2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多
关键字：
三星
3D NAND闪存
增材制造（3D 打印）的惊人进步已耳熟能详，它可以使用一长串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需复刻现有零件，另一些则是采用锻造、机加工、注塑、铸造、挤压、化学蚀刻等任何标准制造工艺都无法生产的结构。麻省理工学院（MIT）的一组研究人员现已开发出一个多材料 3D 打印平台，可一步到位完整打印出电气设备（图 1）。图 1 本研究开发的多模式、多材料挤出系统集成工具：(a) E3D Hemera 丝材挤出机；(b) 带定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 颗粒
关键字：
增材制造
3D 打印
电动机
近年来半导体行业发展迅猛，尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升，传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积（PPA）指标要求。为此，工程师们开始采用多裸片架构，将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。该架构虽提升了芯片的可扩展性与性能，却也带来了新的挑战，其中互连规划问题尤为突出。而实现不同裸片间的通信，凸点与硅通孔（TSV）的高效规划，是多裸片集成过程中至关重要的环节。（图 1：基于电子表格的凸点规划示意图）在多裸片设计中，芯片间的互连通过布置在裸片表面的微凸点或混合键合焊盘实现，这
关键字：
多裸片芯片
凸点
硅通孔
3D 堆叠芯片
新思科技
硅通孔
近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月，长江存储二期科技有限责任公司成立，注册资本600亿元。2025年9月，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股5
关键字：
长江存储
半导体
3D NAND
晶栈
Xtacking
动力强劲的 F1 赛车、穿梭飞行的无人机、士兵的单兵背包、智能可穿戴设备，这些产品有着一个共同点：都需要电池供电。理想状态下，电池能精准适配各类不规则的边角、曲面与空隙，但如今的圆柱或方形电池电芯却难以实现这一点。曾参与设计梅赛德斯 - AMG 马石油车队赛车、助力该车队拿下七连冠的工程师 Gabe Elias，联合创立了一家初创企业，推出电池 3D 打印技术 —— 可将电池直接打印在设备表面，填充各类设备和交通工具中的闲置空间。该公司近期与美国空军签下一份价值 125 万美元、为期 18 个月的合同，旨
关键字：
Material
3D 打印
电池
借助使“隐形斗篷”成为可能的光扭曲技术，科学家们开发出一种既能实现微观细节又能实现高通量的新型3D打印技术。研究人员建议，他们的新技术有望实现复杂纳米级结构的大规模生产。潜在应用包括药物递送和核聚变研究。目前，3D打印复杂微观特征最精确的方法是双光子光刻。该技术使用液态树脂，只有当树脂中的感光分子同时吸收两个光子而非一个光子时才会凝固。 双光子光刻技术使得体素——相当于像素的三维结构——体积仅几十纳米的器件成为可能。然而，双光子光刻技术在大规模实际应用中被证明过于缓慢。这在很大程度上使其成为实验
关键字：
3D 打印
超构透镜
超材料
双光子光刻
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
关键字：
长江存储
3D NAND
闪存
存储器
近日，英伟达宣布入股新思科技，并开启多年深度合作，引发行业广泛关注。作为一家以算力和应用见长的芯片公司，为什么要亲自“下场”绑定一家 EDA 工具商？与之相呼应的是，台积电早已与楷登电子在先进制程与 3D 封装上形成紧密合作，把工艺规则直接嵌入设计工具之中。 这一系列动作清晰地揭示了一个深层趋势：在摩尔定律逼近极限、先进封装成为算力增长核心引擎的今天，半导体产业的竞争范式正从单一的制程竞赛，转向系统级的协同优化。想要继续提升性能、控制成本，就必须实现“工艺 + EDA + 设计”的深度协同，而
关键字：
算力巨头
EDA
晶圆厂
3D IC
第六届IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程师、技术专家、行业领袖、学术界、学生和研究人员，主题为“以数据驱动的半导体创新改变未来”。今年，该会议由IEEE班加罗尔分会、IEEE计算机科学学会班加罗尔分会和Women in Engineering AG班加罗尔分会联合主办，由三星半导体印度研究院（SSIR）主办。IEEE班加罗尔分会主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半导体创新引擎
关键字：
半导体产业
嵌入式系统
IEEE Wintechon 2025
3D IC 集成
芯片制造商正越来越多地采用晶体管层堆叠技术，在有限空间内集成更强计算能力。然而，当前用于检测可能导致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技术，要么效果不佳，要么具有破坏性。不过，一家初创公司表示，基于人造钻石的新型量子传感器有望帮助代工厂在生产过程中快速捕捉这些隐藏缺陷，且不会对芯片造成损坏，这可能为行业节省数十亿美元成本。马里兰州大学公园市量子技术公司 EuQlid 的联合创始人兼首席执行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中电流传输所依赖的互连结构若存在缺陷 —— 无论是金属沉积不当、硅片裂纹还
关键字：
氮空位缺陷
3D 芯片
量子传感器
专家在座：半导体工程与西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson 坐下来讨论 3D-IC 设计挑战以及堆叠芯片对 EDA 工具和方法的影响;Mick Posner，Cadence 计算解决方案事业部 IP 解决方案小芯片高级产品组总监;莫维卢斯的莫·费萨尔;是德科技新机会业务经理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 编译器平台产品管理高级总监 Amlendu Shekhar Choubey。本讨论的第 1 部分在这里，第 2&
关键字：
3D-IC
芯片设计
