光谱》杂志网站11日报道，美国国家航空航天局(NASA)与韩国科学技术研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修复的晶体管。研究人员表示，最新自我修复技术有助于研制单芯片飞船，其能以五分之一光速飞行，在20年内抵达距太阳系最近的恒星“比邻星”。
今年4月12日，霍金宣布启动“突破摄星”计划，同俄罗斯商人尤里·米尔纳、脸谱创始人马克·扎克伯格合作建造能以五分之一光速(每秒6万千米)飞行的微型
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芯片 晶体管
- 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大模拟集成电路又称线性电路，用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机...
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晶体管 混合式 应急电源
- 与HE-NE激光器相比,COZ激光器的触发电压和工作电压更高,工作电流也大.因此对构成电源的每个元器件的耐压能力和功率容量的要求可能超过容许值.而晶体管的耐压能力较差,常常需要串联使用....
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电子管 晶体管 串联稳压电源
- UJT触发电路的优点是,电路简单.但产生的输出是尖脉冲,并且移相范围不宽,仅适用于直接触发同步信号与控制信号的迭加来控制移相角.我们将分别讨论同步信号是正弦波和锯齿两种移相电路....
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晶体管 移相触发
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