- 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
- 一辆新能源汽车、一组高能效服务器电源，核心功能的实现都离不开电力电子系统中半导体器件的支撑。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有低能耗、体积小、重量轻等特点，国际上都在竞相研发碳化硅半导体制备技术。近日，记者在区内企业世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产，研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域，实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
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第三代半导体 碳化硅 世纪金光
- 功率 MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
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MOSFET 功率MOSFET
- 近日，随金牛座纳星运行了37天的碳化硅MEMS（微机电系统）微推力器阵列芯片接受地面点火指令成功点火，在轨验证了对金牛座纳星的姿态控制技术。
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MEMS 碳化硅 微推力器阵列
- 日前，第三届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举行。与会专家学者认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。 2018年，美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域研发支持力度，国际厂商积极、务实推进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品不断推出，性能日益提升，应用逐渐广泛。受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等积极因素，国内第三代半导体产业稳步发展。但是，在材料指标、器件性能等方
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半导体 碳化硅
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进MOSFET/ IGBT产品，但在某些时候，收益递减
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SiC MOSFET 意法半导体
- 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的，因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时，可以大幅提高开关调节器的效率。但是，快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时，干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内，在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术，即使是极快的开关边沿，也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换，在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
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开关 MOSFET
- 近日，意法半导体（ST）在华举办了“ST工业巡演2019”。在北京站，ST亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri分析了工业市场的特点，并介绍了ST的产品线宽泛且通用性强，能够提供完整系统的支持。1 芯片厂商如何应对工业市场少量多样的挑战工业领域呈现多样、少量的特点，需要改变消费类电子大规模生产的模式，实现少量、高质量的生产。具体地，工业的一大挑战是应用的多样化，即一个大应用下面通常有很多小的子应用，所以产品会非标准化，即一个产品只能针对某一类小应用/小客户的需
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电机 MCU 电源 SiC
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
- 最近，由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会，围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流，加速第三代半导体材料国产化替代进程，助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
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碳化硅 二极管 MOSFET
- Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，两者均为符合车用规范的 MOSFET，采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域，可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
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MOSFET 汽车
- 在功率电子学中，半导体基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率会高得多。巴塞尔大学的物理学家，Paul Scherrer研究所和ABB在科学期刊“应用物理快报”中解释了阻止硅和碳结合使用的原因。能源消耗在全球范围内不断增长，风能和太阳能等可持续能源供应变得越来越重要。然而，电力通常远离消费者产生。因此，高效的配电和运输系统与将产生的直流电转换成交流电的变电站和电力转换器同样重要。节省大笔开支现代电力电子设备必须能够处理大电流和高电压。目前用于场效应晶体管的半导体材料制成的晶体管现在主要基于硅技术。然而，在硅上使
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碳化硅
- 近日，科锐宣布与德尔福科技（Delphi Technologies PLC）开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。
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科锐 德尔福科技 SiC
- 1999年从摩托罗拉半导体部剥离时，安森美只是一家年营业额12亿美元的标准半导体供应商，2018年已达到年营收近60亿美元，转型成为领先的高能效创新的半导体方案供应商。过去的20年，是半导体技术飞跃发展的20年，也是并购重组频繁的20年，很多中小公司在并购浪潮中淹没了，而安森美却逐渐壮大，形成了自己的特色和稳定的市场。安森美的成功经验是什么？如今的特色和对未来的观察是什么？近日，安森美半导体战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo和中国区销售副总裁谢鸿裕接受了电子产品世界等媒体的采访。1 靠创新
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汽车 传感器 碳化硅 云电源
- 王 莹 （《电子产品世界》编辑，北京 100036） SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示，2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。 不过，制约SiC发展的关键是价格，主要原因有两个：衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，罗姆等公司已经有6英
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201909 新一代功率半导体 SiC
碳化硅(sic)mosfet介绍
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