MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在-即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 （图 1）。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。
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mosfet linear
摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
什么是同步整流器？开关MOSFET较同步整流器在功率电源中的耗散如何？-同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
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整流器 mosfet 二极管
用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
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mosfet 氮化镓 pfc
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
近年来，SiC(碳化硅)因其优异的节能效果和对产品小型化、轻量化的贡献，在新能源汽车、城市基础设施、环境/能源，以及工业设备领域的应用日益广泛。与同等额定电流的IGBT产品相比，SiC产品凭借更低的开关损耗，可实现设备中冷却机构的小型化。同时，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。可见，SiC是可以同时实现设备节能化、小型化和轻量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽车
平面式高压MOSFET的结构
图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
图1：传统平面式MOSF
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MOSFET 超级结
在经过多年的疑虑和犹豫之后，SiC器件终于迎来了春天。
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SiC Cree
今天，做一个产品或系统的电路保护方案，特别是智能电网等工业应用的端口保护设计，就像是组织一场足球比赛的防御战：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，还需要有将他们捏合在一起的战术，去抵御来自对手的每一次可能的“进攻”。这其中的门道儿不少，但也有套路可寻，今天我们就来看看世健(Excelpoint)作为工业电路保护界的“豪门”，是怎么玩儿的。 那些明星元件 先来细数一下世健帐下那些在智能电网上可堪重用的电路保护元件“球星”，它们大多来自Bourns公司，每颗料都很有“料”。比如： TBU高速
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智能电网 MOSFET
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。c科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它
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英飞凌 碳化硅
SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然，要进行大批量生产，逆变器除了静态和动态性能之外，还必须具备适当的可靠性，以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压，以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
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电源转换器 SiC MOSFET 逆变器 201707
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控
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英飞凌 碳化硅
三菱电机于6月27至29日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2017(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)展会中，以十款新型功率器件强势登场，其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出(三菱电机展位号：E06)。 三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。 变频家电市场 在变频家电应用方面，三菱电机展出
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三菱电机 碳化硅
全球出现的能源短缺问题使各国政府都开始大力推行节能新政。电子产品的能耗标准越来越严格，对于电源设计工程师，如何设计更高效率、更高性能的电源是一个永恒的挑战。本文从电源PCB的布局出发。
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电源模块性能 PCB布局技术 MOSFET
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了.
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SiC 集成技术 生物电信号 采集方案
碳化硅(sic)mosfet介绍
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