- 本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态，探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中，耗尽层形态和输出电容变化的关系，最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸，更低输出电容转折点电压，降低开关损耗，同时产生非常大的du/dt和di/dt，对系统EMI产生影响。
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202008 功率 MOSFET 超结结构 输出电容 横向电场
- 本文介绍了一款基于LM3404的LED手术无影灯恒流驱动调光电路，详细论述了调光电路的硬件和软件方案的设计及实测效果。电路采用单片机MSP430F1232控制LED驱动模块，集成调光控制模块，可实现对大功率LED手术无影灯进行无极调光的功能，并且含有参数记忆模式，具有智能化、精度高、稳定性强等优点，大大提高了LED手术无影灯的使用性能。
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202008 LED手术无影灯 单片机 LM3404 调光控制 MOSFET
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，推出一款适用于 太阳能逆变器应用 的 全SiC功率模块 ，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速
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MOSFET SiC PIM 光伏逆变器
- 宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC“TB9120AFTG”。新款IC仅使用一个简单的时钟输入接口就能输出正弦波电流，无需功能先进的MCU或专用软件。TB9120AFTG的开发是为了接替东芝于2019年推出的首款车载步进电机驱动IC“TB9120FTG”，它能提供更加优异的抗噪声性能。TB9120AFTG采用带低导通电阻（上桥臂＋下桥臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可实现的最大电流为1.5A[1]。DMOS FET和产生微步正弦波（最高可
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IC QFN MOSFET
- 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 近日宣布 InnoSwitch™3-AQ 已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。 InnoSwitch3-AQ 采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
- 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
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MOSFET TIM IGBT
- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司 Power Integrations 近日发布已通过AEC-Q100认证的新款 LinkSwitch™-TN2 开关IC，新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源，这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片，只需要很少的外围元件，而且占用的PC
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IC MOSFET
- 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团近日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用，可为锂离子电池供电的家用和户外产品、水泵及冷却风扇中的48V电机驱动器供电。HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的
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MOSFET UPS PWM
- 宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器件材料关注的焦点，由于GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于......
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安世 GaN MOSFET
- 中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。与IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有传导损耗、开关损耗*2小、耐温度变化等优势，作为能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车车载充电器以及DC/DC转换器等方面的应用日益广泛。自2017年合作以来，臻驱科技和罗姆就采
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MOSEFT SiC
- 我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约4
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EV OBC MOSFET
- 汽车电动化领域的领先供应商——纬湃科技(以下简称“Vitesco”)近日宣布选择SiC功率元器件的领军企业——罗姆(以下简称“ROHM”)作为其SiC技术的首选供应商,并就电动汽车领域电力电子技术签署了开发合作协议(2020年6月起生效)。通过使用SiC功率元器件,大陆集团旗下的Vitesco将能够进一步提高电动汽车用电力电子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用电动汽车电池的电能。这将非常有助于延长电动汽车的续航里程并削减电池体积。Vitesco电气化技术事业部执行副总裁
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SiC 电气
- 随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
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宽禁带 半导体 SiC GaN
碳化硅(sic)mosfet介绍
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