总部位于武汉的长江存储科技控股有限责任公司（长存集团）召开股份公司成立大会并选举首届董事会，此举或意味着其股份制改革已全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。根据公开信息，2025年4月，养元饮品子公司泉泓、农银投资、建信投资、交银投资、中银资产、工融金投等15家机构同步参与；7月，长存集团新增股东员工持股平台 —— 武汉市智芯计划一号至六号企业管理合伙企业（有限合伙），上述两笔
关键字：
长江存储
半导体
3D NAND
晶栈
Xtacking
专家在座：半导体工程坐下来讨论了对 3D-IC 的初步尝试以及早期采用者将遇到的问题，西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 计算解决方案事业部 IP 解决方案小芯片高级产品组总监;莫维卢斯的莫·费萨尔;是德科技新机会业务经理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 编译器平台产品管理高级总监 Amlendu Shekhar Choubey。从左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
关键字：
3D-IC设计
随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数据传输速度的要求，而高带宽内存（HBM）凭借创新的堆叠设计，成功攻克了带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制这三大关键难题，为 AI 应用的高效运行提供了重要支撑。但如今，传统 HBM 已经受限，3D DRAM 能够提供更高带宽。同时还能进一步优化功耗表现，全球的存储厂商也普遍将 3D
关键字：
3D DRAM
汽车行业正在经历重大变革，因为它采用自动驾驶技术和超互联生态系统等创新。这一变化的核心是对紧凑型、高性能半导体解决方案的需求不断增长，这些解决方案能够应对日益复杂的现代汽车架构。一项有前途的发展是三维集成电路 （3D-IC），这是一种创新的半导体设计方法，有可能重塑汽车市场。通过垂直堆叠多个芯片，3D-IC 提供卓越的性能、带宽和能源效率，同时克服车辆系统的关键空间和热限制。然而，尽管 3D-IC 具有潜力，但其设计和实施仍面临重大挑战。这就是人工智能驱动的电子设计自动化 （EDA） 工具发挥至关重要作用
关键字：
汽车应用
3D-IC
人工智能
EDA工具
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
关键字：
铠侠
3D 闪存
TLC存储器
闪存
3D闪存
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
关键字：
EDA
3D IC
数字孪生
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
关键字：
西门子EDA
3D IC
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
关键字：
2.5D/3D
芯片技术
半导体封装
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
关键字：
Neo Semiconductor
IGZO
3D DRAM
中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
关键字：
3D
射频传感器
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
关键字：
Sandisk
3D-NAND
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
关键字：
3D DRAM
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
关键字：
紫光国微
2D/3D
芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
关键字：
3D NAND
深孔蚀刻
斯坦福大学教授李飞飞已经在 AI 历史上赢得了自己的地位。她在深度学习革命中发挥了重要作用，多年来努力创建 ImageNet 数据集和竞赛，挑战 AI 系统识别 1000 个类别的物体和动物。2012 年，一个名为 AlexNet 的神经网络在 AI 研究界引起了震动，它的性能远远超过了所有其他类型的模型，并赢得了 ImageNet 比赛。从那时起，神经网络开始腾飞，由互联网上现在提供的大量免费训练数据和提供前所未有的计算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
关键字：
李飞飞对计算机视觉的愿景：World Labs 正在为机器提供 3D 空间智能
12月5日消息，美国当地时间周三，谷歌旗下人工智能研究机构DeepMind推出了一款新模型，能够创造出“无穷无尽”且各具特色的3D世界。这款模型名为Genie 2，是DeepMind在今年早些时候推出的Genie模型的升级版。仅凭一张图片和一段文字描述，例如“一个可爱的机器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能构建出一个交互式的实时场景。在这方面，它与李飞飞创立的World Labs以及以色列新兴企业Decart所开发的模型有着异曲同工之妙。DeepMind宣称，Genie 2能够生成“丰富多样的3D
关键字：
谷歌
DeepMind
Genie 2
模型
3D
互动世界
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用，可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描，是电动汽车（电动汽车电池、电机定子等）、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具，用于
关键字：
Teledyne
3D测量
Z-Trak 3D Apps Studio
3d-nandflash介绍
您好，目前还没有人创建词条3d-nandflash!
欢迎您创建该词条，阐述对3d-nandflash的理解，并与今后在此搜索3d-nandflash的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473