- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
- 关键字：
碳化硅(SiC)MOSFET 短路 热模型
- 1. 引言 散热器在计算时会出现误差，一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗，每只器件的参数参差不 ...
- 关键字：
热模型 MOSFET PSPICE
- Vishay 是率先为总功耗大于 200mW 的新器件提供 详细热数据的光耦合器与固体继电器制造商 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布，该公司目前正在为最近推出的总功耗为 200mW 及更高的光耦合器及固体继电器 (SSR) 提供详细的热特性数据。Vishay 是业界率先提供热模型的光耦合器与 SSR 制
- 关键字：
Vishay 单片机 电源技术 光耦合器产品 模拟技术 嵌入式系统 热模型 设计时间
热模型介绍
您好，目前还没有人创建词条热模型!
欢迎您创建该词条，阐述对热模型的理解，并与今后在此搜索热模型的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
