- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。
电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工
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意法半导体 MOSFET
- 众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
- 电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。
然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体**的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路**一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里
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IGBT MOSFET
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的享誉业界的碳化硅(SiC)功率元器件，让高科技创业公司Zaptec开发出世界上最小、最智能、最安全的电动汽车充电站ZapCharger。Zaptec是变压器产业革命性的创新性初创公司。
作为市场首款内置电子变压器的电动汽车便携式充电器，ZapCharger可以连接任何电网给任何电动汽车充电。意法半导体的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率转换性能，让Zaptec工程师得以设
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意法半导体 SiC
- SiC功率半导体正进入多个应用领域
当首款碳化硅(SiC)二极管于2001年推出时，整个产业都对SiC功率半导体的未来发展存在疑虑，它会有市场吗?它能够真正实现商业化吗?然而15年之后的今天，人们不再会有这样的疑虑。SiC功率半导体市场是真实存在的，而且具有广阔的发展前景。2015年，SiC功率半导体市场(包括二极管和晶体管)规模约为2亿美元，到2021年，其市场规模预计将超过5.5亿美元，这期间的复合年均增长率预计将达19%。毫无悬念，消耗大量二极管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC 功率半导体
- 一般来讲，寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便，并能享受城市服务，但他们更愿意搬到郊区，因为那里房子更大，院子更宽敞。同样，当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时，他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利，取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器，与郊区环境相类似，具有相对的灵活性和经济性，但会占据更多不动产，更多的电路板空间。
直到最近，电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSF
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MOSFET 封装
- 下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开
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MOS管 MOSFET
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在混动汽车和电动汽车(EV，Electric Vehicles)市场发布了先进的高能效功率半导体器件，同时还公布了新产品AEC-Q101汽车质量认证时间表。
电动汽车和混动汽车通过提高电能利用率来延长续航里程。意法半导体最新的碳化硅(SiC)技术让车企能够研制续航里程更长、充电速度更快的电动和混动汽车，使其更好地融入车主的生活。作为碳化硅技术的领导者，针对汽车所有主要电气模块，意法半导体率先推
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意法半导体 MOSFET
- 通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房 目前主流的通讯电源，其参数如下： • 输入电压AC:90-264V 50/60Hz • 输出功率：2kw •
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SiC PFC
- 英飞凌科技股份公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的
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英飞凌 SiC-MOSFET
- 通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。
通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房
目前主流的通讯电源，其参数如下：
• 输入电压AC:90-264V 50/60Hz
• 输出功率：2kw
• 输出：最大电压1
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世强 SiC
- 基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前，高压器件的主要设计平台是基于平面技术。但高压下的快速开关会产生AC/DC电源和逆变器方面的挑战。从平面向超级结MOSFET过渡的设计工程师常常为了照顾电磁干扰(EMI)、尖峰电压及噪声考虑而牺牲开关速度。本应用指南将比较两种平台的特征，以便充分理解和使用超级结技术的优点。
为了理解两种技术的差异，我
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MOSFET 超级结结构
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。 全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件，数据使用量连续快速增长，运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高，人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多
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意法半导体 MOSFET
- MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。 MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱
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MOSFET 三极管
碳化硅(sic)mosfet介绍
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