4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。 随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。 国家集成电路产业投资基金是为促进集
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基本半导体 碳化硅 功率芯片 集成电路
ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海电子展"，并占据馆内的入口人气位置，以炫动的赛车和动感十足的汽车产品，吸引观众的眼球。那么，这次ROHM重点带来了什么汽车新品? 据悉，此次展会围绕“汽车电子”和“工业设备”，重点展示了功率电源产品及解决方案。 图：ROHM展台设在展馆入口处，动感赛车吸引眼球 赛车性能突破极限，因为有SiC 视频上吸睛的车队是文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) ，RO
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ROHM SiC
虽然碳化硅有成本方面的问题，但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板，尤其是在电动车与再生能源越来越受到重视，将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。氮化镓技术能够降低成本，又能够保持半导体器件的优越性能，在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被碳化硅替代，我们认为碳化硅和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长，共生共栖。
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瑞萨，碳化硅
硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位，它铸就了电子世界的核心，覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件，以碳化硅和氮化镓的形式，因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
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力特，SiC，GaN
更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
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安森美，SiC，GaN
3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院在五洲宾馆宣布正式启动。深圳第三代半导体研究院的成立具有里程碑意义，将对中国乃至全球第三代半导体产业发展产生深远影响。 科技部原副部长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会主任、深圳第三代半导体研究院理事长曹健林，广东省委常委、深圳市委书记王伟中，深圳市委副书记、市长陈如桂，科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会副主任、深圳第三代半
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青铜剑科技 半导体 碳化硅 功率器件
介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件，面向工业和汽车的新型功率模块，可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
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SiC GaN 电源管理 201804
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的
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MOSFET 电源IC
使用单光子作为量子位的载体可以在量子数据传输期间实现可靠的安全性。研究人员发现，目前可以通过某现有材料建立一个系统，能在常温条件下可靠地产生单光子。
来自莫斯科物理技术学院(MIPT)的一个研究小组展示通过使用基于碳化硅(SiC)光电子半导体材料的单光子发射二极管，每秒可以发射多达数十亿个光子。研究人员进一步表明，SiC色心的电致发光可用于将无条件的安全量子通信线路中的数据传输速率提高到1Gbps以上。
量子密码术与传统的加密算法不同，它依赖于物理定律。在不改变原始信息的情况下，是无法
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SiC 量子通信
相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
此外，除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，
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SiC GaN
全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展(electronica China 2018)"。 “慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以“汽车电子”和“工业设备”为轴，为大家呈现包括“汽车电子”、 “模拟”、“电源”、“传感器”以及“移动设备”在内的5大解决方案展区，囊括了业界领先的强大产品阵容。另外，为此
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ROHM SiC
慕尼黑上海电子展举办，作为亚洲第一电子大展，展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商，则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。 凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示，以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示，世强元件电商吸引了大批工程师
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SiC GaN
据麦姆斯咨询报道，一些非常重要的市场趋势正在推动化合物半导体器件在关键行业的应用，化合物半导体正在强势回归。这些趋势主要包括第五代(5G)无线网络协议、无人驾驶和自动汽车、交通电气化、增强现实和虚拟现实(AR/VR)。这些应用正在推动3D传感的应用，提高功率模块效率和更高频率的通信应用。所有这些新发展背后的关键器件都是由化合物半导体制造而成。科锐(Cree)和英飞凌(Infineon)近日关于SiC材料、SiC功率器件和GaN射频(RF)器件的最新公告，还仅仅是化合物半导体应用的冰山一角。
我们
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5G SiC
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子
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Littelfuse MOSFET
EPC公司的管理及技术团队将在中国深圳及上海于3月14至16日举行的各大业界论坛及展会上，与工程师会面并作技术交流。届时，EPC团队将分享如何发挥氮化镓场效应晶体管(GaN FET)及集成电路的最高性能、创新设计，从而为工程师及其客户，打造共创共赢新局面。 AirFuel无线充电大会暨开发者论坛 2018 (中国深圳 - 3月14至16日) 首届AirFuel无线充电大会暨开发者论坛将于3月14至16日在深圳南山凯宾斯基酒店举行。由AirFuel™
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宜普 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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