华为出资7亿元全资控股，刚刚于今年4月23日成立的哈勃科技投资有限公司近日出手，投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股达10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
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华为 半导体 碳化硅
中国，2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压，无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件，即可实现类似的电压处理能力，可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能，MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑，包括原边或副
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电源 意法半导体 击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器
SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。 不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，主要原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争
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SiC MOSFET
中国北京，2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今，碳化硅（SiC）在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾，碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度；在工业应用方面，越来越多的人则
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CISSOID 碳化硅 功率模块 高温栅极驱动器
中美贸易战战火延烧，华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货，熟悉功率元件业者透露，除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外，疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
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华为 MOSFET 中美贸易战
此次产能扩大，将带来SiC（碳化硅）晶圆制造产能的30倍增长和SiC（碳化硅）材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长
5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂
投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入
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碳化硅 碳化硅基氮化镓 工厂
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
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201905 IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
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MOS MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。 ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC
MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC)
MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。 这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC
生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及
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安森美 MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结
MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。 此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水
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ROHM MOSFET
2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON
Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studioä
开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案，使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围，且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。 Strata Developer
S
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安森美 SiC
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD)
为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP
功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP
晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。
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Diodes MOSFET
2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx
microBR
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Vishay MOSFET
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。 主要应用 w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组 w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天 SiC MOSFET系列 产品覆盖额定电压650-1200V，额定电流30-92A，可满足多
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新能源汽车 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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