电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车
近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
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SiC MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
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儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封装
在本文中，我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的，包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率，以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下，纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%，同时，降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明，纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商（包括现有制
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SiC BEV 牵引逆变器
奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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安世半导体 MOSFET RDS(on)
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
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SiR680ADP MOSFET Vishay
近日，罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“该SiC衬底长期供应协
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碳化硅 晶圆
近日，全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“ST”）宣布，双方就碳化硅（以下简称“SiC”）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH （以下简称“SiCrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由SiCrystal（SiC晶圆生产量欧洲第一）向ST（面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商）供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官（CEO） Jean-Marc Chery 说：
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SiC 车载
半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示，明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰，但从客户端库存改善、拉货动能加温，以及应用扩大等来看，硅晶圆产业已在本季落底，明年上半年整体景气动能升温速度优于预期，她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增，往后将会逐季成长。
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环球晶圆 硅晶圆 碳化硅
近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器，帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%，优于竞争产品；功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源，典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。目前，许多开关电源采用宽带隙碳化硅(SiC)晶体管来提高电源效率和晶体管可靠性。但是，高开关频率的瞬态特性会产生较大噪声，影响系统的正常工作或者需要额外的措施抑制干扰
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碳化硅 栅极驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
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MOSFET N沟道
简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能，如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗，以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求，例如，，通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势，这款单通道器件的输出驱动能
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DC/DC SiC
近日， 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）于12月2日宣布，完成对瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后，意法半导体行使期权，收购了剩余的45％股份。Norstel并购案总价为1.375亿美元，由现金支付。
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意法半导体 碳化硅 Norstel AB
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
全球碳化硅（SiC）技术领先企业科锐与ABB电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协议内容包括在ABB种类齐全的产品组合中将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体，这将助力科锐扩大客户基础，同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车（EV）市场。
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科锐 ABB 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介绍
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