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碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半导体参加第二届国际电力电子技术与应用会议

  • 　　11月4-7日，由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商，重磅推出碳化硅MOSFET产品，反响热烈。　　作为全球性的电力电子行业盛会，IEEE PEAC 2018可谓大咖云集，来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词，美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授，中国工程院院
  • 关键字： 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体携碳化硅 MOSFET新品亮相第92届中国电子展

  • 　　10月31日-11月2日，第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区，展示公司自主研发的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。　　中国电子展是电子行业的年度盛会，集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业，倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化，电子技术促进产业升级”为主题，共有40000余名买家和专业观众观展，共同打造了一场电子行业年度盛会。　
  • 关键字： 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体承办中日韩第三代半导体技术研讨会

  • 　　11月5日，在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间，来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体，参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。　　出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向，
  • 关键字： 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体荣获“2018年度深圳市人才伯乐奖”

  • 　　近日，从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯，基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果，获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。　　深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立，旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才，以增强企业科技创新能力，提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。　　基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业，从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司，基本半导体依托广泛的海外资源，成功引进了来自英
  • 关键字： 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

罗姆为汽车、工业领域提供更多SiC解决方案

  • 罗姆（ROHM）作为一个日本企业，很早便打入欧洲市场，丰富的行业经验、值得信赖的产品品质和口碑让欧洲本土企业成为罗姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我们也见到了很多罗姆（ROHM）的得意之作。
  • 关键字： ROHM  SiC  罗姆  

使用SiC技术攻克汽车挑战

  • 　　摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头，20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容，重点介绍有关SiC技术和封
  • 关键字： SiC  WInSiC4AP  

半导体发展经历三代变革 推动社会发展

  • 第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
  • 关键字： 半导体  氮化镓  碳化硅  

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模块

  • 　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级※可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM调查数据)　　近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展，系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，受
  • 关键字： ROHM  SiC  

“2018 ROHM科技展”：走进智能“芯”生活！

  • 　　全球知名半导体制造商罗姆将于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店举办为期一天的“2018 ROHM科技展”。届时，将以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，展示罗姆在汽车电子和工业设备等领域的丰富产品与解决方案，以及模拟技术和功率元器件等技术亮点。同时，将围绕汽车电子、SiC(碳化硅)功率元器件、电机驱动、DC/DC转换器技术、传感器技术以及旗下蓝碧石半导体的先进技术等主题，由罗姆的工程师带来六场技术专题讲座。期待您莅临“2018 ROHM科技展”现场，与罗姆的技术专家进行面对面的交流和切磋
  • 关键字： ROHM  SiC  

基本半导体成功主办第二届中欧第三代半导体高峰论坛

  • 　　10月24日，由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。　　本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作，与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行，来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑，给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。　　立足国际产业发展形势，从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战，以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目
  • 关键字： 基本半导体  3D SiC JBS二极管  4H 碳化硅PIN二极管  第三代半导体  中欧论坛  

SiC和GaN系统设计工程师不再迷茫

  •    SiC和GaN MOSFET技术的出现，正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点，而这在几年前是不可想象的。　　在现实世界中，没有理想的开关特性。但基于新材料、拥有超低开关损耗的多种宽禁带器件正在出现，既能实现低开关损耗，又能处理超高速率dv/dt转换，并支持超快速开关频率，使得这些新技术既成就了DC/DC转换器设计工程师的美梦，但同时也变成了他们的恶梦。　　比如一名设计工程师正在开发功率转换应用，如逆变器或马达驱动控制器，或者正在设
  • 关键字： SiC  GaN  

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器 满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安放空间

  • 　　随着汽车中电子系统数量的成倍增加，车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此，新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准，该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质，开关电源充斥着 EMI，并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今，低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起，成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求，同时拥有紧凑的尺寸以及集成化
  • 关键字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字： Littelfuse  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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