晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)宣布，已将其于新加坡 12寸晶圆厂Fab 12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元，将会与诸如微电子研究院等新加坡本地研究机构进行研发合作。
联电将已开发之技术包含背照式影像感测器(BSI CMOS)、嵌入式记忆体、高压应用产品，以及直通矽晶穿孔连结等，应用于车用、行动、智慧型手机与平板电脑等日益庞大的产品市场，并藉此特殊技术，协助客户提供受益于日渐增加之日常
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联电 晶圆
除了从系统角度强化散热性能外，随着LED照明的应用普及，对于散热基板的要求日趋严苛，LED基板材料及技术在近年的开发也有所进展，目前最新的趋势是对于硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)的研发。基本上，由于蓝宝石基板面临技术瓶颈，LED厂商正积极寻找新的基板材料，而硅基氮化镓可减少热膨胀差异系数，不仅能强化LED发光强度，更可以大幅降低制造成本、提高散热表现，因此成为了业界争相发展的新技术。
例如普瑞光电(Bridgelux)与东芝(Toshiba)合作开发出硅基氮化镓白光LED，并在去年十
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LED 晶圆
市场研究机构IC Insights公布的2013年第一季全球半导体供应商排行榜显示，有数家日本半导体厂商名次都比去年同期退步;其中东芝(Toshiba)退步一名成为第五，瑞萨(Renesas)因销售额下滑20%而跌出前十名，索尼(Sony)退步三名成为第十六、当季销售额较去年同期下滑31%，富士通(Fujitsu)则由去年第一季的第十五名退步为第二十名、季销售额下滑26%。
不过IC Insights指出，日本半导体厂商的销售额数字都是由日圆换算成美元;在2012年第一季时，美元兑日圆汇率为1美
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半导体 晶圆
为争抢先进制程商机大饼，包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂，下半年均将扩大资本设备支出，持续扩充28奈米制程产能;与此同时，受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激，各大晶圆厂也不断加码技术投资，将驱动整体晶圆代工产业支出向上飙升。
2013年全球半导体产值将强劲反弹，一扫去年下滑的阴霾。其中，尤以晶圆代工厂扩大设备资本支出(CAPEX)，加速推动先进制程，为拉升半导体产值挹注最大贡献。
由于今年全球经济状况相对去年乐观，且行动装置处理器业者转换至28、20奈米(nm)先进制程的需求涌现
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晶圆 28nm
景况不佳的日本半导体厂商们终于觉醒并开始面对一个现实──拥抱「轻晶圆厂(fab-lite)」策略将会是他们存活的最佳希望;但很大的问题是：谁会想在日本半导体产业的“清仓大拍卖”中收购一座旧晶圆厂?
答案恐怕是没有人。市场研究机构FutureHorizons董事长暨执行长MalcolmPenn话就说得很直，他表示那些日本晶圆厂「都是采用旧制程」，而且谁要是买下那些晶圆厂：「就会面临管理以及物流(logistic)的梦靥。」
不过换个角度看，因为你的赌注是押在没人看好的
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Renesas 晶圆
台积电(2330-TW)(TSM-US)今(9)日在新竹举办技术论坛;并释出讯息，随董事长张忠谋法说时宣布今年资本支出为95至100亿美元，投入15亿美元(折现约新台币441.06亿元)用于研发人员与将投入逻辑先进制程及成熟制程开发。该公司研发大军目标今年增加至4200人。
台积电4月18日法说时已由董事长张忠谋正式调高今年资本支出为95至100亿美元，当中，研发投资金额将达15亿美元，年增逾1成;该公司预计投入研发的科学家和工程师也将随之增加至4200人。
同时，台积电随客户需求持续提高
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台积电 晶圆
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製程的车用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德勒斯登的厂房。
英飞凌董事会成员 Arunjai Mittal 表示：「採用 40nm 製程结构的
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Globalfoundries 晶圆 晶片设计
根据国际研究暨顾问机构Gartner发布的最终统计结果，2012年全球半导体资本设备支出总额为378亿美元，较2011年减少16.1%。晶圆级制造受到微影(lithography)与沈积(deposition)领域疲弱的影响，在2012年表现低于整体市场。在主要领域中，亦即主要受到逻辑制造影响的领域，以28/20奈米制程和良率改善的表现较佳。
Gartner副总裁Klaus-DieterRinnen表示：「DRAM长期供过于求以及转进NAND之后又造成供过于求，导致产能需求下降。记忆体制造相关的
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半导体设备 晶圆
日前，全球领先的模拟与嵌入式半导体厂商美国德州仪器公司(TI)宣布向中国青少年发展基金会(中国青基会) 捐款100万元人民币，用于支持“希望工程紧急救灾助学行动”，帮助遭受四川雅安地震影响的学校进行灾后重建工作。TI也将积极支持中国青基会开展捐助项目的具体执行，并将号召员工作为志愿者参与相应的灾后重建公益活动。
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TI 晶圆
晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
格罗方德2009年由美商超微独立而出，2010年并购前特许半导体，苏比表示，2009年刚独立时，公司仅是全球第四大晶圆代工厂，但凭着超微在处理器技术的设计能力，加上先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验，ICInsights统计，2012年公司跃进晶
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台积电 10纳米 晶圆
中芯国际公布了截至3月31日的2013财年第一季度财报。财报显示，中芯国际第一季度总销售额为5.016亿美元，比上年同期增长50.8%;净利润为4060万美元，上年同期净亏损4280万美元。
第一季度业绩分析：
第一季度，中芯国际销售额为5.016亿美元，比上一季度的4.859亿美元增长3.2%，主要是由于40/45纳米晶圆付运量增加所致;销售成本为3.995亿美元，比上一季度的3.891亿美元增长2.7%，主要是由于晶圆的付运量增加所致。
第一季度，中芯国际毛利润为1.021亿美元
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中芯国际 晶圆
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说，他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型，Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产，与此同时，极紫外(EUV)光刻设备也进展顺利，将在今年交付两套新的系统。
ASML在一份声明中称：“在客户合作投资项目的支持下，我们已经完成了用于极紫外、沉浸式光刻的450毫米架构的概念设计，将在2015年交货原型，并兼容2018年的量产，当然如果整个产业来得及的话。”
Int
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ASML 半导体 晶圆
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。
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Cadence FinFET 晶圆 201304
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说，他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型，Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产，与此同时，极紫外(EUV)光刻设备也进展顺利，将在今年交付两套新的系统。
ASML在一份声明中称：“在客户合作投资项目的支持下，我们已经完成了用于极紫外、沉浸式光刻的450毫米架构的概念设计，将在2015年交货原型，并兼容2018年的量产，当然如果整个产业来得及的话。”
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300mm晶圆于世纪之交开始投入应用，至今已十年有余，近据市调公司IC Insights报告，今日世界300mm晶圆生产线产能主要掌控在6家存储器生产和代工厂商之手，2012年约占全部产能的74.4%，预期2013年仍将保持74%的水平。
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晶圆 存储器 201304
晶圆 介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
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