- 中国上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降
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东芝推 超级结结构 N沟道 功率MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44
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东芝 N沟道 功率MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的15
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东芝 150V N沟道 功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
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MOSFET N沟道
- 1、MSO的三个极怎么判定： MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。 G极，不用说比较好认。 S极， 不论是P沟道还是N沟道， 两根线相交的就是; D极， 不论是P沟道还是N沟道， 是单独引线的那边。 2、他们是N沟道还是P沟道? 三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了： 当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。 先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。 3、寄生二极管的方向如何判定? 接下来，是寄生二极管的方向判断： 它的判断规则就是： N沟道，
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MSO管 N沟道 P沟道
- 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。
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飞兆 MOSFET FDPC8011S N沟道
n沟道介绍
场效应管，其分为MOS管和C-MOS管两种，又分为耗尽型和增强型两种。它分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器 [
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