- Mar. 7, 2019 ----
全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。 集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年
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IGBT SiC
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 热模型
- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC)
MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。 SIC1182K可在125°C结温下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
- 介绍了SiC的市场动向，SiC市场不断扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。
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SiC 市场 应用 汽车 201903
- 据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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碳化硅 氮化镓 5G
- 专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics
(ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh
M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能
微型逆变器等设备的功率密度。 贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
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贸泽 STMicroelectronics MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs
LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
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Vishay MOSFET
- 意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为自己带来一个重要的增长机会。
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ST Norstel SiC
- 在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
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碳化硅 氮化镓
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27
%，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V
MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 Vishay
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Vishay MOSFET
- Filippo, Scrimizzi, 意法半导体, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半导体, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半导体s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。
这些机电系统
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意法半导体 MOSFET
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive
World日本国际汽车展上，展示其全面丰富的车规产品。Vishay展位设在东5号馆E47-40，以“Think Automotive, Think
Vishay”为主题展示各种车规产品，包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。 Vishay亚
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Vishay 转换器 MOSFET
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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半导体 SiC GaN
- 11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷
600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。 该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。 近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源
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北汽新能源 罗姆半导体 SiC
- 意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16
nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。 此外，意法半导体最先进的M6超结技术将RDS(ON)电阻降至0.036Ω，有助于电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱
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意法半导体 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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